一種雙列直插式封裝電子元件用清洗液、其制備方法及其應用技術

本發明專利技術涉及雙列直插式封裝電子元件用清洗液、其制備方法及其應用。雙列直插式封裝電子元件用清洗液，其特征在于，所述清洗液由雙氧水、冰醋酸、羥基乙叉二膦酸和水組成，其中每升清洗液中各組分含量為：雙氧水100～200ml/L，冰醋酸200～300ml/L，羥基乙叉二膦酸50～200ml/L，余量為純水。這種清洗液中，羥基乙叉二膦酸的加入能延長清洗液的使用壽命，防止出現點狀腐蝕。現點狀腐蝕。

【技術實現步驟摘要】
一種雙列直插式封裝電子元件用清洗液、其制備方法及其應用


[0001]本專利技術具體涉及一種雙列直插式封裝電子元件用清洗液、其制備方法及其應用。

技術介紹

[0002]Dual In
?
line Package(DIP)，雙列直插式封裝技術，指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數中小規模集成電路均采用這種封裝形式。采用這種封裝方式的芯片有兩排引腳，是從集成電路芯片內部電路引出與外圍電路的接線，所有的引腳構成了芯片的接口，可以直接焊在有DIP結構的芯片插座上，也可以直接插在有相同焊孔數和幾何排列的電路板上進行焊接。因此需要對這種電子元件的引腳電鍍，增強其焊接性能。
[0003]在對這種采用DIP封裝的電子元件的電鍍工藝中，電子元件的散熱片上不允許有鍍層同時需要有均勻啞光澤，而且還需保證電子元件的引腳的錫鍍層有較好的可焊性，但是傳統電鍍工藝中常用的清洗液一般含有硝酸或硝酸鹽的配方，操作時會產生氮氧化物廢氣，環保性差，而且用這種清洗液腐蝕速度快，容易傷害錫鍍層；

