激光發射組件、硅光集成芯片及激光器制造技術

本實用新型專利技術涉及一種激光發射組件、硅光集成芯片和激光器，其中，激光發射組件包括：帶通濾波器、分路器、第一微環調制器、第二微環調制器以及公用波導；帶通濾波器對光信號濾波并輸出；分路器將來自帶通濾波器的光信號分光為第一和第二光信號；第一光信號一部分向外輸出，另一部分依次經第一微環調制器、公用波導、第二微環調制器和分路器后返回至帶通濾波器中；第二光信號一部分向外輸出，另一部分依次經第二微環調制器、公用波導、第一微環調制器和分路器后返回至帶通濾波器中；其中，第一和第二微環調制器對光信號的調制方向相反。本實用新型專利技術的調制信號的質量高。型的調制信號的質量高。型的調制信號的質量高。

【技術實現步驟摘要】
激光發射組件、硅光集成芯片及激光器


[0001]本技術涉及激光
，特別是涉及一種激光發射組件、硅光集成芯片及激光器。

技術介紹

[0002]隨著激光技術的發展，而硅光芯片因為其體積小、易于集成等優勢，在光通信中領域中受到越來越多的重視，被廣泛視為下一代網絡中的關鍵技術。而應用上述硅光芯片的外腔式直調激光器正向著體積小，功耗低，速度快的趨勢發展。
[0003]相關技術中，目前已經實現了將微環調制器作為外腔反射鏡與半導體光放大器(Reflective Semiconductor Optical Amplifier，簡稱RSOA，即半導體增益芯片)通過混合集成的方式實現外腔式直調激光器，微環諧振腔既作為激光器的反射腔也做為調制器，通過微環調制器的調制作用，對激光器的輸出進行調制。
[0004]然而，當采用調制微環諧振腔時，微環諧振腔發生波長漂移，使得激光器增益介質芯片的反射率也隨之改變，從而導致激光器產生跳模現象，降低了激光器的調制信號的質量。

