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    番茄紅素在墨蘭根狀莖增殖培養中的應用制造技術

    技術編號:38328082 閱讀:21 留言:0更新日期:2023-07-29 09:11
    本發明專利技術公開了番茄紅素在墨蘭根狀莖增殖培養中的應用,將墨蘭根狀莖培養在增殖培養基中進行繼代培養,所述的增殖培養基含有番茄紅素。墨蘭根狀莖在離體操作過程常伴隨著物理損傷并激活一系列防衛反應的重要內源信號分子如活性氧物質。然而,活性氧物質影響墨蘭根狀莖的生長發育。本發明專利技術將墨蘭根狀莖培養在含有番茄紅素成分的增殖培養基中,可以緩解活性氧物質對根狀莖的損害,利于根狀莖的生長,提高增殖系數,縮短繁殖周期。實施本發明專利技術只需有簡單的植物組織培養設備即可進行。單的植物組織培養設備即可進行。

    【技術實現步驟摘要】
    番茄紅素在墨蘭根狀莖增殖培養中的應用


    [0001]本專利技術涉及農業生物技術中植物組織培養的方法,具體地說,涉及番茄紅素在墨蘭根狀莖增殖培養中的應用。

    技術介紹

    [0002]蘭花根狀莖是由原球莖或類原球莖繼續發育、伸長、分支形成的叢生型類原球莖,具有明顯可見的莖節以及頂芽、腋芽等特征,其外韌型維管束散生在基本組織中,具有典型的單子葉植物莖的結構特點。根狀莖增殖源于莖節部的薄壁細胞脫分化形成胚性愈傷組織或節間的表皮或皮層細胞不斷分裂形成側生分生組織。根狀莖在無外源激素條件下即可伸長生長而實現增殖,但增殖速度較慢;在添加少量外源細胞分裂素或生長素的培養基中,根狀莖更易伸長并形成分枝,增殖效率顯著提高;而在同時添加外源細胞分裂素和生長素更利于根狀莖的增殖。

    技術實現思路

    [0003]本專利技術的目的是克服現有技術中的不足,提供番茄紅素在墨蘭根狀莖增殖培養中的應用。
    [0004]本專利技術是通過以下技術方案實現:番茄紅素在墨蘭根狀莖增殖培養中的應用,將墨蘭根狀莖培養含有番茄紅素(CAS號為:502
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    65
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    8)培養基中進行繼代培養。
    [0005]本專利技術一個實施例中,增殖培養基每升含有番茄紅素1
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    3克、6
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    芐氨基嘌呤0.1
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    0.5毫克、1
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    萘乙酸1.0
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    2.0毫克、蔗糖20
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    30克、瓊脂粉5
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    7克,余量為MS培養基,pH值為5.4
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    6.0。
    [0006]所述的繼代培養條件為:將墨蘭根狀莖接種在增殖培養基中,首先在培養溫度為8~10℃進行黑暗培養10
    ?
    15天,然后轉至培養溫度為25℃,光照強度為1000
    ?
    1500lx,光照時間為12小時/天,培養30
    ?
    40天。
    [0007]所述的墨蘭根狀莖是指墨蘭品種

    企劍白墨墨蘭

    長度為1.0
    ?
    2.0厘米、去除莖尖的根狀莖。
    [0008]墨蘭根狀莖在離體培養過程中,根狀莖在離體操作過程常伴隨著物理損傷,并激活一系列防衛反應的重要內源信號分子,產生一些有害物質如活性氧,影響墨蘭根狀莖的生長發育。本專利技術將墨蘭根狀莖培養在含有番茄紅素成分的增殖培養基中,可以緩解活性氧物質對根狀莖的損害,利于根狀莖的生長,提高增殖系數,縮短繁殖周期。
    [0009]本專利技術使用繼代培養基獨特,成本低,繁殖系數高,繼代周期短,根狀莖品質好,具有很好的應用前景。
    具體實施方式
    [0010]下面結合具體實施方式,對本專利技術的技術方案作進一步的詳細說明,但不構成對本專利技術的任何限制。
    [0011]實施例1
    [0012]將長度為1.0
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    2.0厘米、去除莖尖的墨蘭品種

