一種Micro-LED顯示面板及其制備方法技術

本發明專利技術涉及一種Micro

【技術實現步驟摘要】
一種Micro
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LED顯示面板及其制備方法


[0001]本專利技術涉及LED封裝顯示
，具體涉及一種Micro
?
LED顯示面板。

技術介紹

[0002]傳統的有機顯示面板結構，其有機發光層的穩定性較差，因此顯示面板的壽命較短，且驅動電壓較大，不利于降低能耗。因此，Micro
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LED顯示面板被廣泛研究，其具有能耗小，壽命長，發光溫度，體積小等優點。
[0003]但是現有的Micro
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LED顯示面板因為其體積小，在轉移時不易對準和吸附，不利于Micro
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LED芯片的巨量轉移效率和可靠性，且其排布的方式對顯示效果影響很大。

技術實現思路

[0004]本專利技術的目的是克服上述現有技術的不足，提供一種Micro
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LED顯示面板，包括基以及設置在所述基板上的Micro
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LED芯片陣列；所述Micro
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LED芯片陣列包括多列第一顏色LED芯片、多列第二顏色LED芯片和多列第三顏色LED芯片，多列第一顏色LED芯片、多列第二顏色LED芯片和多列第三顏色LED芯片在行方向依次循環排布；并且多列第一顏色LED芯片包括多個第一顏色LED芯片，多列第二顏色LED芯片包括多個第二顏色LED芯片，多列第三顏色LED芯片包括多個第三顏色LED芯片；每個第一顏色LED芯片、第二顏色LED芯片和第三顏色LED芯片均包括在列方向上對稱且依次排列的第一發光結構和第二發光結構；其中，在行方向上，每種顏色LED芯片與兩個不同顏色的LED芯片部分重疊，且所述第一發光結構和第二發光結構依次間隔排布。
[0005]作為優選的方案，俯視觀察時，所述第一發光結構和所述第二發光結構組成沙漏形狀，所述第一發光結構和所述第二發光結構分別呈三角形、半橢圓形或梯形，且所述第一發光結構和所述第二發光結構的發光面積在朝向對稱軸的方向上逐漸變小。
[0006]作為優選的方案，在每個LED芯片中，所述第一發光結構和第二發光結構均包括在襯底層上的外延結構，所述外延結構包括N型外延層、發光層和P型外延層。
[0007]作為優選的方案，在每個LED芯片中，所述P型外延層上具有第一電極，在所述外延結構的外側具有隔離結構，且在隔離結構的外側具有第二電極；所述第二電極位于所述沙漏形狀的窄部的兩側。
[0008]作為優選的方案，俯視觀察時，在每個LED芯片中，所述襯底層呈兩頭寬中間窄的形狀，且所述襯底層的窄部形成為內凹部。
[0009]作為優選的方案，在行方向上相鄰的兩個不同顏色的LED芯片，其中一個LED芯片的一個頂角嵌入于另一個LED芯片的內凹部中。
[0010]作為優選的方案，在列方向上，相鄰的兩個相同顏色的LED芯片之間具有一擋墻；在行方向上，所述擋墻的長度大于或等于每個LED芯片的寬度。
[0011]作為優選的方案，所述擋墻的高度大于每個LED芯片的高度。
[0012]本專利技術的有益效果在于：
本專利技術利用具有對稱設置的兩個發光結構的Micro
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LED芯片作為單個芯片進行LED顯示面板的組裝，其不但可以保證電連接的便捷性，且每個發光結構作為子像素構成部分，保證發光的均勻性，且減小子像素之間的距離，提高分辨率。特別的，在相同顏色的Micro
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LED芯片之間還設置擋墻，以保證RGB組成的像素點的出光獨立性。
附圖說明
[0013]圖1為本專利技術Micro
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LED顯示面板的多個Micro
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LED芯片排布圖。
[0014]圖2為沿著圖1的A1A2線的截面圖。
[0015]圖3為沿著圖1的B1B2線的截面圖。
[0016]圖4為本專利技術的單個Micro
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LED芯片結構的俯視圖。
[0017]圖5為本專利技術的單個Micro
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LED芯片結構的剖視圖。
[0018]附圖標記說明10
??
Micro
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LED芯片10；20
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擋墻；11
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襯底；12
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N型外延層；13
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發光層；14
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P型外延層；15
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P電極；16