技術實現思路

[0004]本專利技術的目的之一是為了克服現有技術的不足，提供一種既能保證電子元件的散熱片的外觀不被破壞，又能不傷害錫鍍層的雙列直插式封裝電子元件用清洗液、其制備方法及其應用。
[0005]為實現以上目的，本專利技術通過以下技術方案實現：
[0006]一種雙列直插式封裝電子元件用清洗液，其特征在于，所述清洗液由雙氧水、冰醋酸、羥基乙叉二膦酸和水組成，其中每升清洗液中各組分含量為：雙氧水100～200ml/L，冰醋酸200～300ml/L，羥基乙叉二膦酸50～200ml/L，余量為純水。
[0007]雙列直插式封裝電子元件用清洗液的制備方法，其特征在于，將冰醋酸、羥基乙叉二膦酸和雙氧水依次加入水中混合。
[0008]根據本專利技術的一個技術方案，包括步驟，A、準備好容器，放入1/4純水；B、將冰醋酸加入水中，攪拌；C、將羥基乙叉二膦酸加入步驟B的溶液中，攪拌；D、將雙氧水加入步驟C的溶液中，攪拌；E、補充純水至規定容積，攪拌。
[0009]前述雙列直插式封裝電子元件用清洗液的應用，其特征在于，應用于對DIP封裝的電子元件的清洗。
[0010]根據本專利技術的一個技術方案，清洗方法為：在溫度為5～50℃下，將電鍍后的所述電子元件置于所述清洗液中，擺動所述電子元件進行1～20min的清洗。
[0011]常用的清洗液有硝酸、硫酸的混合酸和硝酸鹽、酸混合等配方，前者清洗液，腐蝕速度快，不易控制，后者需要加溫操作，而且二種清洗液均會產生氮氧化物氣體，操作環境差，不符合環保要求，本清洗液利用雙氧水的在酸性條件的氧化性，配與合適的緩腐劑羥基乙叉二膦酸，同時采用不易傷害錫鍍層的酸性介質醋酸，從而達到操作簡單、無需溫度控
制，時間控制范圍寬、清洗溶液穩定，無氮氧化物廢氣產生的目的。該液控制方便，冬夏天都無需溫度控制，維護簡單，平時只需用堿滴定分析酸度，按雙氧水：醋酸＝2:1補加，定期倒槽。
[0012]本專利技術與現有技術相比的有益效果是：
[0013]1、本專利技術提供的雙列直插式封裝電子元件用清洗液、其制備方法及其應用。中，在酸性條件下，雙氧水會與電子元件的散熱片上的銅發生氧化還原反應，氧化銅緩慢的溶解從而使銅片變得均勻近似光亮，保證了在電鍍工藝中散熱片的外觀不會在電鍍錫時受到影響。
[0014]2、這種清洗液在不影響散熱片的同時也能不傷害到已經鍍上的錫鍍層，可以放棄手工操作，從而實現整套的自動化電鍍工藝。
[0015]3、這種清洗液中，羥基乙叉二膦酸的加入能延長清洗液的使用壽命，防止出現點狀腐蝕。
[0016]4、由于冰醋酸可作為食用白醋的主要原料，羥基乙叉二膦酸常用于鍋爐用水的軟化劑、阻垢劑，并且雙氧水的分解產物為水和氧氣，因此由其組成的清洗液具有較好的環保性。
具體實施方式
[0017]下面結合實施例對本專利技術進行詳細的描述：
[0018]實施例1
[0019]雙列直插式封裝電子元件用清洗液，由雙氧水、冰醋酸、羥基乙叉二膦酸和水組成，其中每升清洗液中各組分含量為100ml/L雙氧水、200ml/L冰醋酸、50ml/L羥基乙叉二膦酸，其余為水。
[0020]該清洗液的制備方法為：
[0021]A、準備好容器，放入1/4純水；B、將冰醋酸加入水中，攪拌；C、將羥基乙叉二膦酸加入步驟B的溶液中，攪拌；D、將雙氧水加入步驟C的溶液中，攪拌；E、補充純水至規定容積，攪拌。
[0022]該清洗液的應用，包括以下步驟：
[0023]將DIP封裝的電子元件電鍍好后，將所述電子元件置于根據上述方法制得的清洗液中，溫度為20℃，擺動所述電子元件進行20min的清洗。
[0024]實施例2
[0025]雙列直插式封裝電子元件用清洗液，由雙氧水、冰醋酸、羥基乙叉二膦酸和水組成，其中每升清洗液中各組分含量為130ml/L雙氧水、230ml/L冰醋酸、100ml/L羥基乙叉二膦酸，其余為水。
[0026]該清洗液的制備方法為：
[0027]A、準備好容器，放入1/4純水；B、將冰醋酸加入水中，攪拌；C、將羥基乙叉二膦酸加入步驟B的溶液中，攪拌；D、將雙氧水加入步驟C的溶液中，攪拌；E、補充純水至規定容積，攪拌。
[0028]該清洗液的應用，包括以下步驟：
[0029]將DIP封裝的電子元件電鍍好后，將所述電子元件置于根據上述方法制得的清洗
液中，溫度為30℃，擺動所述電子元件進行15min的清洗。
[0030]實施例3
[0031]雙列直插式封裝電子元件用清洗液，由雙氧水、冰醋酸、羥基乙叉二膦酸和水組成，其中每升清洗液中各組分含量為170ml/L雙氧水、220ml/L冰醋酸、90ml/L羥基乙叉二膦酸，其余為水。
[0032]該清洗液的制備方法為：
[0033]A、準備好容器，放入1/4純水；B、將冰醋酸加入水中，攪拌；C、將羥基乙叉二膦酸加入步驟B的溶液中，攪拌；D、將雙氧水加入步驟C的溶液中，攪拌；E、補充純水至規定容積，攪拌。
[0034]該清洗液的應用，包括以下步驟：
[0035]將DIP封裝的電子元件電鍍好后，將所述電子元件置于根據上述方法制得的清洗液中，溫度為45℃，擺動所述電子元件進行12min的清洗。
[0036]實施例4
[0037]雙列直插式封裝電子元件用清洗液，由雙氧水、冰醋酸、羥基乙叉二膦酸和水組成，其中每升清洗液中各組分含量為200ml/L雙氧水、270ml/L冰醋酸、200ml/L羥基乙叉二膦酸，其余為水。
[0038]該清洗液的制備方法為：
[0039]A、準備好容器，放入1/4純水；B、將冰醋酸加入水中，攪拌；C、將羥基乙叉二膦酸加入步驟B的溶液中，攪拌；D、將雙氧水加入步驟C的溶液中，攪拌；E、補充純水至規定容積，攪拌。
[0040]該清洗液的應用，包括以下步驟本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種雙列直插式封裝電子元件用清洗液，其特征在于，所述清洗液由雙氧水、冰醋酸、羥基乙叉二膦酸和水組成，其中每升清洗液中各組分含量為：雙氧水100～200ml/L，冰醋酸200～300ml/L，羥基乙叉二膦酸50～200ml/L，余量為純水。2.根據權利要求1所述的雙列直插式封裝電子元件用清洗液的制備方法，其特征在于，將冰醋酸、羥基乙叉二膦酸和雙氧水依次加入水中混合。3.根據權利要求2所述的雙列直插式封裝電子元件用清洗液的制備方法，其特征在于，包括步驟，A、準備好容...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉同華，陳亮，
申請(專利權)人：上海鼎虹電子有限公司，
類型：發明
國別省市：