    企劍白墨墨蘭

    根狀莖分別培養在增殖培養基1~3組別中,首先在培養溫度為8℃進行黑暗培養10天,然后轉至培養溫度為25℃,光照強度為1000lx,光照時間為12小時/天,培養30天,在增殖培養基1~3培養的

    企劍白墨墨蘭

    根狀莖增殖系數分別為2.89、0.53和1.68。其中,增殖培養基1的培養基成分為MS+1g/L番茄紅素+0.1mg/L 6
    ?
    BA+1.0mg/L NAA+20g/L蔗糖+5g/L瓊脂,pH值為5.4;增殖培養基2的培養基成分為MS+0.1mg/L 6
    ?
    BA+1.0mg/L NAA+0g/L蔗糖+5g/L瓊脂,pH值為5.4;增殖培養基3的培養基成分為MS+0.5g/L番茄紅素+0.1mg/L 6
    ?
    BA+1.0mg/L NAA+0g/L蔗糖+5g/L瓊脂,pH值為5.4。
    [0013]實施例2
    [0014]將長度為1.0
    ?
    2.0厘米、去除莖尖的墨蘭品種

    企劍白墨墨蘭

    根狀莖分別培養在增殖培養基4~5組別中,首先在培養溫度為9℃進行黑暗培養13天,然后轉至培養溫度為25℃,光照強度為1300lx,光照時間為12小時/天,培養35天,在增殖培養基4~5培養的

    企劍白墨墨蘭

    根狀莖增殖系數分別為3.01和0.68。其中,增殖培養基4的培養基成分為MS+2g/L番茄紅素+0.3mg/L 6
    ?
    BA+1.5mg/L NAA+25g/L蔗糖+6g/L瓊脂,pH值為5.7;增殖培養基5的培養基成分為MS+2g/L番茄紅素+0.3mg/L 6
    ?
    BA+1.5mg/L NAA+25g/L蔗糖+6g/L瓊脂,pH值為5.7。
    [0015]實施例3
    [0016]將長度為1.0
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    2.0厘米、去除莖尖的墨蘭品種

    企劍白墨墨蘭

    根狀莖分別培養在增殖培養基6~8組別中,首先在培養溫度為10℃進行黑暗培養15天,然后轉至培養溫度為25℃,光照強度為1500lx,光照時間為12小時/天,培養40天,在增殖培養基6~8培養的

    企劍白墨墨蘭

    根狀莖增殖系數分別為3.34、0.59和2.57。其中,增殖培養基6的培養基成分為MS+3g/L番茄紅素+0.5mg/L 6
    ?
    BA+2.0mg/L NAA+30g/L蔗糖+7g/L瓊脂,pH值為6.0;增殖培養基7的培養基成分為MS+0.5mg/L 6
    ?
    BA+2.0mg/L NAA+30g/L蔗糖+7g/L瓊脂,pH值為6.0;增殖培養基8的培養基成分為MS+3.5g/L番茄紅素+0.5mg/L 6
    ?
    BA+2.0mg/L NAA+30g/L蔗糖+7g/L瓊脂,pH值為6.0。
    [0017]上述實施例為本專利技術較佳的實施方式,但本專利技術的實施方式并不受上述實施例的限制,其它的任何未背離本專利技術的精神實質與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化,均應為等效的置換方式,都包含在本專利技術的保護范圍之內。
    本文檔來自技高網
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    【技術保護點】

    【技術特征摘要】
    1.番茄紅素在墨蘭根狀莖增殖培養中的應用,將墨蘭根狀莖培養在增殖培養基進行繼代培養,其特征在于,所述的繼代培養基含有番茄紅素。2.根據權利要求1所述的番茄紅素在墨蘭根狀莖增殖培養中的應用,其特征在于,所述的繼代培養基每升含有番茄紅素1
    ?
    3克、6
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    芐氨基嘌呤0.1
    ?
    0.5毫克、1
    ?
    萘乙酸1.0
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    2.0毫克、蔗糖20
    ?
    30克、瓊脂粉5
    ?
    7克,余量為MS培養基,pH值為5.4
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    6.0。3.根據權...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:趙仕花楊業容韋敏潘潔明方振名
    申請(專利權)人:玉林師范學院
    類型:發明
    國別省市:

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