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N電極；17
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絕緣層；R
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第一顏色LED芯片；G
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第二顏色LED芯片；B
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第三顏色LED芯片。
具體實施方式
[0019]為了便于理解本申請，下面將參照相關附圖對本申請進行更全面的描述。附圖中給出了本申請的較佳實施方式。但是，本申請可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施方式。相反地，提供這些實施方式的目的是使對本申請的公開內容理解的更加透徹全面。
[0020]如圖1
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5所示，本實施例提供一種Micro
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LED顯示面板，包括基板上的Micro
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LED芯片陣列，該基板中包括多個驅動TFT元件和驅動電路，其電連接至Micro
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LED芯片陣列以驅動芯片發光形成顯示結構。
[0021]Micro
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LED芯片陣列包括多個Micro
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LED芯片10，多個Micro
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LED芯片10包括至少三種顏色的LED芯片，例如圖中所示出的多列第一顏色LED芯片R、多列第二顏色LED芯片G和多列第三顏色LED芯片B，多列第一顏色LED芯片R、多列第二顏色LED芯片G和多列第三顏色LED芯片B在行方向依次循環排布。
[0022]如圖1所示，俯視觀察時，每個Micro
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LED芯片10均呈沙漏形狀，其長度方向為列方向，其寬度方向為行方向。參見圖5，每個Micro
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LED芯片10均包括襯底11以及襯底11上的功
能層。襯底11可以是透明襯底，以形成倒裝結構。襯底11上包括N型外延層12、發光層13和P型外延層14等功能層。
[0023]其中，襯底11的面積可以比發光層13和P型外延層14的面積更大，但是襯底11的面積等于N型外延層12的面積，即使得N型外延層12完全覆蓋襯底11的上表面。襯底11的形狀可以是沙漏結構，具體的可以參見圖4，在Micro
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LED芯片10的長度方向上呈現由寬變窄再變寬的對稱結構，具體的，其可以是兩個等腰梯形的拼接結構。
[0024]每個Micro
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LED芯片10具有兩個在其長度方向上對稱排列的兩個發光結構，每個發光結構可以均呈三角形或梯形或半個橢圓形或半個圓形的形狀。每個Micro
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LED芯片10的兩個發光結構也構成為沙漏形狀，并且，沙漏形狀的構成主要由刻蝕形成的發光本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種Micro
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LED顯示面板，包括基板以及設置在所述基板上的Micro
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LED芯片陣列；所述Micro
?
LED芯片陣列包括多列第一顏色LED芯片、多列第二顏色LED芯片和多列第三顏色LED芯片，多列第一顏色LED芯片、多列第二顏色LED芯片和多列第三顏色LED芯片在行方向依次循環排布；并且多列第一顏色LED芯片包括多個第一顏色LED芯片，多列第二顏色LED芯片包括多個第二顏色LED芯片，多列第三顏色LED芯片包括多個第三顏色LED芯片；每個第一顏色LED芯片、第二顏色LED芯片和第三顏色LED芯片均包括在列方向上對稱且依次排列的第一發光結構和第二發光結構；其中，在行方向上，每種顏色LED芯片與兩個不同顏色的LED芯片部分重疊，且所述第一發光結構和第二發光結構依次間隔排布。2.根據權利要求1所述的Micro
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LED顯示面板，其特征在于：俯視觀察時，所述第一發光結構和所述第二發光結構組成沙漏形狀，所述第一發光結構和所述第二發光結構分別呈三角形、半橢圓形或梯形，且所述第一發光結構和所述第二發光結構的發光面積在朝向對稱軸的方向上逐漸變小。3.根據權利要求2所述的Micro
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LED顯...

【專利技術屬性】
技術研發人員：羅雪方，陳文娟，羅子杰，
申請(專利權)人：羅化芯顯示科技開發江蘇有限公司，
類型：發明
國別省市：