一種晶片切割供液系統及供液方法技術方案

本發明專利技術提供一種晶片切割供液系統及供液方法，屬于切割液處理技術領域，其中，晶片切割供液系統包括：切片結構；供液結構，所述供液結構的供液端通過過濾結構與所述切片結構的進液端相連通，所述切片結構的排液端與所述供液結構的集液端相連通；調節系統，設置于所述供液結構的下游，所述調節系統適于接收所述供液結構的排放端排放的含粉冷卻液，并對含粉冷卻液過濾及調配后，由所述供液結構的回流端返回所述供液結構。本發明專利技術提供的一種晶片切割供液系統，能夠保證供液結構內的冷卻液具有較低的晶粉濃度，并且降低了對切片結構以及切割后的晶片的清洗難度，節約時間和成本。節約時間和成本。節約時間和成本。

【技術實現步驟摘要】
一種晶片切割供液系統及供液方法


[0001]本專利技術涉及切割液處理
，具體涉及一種晶片切割供液系統及供液方法。

技術介紹

[0002]隨著光伏太陽能市場的發展變化，太陽能電池不斷地向高效率低成本發展，單晶硅作為適合的半導體材料，在光伏太陽能發電行業有廣泛的應用。當前光伏行業，采用金剛線技術進行硅片切割，切割過程中使用水溶性冷卻液進行排渣與降溫，現有的冷卻液供液方式通常為離線切割和大循環供液兩種方式。具體的，離線切割是指在切片機的供液缸中，按一定比例配置冷卻液溶液，切割過程中溶液在供液缸內循環使用，切割完成后廢棄，進行污水處理；大循環供液是指通過外置配液罐配置好冷卻液溶液，通過泵抽送一定量的溶液至切片機的供液缸，切割過程中溶液在供液缸內循環使用，切割完成后的廢液排放至收集池，再通過泵抽送至壓濾設備并在壓濾后進入配液罐，進行PH、濃度調節，重復使用。
[0003]以上兩種供液方式均為冷卻液在切片機的供液缸內循環使用，也即采用切片機供液內循環模式。隨著切割的進行，供液缸內硅粉濃度逐步升高，在切割過程中，部分硅粉會在切片機供液缸或切片機其他零部件內形成固化沉淀，造成切割過程中跳線、斷線，同時每次切割完畢需使用一定時間進行沖洗，并且每隔一定切割刀次需要進行一次徹底清洗，浪費時間，影響切割效率。并且，由于冷卻液中硅粉的濃度較高，冷卻液在使用過程中冷卻液中的硅粉會附著在硅片表面，因此，在硅片清洗工序需延長噴淋沖洗時間、以及增加化學清洗藥劑用量進行清洗，造成水資源的浪費及成本增加。