技術實現思路

[0005]基于此，有必要針對上述調制信號質量低的問題，提供一種激光發射組件、硅光集成芯片及激光器。
[0006]第一方面，本技術提供一種激光發射組件，其包括帶通濾波器、分路器、第一微環調制器、第二微環調制器以及公用波導；所述分路器的其中一端與所述帶通濾波器耦合，其另外一端分別與所述第一微環調制器和所述第二微環調制器耦合，所述公用波導將所述第一微環調制器和所述第二微環調制器耦合；其中：
[0007]所述帶通濾波器，用于與外部的半導體光放大器耦合，將來自所述半導體光放大器的光信號進行濾波處理，或將從所述分路器返回的光信號進行濾波處理后輸出至半導體光放大器；
[0008]所述分路器，用于將來自所述帶通濾波器的光信號分光為第一光信號和第二光信號；
[0009]所述第一光信號的其中一部分光信號向外輸出，另一部分光信號耦合至所述第一微環調制器中，并依次經所述公用波導、所述第二微環調制器和所述分路器后返回至所述帶通濾波器中；
[0010]所述第二光信號的其中一部分光信號向外輸出，另一部分光信號耦合至所述第二微環調制器中，并依次經所述公用波導、所述第一微環調制器和所述分路器后返回至所述帶通濾波器中；
[0011]其中，所述第一微環調制器對光信號的調制方向和所述第二微環調制器對光信號的調制方向相反。
[0012]在其中一個實施例中，所述帶通濾波器包括模式轉換器以及布拉格光柵，所述布拉格光柵與所述模式轉換器耦合，所述模式轉換器還分別與所述分路器和所述半導體光放大器耦合，其中：
[0013]所述模式轉換器，用于將來自所述半導體光放大器的光信號輸入至所述布拉格光柵中進行濾波，將濾波后的光信號進輸出至所述分路器；或，用于將由所述分路器返回的光信號輸入至所述布拉格光柵中進行濾波，對濾波后的光信號輸出至所述半導體光放大器。
[0014]在其中一個實施例中，所述模式轉換器包括第一端、第二端以及第三端，其中：
[0015]所述模式轉換器的第一端，用于接收第一模式的光信號；其中，所述第一模式的光信號為來自所述半導體光放大器的光信號或由所述分路器返回的光信號；
[0016]所述模式轉換器的第二端，用于將所述第一模式的光信號輸入至所述布拉格光柵中進行濾波后，接收由所述布拉格光柵反射的第二模式的光信號；
[0017]所述模式轉換器的第三端，用于將所述由第二模式的光信號轉換得到的第一模式的光信號輸出至所述半導體光放大器或所述分路器。
[0018]在其中一個實施例中，所述分路器包括第一傳輸波導、第二傳輸波導以及第三傳輸波導，所述第一傳輸波導與所述帶通濾波器耦合，所述第二傳輸波導和所述第三傳輸波導分別與所述第一傳輸波導耦合，且所述第二傳輸波導與所述第一微環調制器耦合，所述第三傳輸波導與所述第二微環調制器耦合。
[0019]在其中一個實施例中，所述第一微環調制器包括第一微環諧振腔以及第一加熱電極，所述第一微環諧振腔與所述第二傳輸波導耦合，所述第一加熱電極與所述第一微環諧振腔耦合，用以調節所述第一微環諧振腔的諧振峰；
[0020]所述第二微環調制器包括第二微環諧振腔和第二加熱電極，所述第二微環諧振腔與所述第三傳輸波導耦合，所述第二加熱電極與所述第二微環諧振腔耦合，用以調節所述第二微環諧振腔的諧振峰。
[0021]在其中一個實施例中，所述激光發射組件還包括相移器，所述相移器耦合至所述帶通濾波器與所述分路器之間，所述相移器用于調節所述帶通濾波器對光信號的工作波長。
[0022]在上述激光發射組件中，通過第一和第二微環調制器與半導體光放大器之間集成有帶通濾波器，帶通濾波器能夠有效地抑制由于邊模抑制比下降與半導體光放大器的諧振峰漂移等因素而引起的跳?，F象，有利于提高經激光發射組件發射的調制信號的質量。
[0023]第二方面，本技術提供了一種硅光集成芯片，上述的激光發射組件集成于所述硅光集成芯片上。
[0024]在其中一個實施例中，所述硅光集成芯片中的三五族材料與硅材料之間通過氮化硅材料連接。
[0025]在上述硅光集成芯片中，通過上述激光發射組件的設置，能夠保證由硅光集成芯片發射的調制信號的質量。
[0026]第三方面，本技術提供了一種激光器，其包括上述的硅光集成芯片以及半導體光放大器，所述硅光集成芯片的帶通濾波器與所述半導體光放大器耦合。
[0027]在其中一個實施例中，所述半導體光放大器通過端面耦合或光柵耦合的方式與所述帶通濾波器耦合。
[0028]在上述激光器中，通過上述硅光集成芯片的設置，能夠保證由激光器發射的調制信號的質量。
附圖說明
[0029]為了更清楚地說明本申請實施例或傳統技術中的技術方案，下面將對實施例或傳統技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1為一個實施方式的激光發射組件的模塊結構示意圖；
[0031]圖2為一個實施方式的帶通濾波器的結構示意圖；
[0032]圖3為一個實施方式的激光發射組件的具體結構示意圖。
具體實施例
[0033]為使本技術的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本技術的具體實施例做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本技術。但是本技術能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本技術內涵的情況下做類似改進，因此本技術不受下面公開的具體實施例的限制。
[0034]在本技術的描述中，需要理解的是，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種激光發射組件，其特征在于，其包括帶通濾波器、分路器、第一微環調制器、第二微環調制器以及公用波導；所述分路器的其中一端與所述帶通濾波器耦合，其另外一端分別與所述第一微環調制器和所述第二微環調制器耦合，所述公用波導將所述第一微環調制器和所述第二微環調制器耦合；其中：所述帶通濾波器，用于與外部的半導體光放大器耦合，將來自所述半導體光放大器的光信號進行濾波處理，或將從所述分路器返回的光信號進行濾波處理后輸出至半導體光放大器；所述分路器，用于將來自所述帶通濾波器的光信號分光為第一光信號和第二光信號；所述第一光信號的其中一部分光信號向外輸出，另一部分光信號耦合至所述第一微環調制器中，并依次經所述公用波導、所述第二微環調制器和所述分路器后返回至所述帶通濾波器中；所述第二光信號的其中一部分光信號向外輸出，另一部分光信號耦合至所述第二微環調制器中，并依次經所述公用波導、所述第一微環調制器和所述分路器后返回至所述帶通濾波器中；其中，所述第一微環調制器對光信號的調制方向和所述第二微環調制器對光信號的調制方向相反。2.根據權利要求1所述的激光發射組件，其特征在于，所述帶通濾波器包括模式轉換器以及布拉格光柵，所述布拉格光柵與所述模式轉換器耦合，所述模式轉換器還分別與所述分路器和所述半導體光放大器耦合，其中：所述模式轉換器，用于將來自所述半導體光放大器的光信號輸入至所述布拉格光柵中進行濾波，將濾波后的光信號進輸出至所述分路器；或，用于將由所述分路器返回的光信號輸入至所述布拉格光柵中進行濾波，對濾波后的光信號輸出至所述半導體光放大器。3.根據權利要求2所述的激光發射組件，其特征在于，所述模式轉換器包括第一端、第二端以及第三端，其中：所述模式轉換器的第一端，用于接收第一模式的光信號；其中，所述第一模式的光信號為來自所述半導體光放大器的光信號或由所述分路器返回的光信號；所述模式轉換器的第二端，用于將所述第一模式的光信號輸...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李晨蕾，鄭學哲，
申請(專利權)人：蘇州旭創科技有限公司，
類型：新型
國別省市：