發光裝置制造方法及圖紙

本公開提供一種發光裝置，上述發光裝置包括發光元件。上述發光裝置亦包括波長轉換元件，其設置于發光元件上，波長轉換元件在第一波長具有第一折射率。上述發光裝置更包括遮光元件，其圍繞波長轉換元件。遮光元件在第一波長具有第二折射率。其中，第二折射率大于第一折射率。折射率。折射率。

【技術實現步驟摘要】
發光裝置
[0001]本申請是2019年7月1日申請的，申請號為“201910585041.4”，專利技術名稱為“發光裝置”的中國專利技術專利申請的分案申請


[0002]本公開是有關于發光裝置，且特別是有關于具有發光二極管的發光裝置。

技術介紹

[0003]隨著數字科技的發展，發光裝置已被廣泛地應用在日常生活的各個層面中，例如其已廣泛應用于電視、筆記本、電腦、行動電話、智慧型手機等現代化信息設備，且此發光裝置不斷朝著輕、薄、短小及時尚化方向發展。而此發光裝置包括發光二極管發光裝置。
[0004]發光二極管中的電子和電洞的再結合可借由p
?
n接面的電流產生電磁輻射(例如光)。例如，在由例如GaAs或GaN的直接帶隙材料形成的正向偏壓p
?
n接面中，注入空泛區的電子和電洞的結合引發電磁輻射。上述電磁輻射可以位于可見光區或非可見光區。不同帶隙的材料可用于形成不同顏色的發光二極管。
[0005]在現今微發光二極管發光裝置產業皆朝大量生產的趨勢邁進的情況下，任何微發光二極管發光裝置的生產成本的減少皆可帶來巨大的經濟效益。然而，目前的發光裝置并非各方面皆令人滿意。
[0006]因此，需要可以進一步提高產量的發光二極管和由發光二極管制造的發光裝置。

技術實現思路

[0007]本公開提供一種發光裝置，包括一基底、一發光元件、一波長轉換元件、一遮光元件、以及一濾光層。基底具有一表面。發光元件，設置于表面上。波長轉換元件設置于發光元件上。遮光元件圍繞波長轉換元件。遮光元件包括一光阻元件、以及一覆蓋層。光阻元件包括遮光材料。覆蓋層覆蓋光阻元件的表面。濾光層，設置于波長轉換元件上。濾光層于表面的法線方向上重疊光阻元件。
附圖說明
[0008]為讓本專利技術的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，以下結合附圖對本專利技術的具體實施方式作詳細說明，其中：
[0009]圖1A
?
1G為根據本公開的一些實施例，形成發光裝置的制程的各階段的剖面示意圖；
[0010]圖2A
?
2D為根據本公開的一些實施例，形成包含光轉換元件和遮光元件的結構的制程的各階段的剖面示意圖；
[0011]圖3A
?
3D為根據本公開的一些實施例，形成包含光轉換元件和遮光元件的結構的制程的各階段的剖面示意圖；
[0012]圖4為根據本公開的一些實施例的發光裝置的剖面示意圖；
[0013]圖5為根據本公開的一些實施例的包含光轉換元件和遮光元件的結構的剖面示意圖；
[0014]圖6A、6B為根據本公開的一些實施例，形成發光裝置的制程的各階段的剖面示意圖；
[0015]圖7為根據本公開的一些實施例的包含光轉換元件和遮光元件的結構的剖面示意圖；
[0016]圖8為根據本公開的一些實施例的發光裝置的剖面示意圖；
[0017]圖9為根據本公開的一些實施例的發光裝置的剖面示意圖；
[0018]圖10為根據本公開的一些實施例的發光裝置的剖面示意圖；
[0019]圖11為根據本公開的一些實施例的發光裝置的剖面示意圖；
[0020]圖12為根據本公開的一些實施例的發光裝置的剖面示意圖。
[0021]圖1A
?
12中附圖標記說明如下：
[0022]100A～100G 發光裝置
[0023]102 成長基底
[0024]104 發光元件
[0025]104T 側面
[0026]106 導電墊
[0027]108 承載基底
[0028]110 粘著層
[0029]112 支撐結構
[0030]114 轉移頭
[0031]116 切割道
[0032]118 基底
[0033]120 電路層
[0034]122 遮光元件
[0035]122S 側面
[0036]122T 上表面
[0037]124、126、128 色轉換元件
[0038]130 濾光層
[0039]130S 上表面
[0040]132 保護層
[0041]134 覆蓋層
[0042]136 承載基底
[0043]138 遮光層
[0044]139 光阻元件
[0045]140 覆蓋層
[0046]142 平坦層
[0047]144 有源元件
[0048]146 導線
[0049]148 柵極絕緣層
[0050]150 源極電極
[0051]152 漏極電極
[0052]154 柵極電極
[0053]156 導電膜
[0054]158 導電粒子
[0055]160 粘著層
[0056]162 有源元件
[0057]164 導線
[0058]166 散射粒子
[0059]168 微結構
[0060]170、170
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半透層
[0061]200A～200D 結構
具體實施方式
[0062]以下針對本公開一些實施例的元件基板、發光裝置及發光裝置的制造方法作詳細說明。應了解的是，以下的敘述提供許多不同的實施例或例子，用以實施本公開一些實施例的不同樣態。以下所述特定的元件及排列方式僅為簡單清楚描述本公開一些實施例。當然，這些僅用以舉例而非本公開的限定。此外，在不同實施例中可能使用重復的標號或標示。這些重復僅為了簡單清楚地敘述本公開一些實施例，不代表所討論的不同實施例及/或結構之間具有任何關聯性。再者，當述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸的情形。或者，亦可能間隔有一或更多其它材料層的情形，在此情形中，第一材料層與第二材料層之間可能不直接接觸。
[0063]此外，實施例中可能使用相對性的用語，例如「較低」或「底部」及「較高」或「頂部」，以描述附圖的一個元件對于另一元件的相對關系。能理解的是，如果將附圖的裝置翻轉使其上下顛倒，則所敘述在「較低」側的元件將會成為在「較高」側的元件。
[0064]在此，「約」、「大約」、「大抵」的用語通常表示在一給定值或范圍的20％之內，較佳是10％之內，且更佳是5％之內，或3％之內，或2％之內，或1％之內，或0。5％之內。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明「約」、「大約」、「大抵」的情況下，仍可隱含「約」、「大約」、「大抵」的含義。
[0065]能理解的是，雖然在此可使用用語「第一」、「第二」、「第三」等來敘述各種元件、組成成分、區域、層、及/或部分，這些元件、組成成分、區域、層、及/或部分不應被這些用語限定，且這些用語僅是用來區別不同的元件、組成成分、區域、層、及/或部分。因此，以下討論的一第一元件、組成成分、區域、層、及/或部分可在不偏離本公開一些實施例的啟示的情況下被稱為一第本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種發光裝置，包括：一基底，具有一表面；一發光元件，設置于該表面上；一波長轉換元件，設置于該發光元件上；一遮光元件，圍繞該波長轉換元件，其中該遮光元件包括：一光阻元件，包括遮光材料；以及一覆蓋層，覆蓋該光阻元件的表面；以及一濾光層，設置于該波長轉換元件上，其中該濾光層于該表面的法線方向上重疊該光阻元件。2.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，該覆蓋層包括硅。3.如權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，該覆蓋層覆蓋該光阻元件的上表面與側面。4.如權利要求3所述的發光裝置，更...

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳嘉源，蔡宗翰，李冠鋒，樂瑞仁，
申請(專利權)人：群創光電股份有限公司，
類型：發明
國別省市：