本發(fā)明專利技術(shù)提供一種測試定位點制造方法、測試定位點及單板，其中，所述方法包括：于一單板上制作至少一測試定位點，所述測試定位點為滿足所述單板上單板測試點尺寸的光學(xué)定位點；在所述測試定位點上刻蝕一微孔；利用所述單板的內(nèi)層走線通過所述微孔將所述測試定位點的銅箔和所述單板的測試線路連通；利用銅填平所述微孔。本發(fā)明專利技術(shù)因為采用內(nèi)層走線將所述測試定位點的銅箔和所述單板的測試線路連通的技術(shù)手段，所以克服了單板設(shè)計時布局緊張的問題，進(jìn)而達(dá)到了使光學(xué)定位點和單板測試點合二為一為測試定位點，以產(chǎn)生有效節(jié)省單板布局空間的技術(shù)效果。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種測試定位點制造方法、測試定位 點及單板。
技術(shù)介紹
如圖1所示，是現(xiàn)有技術(shù)MARK點與單板測試點平面布局示意圖。裝備 測試是產(chǎn)品量產(chǎn)不可缺少的。單板IO產(chǎn)品量產(chǎn)時必須滿足加工效率的需求， 同時又要求保證產(chǎn)品功能的可測試性條件。單板測試點102可以很好的滿足 這種需求。單板測試點102是實現(xiàn)裝備測試的必備條件之一，其直接通過單 板外部走線104與測試線路105相連。單板測試點102要求在一定的安全距 離內(nèi)周圍不能有器件布局(稱為單板禁布區(qū)106)，以保證測試時測試針能夠 扎到單板測試點102上，且不會碰到周圍器件；同時由于單板測試點102受 裝備夾具制作能力的限制，為保證正常測試，單板測試點102的尺寸有明確 的要求(通常為1.22mm左右)，且單板測試點102之間的間距也有明確的距 離要求(通常為1.91mm左右)。光學(xué)定位點101，又稱MARK點101，是在產(chǎn)品加工時用來定位坐標(biāo)的 標(biāo)準(zhǔn)點，其一般比單板測試點102小。目前表面貼裝技術(shù)(SMT)產(chǎn)品線印 錫和貼片設(shè)備均采用光學(xué)定位系統(tǒng)，通過光學(xué)定位點101，判斷產(chǎn)品是否準(zhǔn)確 對位，以及判定單板上器件所在的位置。因此MARK點在產(chǎn)品設(shè)計時必不可 少，否則產(chǎn)品無法加工，MARK點是產(chǎn)品具有可加工性的前提條件。單板正 常加工時，要求至少布局兩個以上MARK點。單板在加工時，由于設(shè)備識別 能力的限制，對周圍器件距離MARK點也有一定的禁布區(qū)要求，該區(qū)域內(nèi)單板的表面不能有器件布局(稱為光學(xué)定位點禁布區(qū)103，該點一般比單板禁布區(qū)106小，通常意義上是直徑為3mm的圓，視設(shè)計情況有所不同)。隨著終端產(chǎn)品發(fā)展，形態(tài)越來越豐富，功能也越來越多，尺寸也越來越 小，因而產(chǎn)品主板布局已經(jīng)出現(xiàn)了寸土必爭的場面。在實現(xiàn)本專利技術(shù)過程中， 專利技術(shù)人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題由于MARK點101和單板測試點 102都有單板禁布區(qū)106的要求，該單板禁布區(qū)106在單板10上占據(jù)了較大 的空間，使得單板10的布局設(shè)計受到很大的限制。同時由于目前業(yè)界普遍采 用的單板測試點102與MARK點101多為圓形，容易引起設(shè)備識別的混淆。 可見，受單板禁布區(qū)106和設(shè)備識別的限制，在設(shè)計時要求MARK點101和 單板測試點102之間要盡可能遠(yuǎn)離，至少要保證一定的安全距離，這就造成 單板10設(shè)計時布局緊張，這與終端單板10目前的發(fā)展趨勢是相背離的。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)實施例的專利技術(shù)目的是為了解決單板設(shè)計時布局緊張的問題。 一方面，本專利技術(shù)實施例提供了一種測試定位點制造方法，所述方法包括 于一單板上制作至少一測試定位點，所述測試定位點為滿足所述單板上單板 測試點尺寸的光學(xué)定位點；在所述測試定位點上刻蝕一微孔；利用所述單板 的內(nèi)層走線通過所述微孔將所述 測試定位點的銅箔和所述單板的測試線路連 通；利用銅填平所述微孔。另一方面，本專利技術(shù)實施例還提供了一種測試定位點，所述測試定位點包 括銅箔和走線，所述銅箔滿足所述測試定位點所在單板上單板測試點的尺寸； 所述走線為所述單板的內(nèi)層走線，用于將所述測試定位點的銅箔和所述單板 的測試線路連通。再一方面，本專利技術(shù)實施例還提供了一種單板，所述單板包括至少一測試 定位點，所述測試定位點包括銅箔和走線；所述銅箔滿足所述測試定位點所 在單板上單板測試點的尺寸；所述走線為所述單板的內(nèi)層走線，用于將所述測試定位點的銅箔和所述單板的測試線路連通。上述技術(shù)方案具有如下有益效果因為采用內(nèi)層走線將所述測試定位點 的銅箔和所述單板的測試線路連通的技術(shù)手段，所以克服了單板設(shè)計時布局 緊張的問題，進(jìn)而達(dá)到了使光學(xué)定位點和單板測試點合二為一為測試定位點， 以產(chǎn)生有效節(jié)省單板布局空間的技術(shù)效果。