技術實現思路

[0004]因此，本專利技術要解決的技術問題在于克服現有技術中晶片切割過程中冷卻液晶粉濃度高，造成時間與成本浪費的缺陷，從而提供一種晶片切割供液系統及供液方法。
[0005]為了解決上述問題，本專利技術提供了一種晶片切割供液系統，包括：切片結構；供液結構，所述供液結構的供液端通過過濾結構與所述切片結構的進液端相連通，所述切片結構的排液端與所述供液結構的集液端相連通；調節系統，設置于所述供液結構的下游，所述調節系統適于接收所述供液結構的排放端排放的含粉冷卻液，并對含粉冷卻液過濾及調配后，由所述供液結構的回流端返回所述供液結構。
[0006]可選地，所述調節系統包括壓濾結構，所述壓濾結構位于所述供液結構的下游，所述壓濾結構適于對所述供液結構排放的含粉冷卻液進行壓濾。
[0007]可選地，所述調節系統還包括調配結構，所述調配結構位于所述壓濾結構的下游，所述調配結構適于將壓濾后的冷卻液調配形成初始冷卻液。
[0008]可選地，所述調節系統還包括廢液罐，所述廢液罐的進液端與所述供液結構的排放端相連通，所述廢液罐的排液端與所述壓濾結構相連通。
[0009]可選地，所述調節系統還包括中轉罐，所述中轉罐的進液端與所述壓濾結構相連通，所述中轉罐的排液端與所述調配結構相連通。
[0010]可選地，所述調節系統還包括成品罐，所述成品罐的進液端與所述調配結構相連通，所述成品罐的排液端與所述供液結構的回流端相連通。
[0011]本專利技術還提供了一種晶片切割供液方法，包括：在切片結構切割過程中，供液結構內的冷卻液經過濾結構過濾后通入至切片結構，使用后的含粉冷卻液由切片結構重新返回至供液結構內，通過供液結構為切片結構循環供液；供液結構內的含粉冷卻液排放至調節系統，通過調節系統對含粉冷卻液進行過濾和調配形成初始冷卻液，并重新通入至供液結構內。
[0012]可選地，含粉冷卻液排放至調節系統的流量與初始冷卻液重新通入至供液結構的流量相同。
[0013]可選地，供液結構內的含粉冷卻液經過壓濾結構進行壓濾，壓濾后的冷卻液容量保留至原有含粉冷卻液容量的80％
?
90％。
[0014]可選地，壓濾后的冷卻液通入調配結構內，在調配結構內補入冷卻液原液和去離子水，使調配后的冷卻液的PH值范圍為5.5
?
7，電導率小于20us/cm，冷卻液濃度范圍為1.2％
?
1.8％。
[0015]本專利技術具有以下優點：
[0016]1.本專利技術提供的一種晶片切割供液系統，在切片結構切割晶片過程中，使用供液結構為切片結構提供冷卻液，使用完成的冷卻液再流回至供液結構，并且，使用調節系統將供液結構內使用后的冷卻液引出并進行調配，再將調配后的冷卻液重新通入供液結構以供切割過程使用，因此，能夠保證供液結構內的冷卻液具有較低的晶粉粉末濃度，并且降低了對切片結構以及切割后的晶片的清洗難度，節約時間和成本。
[0017]2.本專利技術提供的一種晶片切割供液系統，利用壓濾結構對含粉冷卻液進行壓濾，能夠去除含粉冷卻液中的晶粉粉末，并將部分污水引出，以為后續冷卻液的調配做好準備。
[0018]3.本專利技術提供的一種晶片切割供液系統，通過調配結構在壓濾后的冷卻液內補入冷卻液原液和去離子水，以將冷卻液調配至初始狀態，保證冷卻液處于適當的使用狀態。
[0019]4.本專利技術提供的一種晶片切割供液系統，通過設置廢液罐、中轉罐以及成品罐，以對各個部件的工作效率進行調節，保證系統使用的順暢性。
附圖說明
[0020]為了更清楚地說明本專利技術具體實施方式或現有技術中的技術方案，下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本專利技術的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1示出了本專利技術的實施例1提供的晶片切割供液系統的連接結構示意圖；
[0022]圖2示出了本專利技術的實施例1提供的晶片切割供液系統的整體結構示意圖。
[0023]附圖標記說明：
[0024]10、切片結構；11、排液閥門；20、供液結構；21、供液端；22、集液端；23、排放端；24、回流端；30、過濾結構；40、調節系統；41、壓濾結構；411、壓濾供液泵；42、調配結構；421、調配供液泵；43、廢液罐；431、廢液回收泵；44、中轉罐；441、中轉供液泵；45、成品罐；451、成品供液泵；50、電磁閥；60、原液儲存罐；70、去離子水儲存罐；80、污水處理站。
具體實施方式
[0025]下面將結合附圖對本專利技術的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。
[0026]在本專利技術的描述中，需要說明的是，術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本專利技術和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本專利技術的限制。此外，術語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。
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【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種晶片切割供液系統，其特征在于，包括：切片結構(10)；供液結構(20)，所述供液結構(20)的供液端(21)通過過濾結構(30)與所述切片結構(10)的進液端相連通，所述切片結構(10)的排液端與所述供液結構(20)的集液端(22)相連通；調節系統(40)，設置于所述供液結構(20)的下游，所述調節系統(40)適于接收所述供液結構(20)的排放端(23)排放的含粉冷卻液，并對含粉冷卻液過濾及調配后，由所述供液結構(20)的回流端(24)返回所述供液結構(20)。2.根據權利要求1所述的晶片切割供液系統，其特征在于，所述調節系統(40)包括壓濾結構(41)，所述壓濾結構(41)位于所述供液結構(20)的下游，所述壓濾結構(41)適于對所述供液結構(20)排放的含粉冷卻液進行壓濾。3.根據權利要求2所述的晶片切割供液系統，其特征在于，所述調節系統(40)還包括調配結構(42)，所述調配結構(42)位于所述壓濾結構(41)的下游，所述調配結構(42)適于將壓濾后的冷卻液調配形成初始冷卻液。4.根據權利要求2或3所述的晶片切割供液系統，其特征在于，所述調節系統(40)還包括廢液罐(43)，所述廢液罐(43)的進液端與所述供液結構(20)的排放端(23)相連通，所述廢液罐(43)的排液端與所述壓濾結構(41)相連通。5.根據權利要求3所述的晶片切割供液系統，其特征在于，所述調節系統(40)還包括中轉罐(44)，所述中轉罐(44)的進液端與所述壓濾結構(41)相連通，所述中轉罐(44)的排液端與所述...

【專利技術屬性】
技術研發人員：請求不公布姓名，
申請(專利權)人：三一硅能株洲有限公司，
類型：發明
國別省市：