【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種磷光有機(jī)電致發(fā)光材料及發(fā)光器件
[0001]本專利技術(shù)涉及有機(jī)電致發(fā)光器件
,具體公開了一種磷光有機(jī)電致發(fā)光材料,同時還公開了包括該磷光有機(jī)電致發(fā)光材料的電致發(fā)光器件。
技術(shù)介紹
[0002]有機(jī)電致發(fā)光(OLED)是指有機(jī)材料在電流或電場的激發(fā)作用下的電致發(fā)光現(xiàn)象,根據(jù)此原理制成的器件稱為有機(jī)電致發(fā)光器件。與現(xiàn)在通用的場發(fā)射顯示(FED)、液晶顯示(LCD)、等離子體顯示(PDP)等平板顯示技術(shù)相比,有機(jī)電致發(fā)光器件具有以下特點:材料采用有機(jī)物/高分子,因而選擇范圍寬,可實現(xiàn)從紅光到藍(lán)光的任何顏色的顯示;驅(qū)動電壓低,發(fā)光亮度和發(fā)光效率高,可制成柔性顯示器件;響應(yīng)速度快,發(fā)光視角寬;器件超薄,體積小、重量輕;更為重要的是,有機(jī)發(fā)光材料以其固有的多樣性為材料選擇提供了寬廣的范圍,通過對有機(jī)分子結(jié)構(gòu)的設(shè)計、組裝和剪裁,能夠滿足多方面不同的需要和易于實現(xiàn)大面積顯示。
[0003]一般而言,在陰、陽電極之間插入一層或多層超薄的有機(jī)半導(dǎo)體薄膜就形成了典型的OLED器件結(jié)構(gòu)。目前,大多數(shù)小分子器件結(jié)構(gòu)均采用多層薄膜結(jié)構(gòu),每一層都具有特殊的功能。根據(jù)功能的不同,可將有機(jī)薄膜分為空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層,其對應(yīng)的有機(jī)材料分別為空穴注入材料、空穴傳輸材料、電子阻擋材料、主體材料和摻雜材料、空穴阻擋材料、電子傳輸材料和電子注入材料。在高透光性的ITO陽極和具有高反射率的金屬陰極間施加電場時,空穴會從功函數(shù)較高的陽極、電子則從功函數(shù)較低的陰極分別注入到相鄰的有機(jī)材料中 ...
【技術(shù)保護(hù)點】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種磷光有機(jī)電致發(fā)光材料,其特征在于,包括:主體材料和摻雜材料,所述主體材料包括第一主體化合物和第二主體化合物;所述第一主體化合物、第二主體化合物和所述摻雜材料分別具有通式(I)、通式(II)和通式(III)所示的結(jié)構(gòu):其中:通式(I)中,Ar1、Ar2分別獨立地選自取代或未取代的C6~C
60
芳基,Ar1、Ar2可以相同,也可以不同;Ar3選自取代或未取代的C1~C6亞烷基、C6~C
60
亞芳基,m為0或1;Rp1、Rp2分別代表單取代至最大允許取代數(shù)的取代基團(tuán),Rp1、Rp2分別獨立地選自氫、氘、鹵素、氨基、C1~C
20
鏈狀烷基、C3~C
20
環(huán)烷基、C3~C
20
烷氧基、C3~C
20
硅烷基、C3~C
20
烷氨基、C6~C
60
芳胺基、C3~C
60
雜芳胺基、C6~C
60
芳基、C3~C
60
雜芳基中的一種或幾種的組合;Rp1、Rp2可以各自獨立地與相連接的苯環(huán)稠合成環(huán)或不稠合成環(huán);通式(ⅠI)中,X選自O(shè)、S或Se;Y1、Y2、Y3各自獨立地選自N或CH,Y1、Y2、Y3相同或不同,且Y1、Y2、Y3不同時為CH;RN1、RN2、RN3各自獨立地代表氫、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基,所述苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基中至少一個氫可以進(jìn)一步被氘、C1?
C4烷基或苯基取代,RN1、RN2、RN3相同或不同,且當(dāng)RN1為氫時,RN2、RN3不同時為氫;RN4選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基,所述苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基中至少一個氫可以進(jìn)一步被氘、C1?
C4烷基或苯基取代;通式(ⅠII)中,Z選自O(shè)、S或Se;q為0、1、2、3或4;k為0或1;Rc1、Rc2分別獨立地選自氫、氘、鹵素、C1~C
20
鏈狀烷基、C3~C
20
環(huán)烷基、C1~C
20
烷氧基、C6~C
60
芳氧基、C1~C
20
烷硅基、C6~C
60
芳基、C3~C
60
雜芳基,當(dāng)Rc1、Rc2為多個時,相鄰的兩個Rc1、Rc2之間連接成環(huán)或不連接成環(huán);X1、X2、X3、X4、X5和X6各自獨立地選自C、CR或N;Rc3~Rc
10
分別獨立地選自氫、氘、鹵素、C1~C
20
鏈狀烷基、C3~C
20
環(huán)烷基、C1~C
20
烷氧基、C6~C
60
芳氧基、C1~C
20
烷硅基、C6~C
60
芳基、C3~C
60
雜芳基,Rc3~Rc
10
中相鄰的兩個之間可以通過橋連形成并環(huán)結(jié)構(gòu);其中,C1~C
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鏈狀
烷基、C3~C
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環(huán)烷基、C1~C
20
烷氧基、C6~C
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:曹占廣,呼建軍,溫潔,石志亮,李小贏,班全志,杭德余,
申請(專利權(quán))人:北京云基科技有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:
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