附圖說明此處所說明的附圖用來提供對本專利技術(shù)的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部 分，并不構(gòu)成對本專利技術(shù)的限定。在附圖中圖1是現(xiàn)有技術(shù)MARK點與單板測試點平面布局示意圖； 圖2是本專利技術(shù)實施例一種測試定位點制造方法流程圖； 圖3是現(xiàn)有技術(shù)MARK點的剖面圖4為本專利技術(shù)實施例進(jìn)行微孔刻蝕和單板內(nèi)部走線的放大剖視圖5為本專利技術(shù)實施例測試定位點通過電鍍填平技術(shù)填平后的示意及放大圖6為本專利技術(shù)實施例MARK點與單板測試點共用后的測試定位點平面布 局示意圖。具體實施例方式為使本專利技術(shù)的目的、技術(shù)方案和有益效果更加清楚明白，下面結(jié)合實施 方式和附圖，對本專利技術(shù)做進(jìn)一步詳細(xì)說明。在此，本專利技術(shù)的示意性實施方式 及其說明用于解釋本專利技術(shù)，但并不作為對本專利技術(shù)的限定。實施例一如圖2所示，是本專利技術(shù)實施例一種測試定位點制造方法流程圖，所述方 法包括步驟201，于一單板上制作至少一測試定位點，所述測試定位點為滿足所述單板上單板測試點尺寸的光學(xué)定位點。可以于所述單板的板邊制作所述測試定位點。可以于所述單板上制作三 個所述測試定位點。步驟202，在所述測試定位點上刻蝕一微孔。可以利用激光在所述測試定位點上刻蝕所述微孔。步驟203，利用所述單板的內(nèi)層走線通過所述微孔將所述測試定位點的銅 箔和所述單板的測試線路連通。步驟204，利用銅填平所述微孔。 可以利用銅通過電鍍填平所述微孔。上述本專利技術(shù)實施例因為釆用內(nèi)層走線將所述測試定位點的銅箔和所述單 板的測試線路連通的技術(shù)手段，所以克服了單板設(shè)計時布局緊張的問題，進(jìn) 而達(dá)到了使光學(xué)定位點和單板測試點合二為一為測試定位點，以產(chǎn)生有效節(jié) 省單板布局空間的技術(shù)效果。實施例二-本實施例主要的目的在于通過設(shè)計實現(xiàn)方案的變更，解決單板測試點和 MARK點都需要安全禁布區(qū)的要求，使單板設(shè)計時布局緊張的問題，最大限 度的增加終端產(chǎn)品單板的布局面積。本實施例的實現(xiàn)方案是通過調(diào)整單板測試點和光學(xué)MARK點，使兩者實 現(xiàn)共用。通過將單板測試點和MARK點尺寸設(shè)計為一樣的尺寸的測試定位點， 所述測試定位點為滿足所述單板上單板測試點尺寸的光學(xué)定位點。如圖3所 示，是現(xiàn)有技術(shù)MARK點的剖面圖，在沒有制作微孔前，單板10上的MARK 點101上下兩層只是孤立的兩個銅箔。如圖4所示，為本專利技術(shù)實施例進(jìn)行微 孔刻蝕和單板內(nèi)部走線的放大剖視圖，通過制作微孔302 (微孔302的制作包 括打孔和在孔壁上電鍍)，實現(xiàn)上下兩層的連通，在該銅皮處把其通過內(nèi)層 走線301引出，并連接到測試線路。本實施例的實現(xiàn)方案使測試定位點在實 現(xiàn)MARK點本身功能的同時，同時完成單板測試點功能。如圖5所示，為本專利技術(shù)實施例測試定位點通過電鍍填平技術(shù)填平后的示 意及放大圖。通常情況下，測試定位點401為圓形，也可以不是圖示的圓形而是其他形狀。為了達(dá)到良好的光學(xué)識別效果，采用MARK點&單板測試點 二合一方案的測試定位點401，在其利用所述單板的內(nèi)層走線402通過所述微 孔將所述測試定位點401的銅箔和所述單板的測試線路403連通后，測試定 位點401在焊盤上的微孔推薦電鍍填平技術(shù)。電鍍填平是將微孔部分全部用 電鍍銅進(jìn)行填滿，這樣表面是完全的平面，這對測試定位點來說，在其應(yīng)用 MARK點功能時，對其識別更有利(MARK點是靠照相，和標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行對比， 相似度為多少判為合格，如果微孔沒有填平，相似度會下降，設(shè)備可能判錯， 不對該板進(jìn)行加工)。如圖6所示，為本專利技術(shù)實施例MARK點與單板測試點共用后的測試定位 點平面布局示意圖。單板測試點的位置是可本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
一種測試定位點制造方法，其特征在于，所述方法包括： 于一單板上制作至少一測試定位點，所述測試定位點為滿足所述單板上單板測試點尺寸的光學(xué)定位點； 在所述測試定位點上刻蝕一微孔； 利用所述單板的內(nèi)層走線通過所述微孔將所述測試定位點的銅箔和所述單板的測試線路連通； 利用銅填平所述微孔。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：杜紅娜，涂凌志，
申請(專利權(quán))人：華為終端有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：94[中國|深圳]
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