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    顯示裝置制造方法及圖紙

    技術(shù)編號:35257680 閱讀:21 留言:0更新日期:2022-10-19 10:15
    提供一種顯示裝置。顯示裝置包括:像素,包括發(fā)射彼此不同的顏色的光的第一子像素和第二子像素以及施加第一電源電壓的第一電源線;修復(fù)電路,與像素相鄰配置;以及第一修復(fù)電路連接圖案,跨像素以及修復(fù)電路而延伸,第一子像素以及第二子像素的每一個包括發(fā)光元件、第一晶體管以及第二晶體管,修復(fù)電路包括第一修復(fù)晶體管、第二修復(fù)晶體管,第一子像素以及第二子像素的第一晶體管的第一源極/漏極電極與第一電源線電連接,第一子像素以及第二子像素的第一晶體管的第二源極/漏極電極與第一修復(fù)電路連接圖案重疊,第一修復(fù)晶體管的第一源極/漏極電極與第一電源線電連接,第一修復(fù)晶體管的第二源極/漏極電極與第一修復(fù)電路連接圖案重疊。圖案重疊。圖案重疊。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
    顯示裝置


    [0001]本專利技術(shù)涉及一種顯示裝置。

    技術(shù)介紹

    [0002]隨著信息化社會的發(fā)展,針對用于顯示圖像的顯示裝置的需求以各種形式正在增加。例如,顯示裝置適用于智能手機、數(shù)碼相機、筆記本計算機、導(dǎo)航儀以及智能電視之類的各種電子設(shè)備。
    [0003]顯示裝置包括液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display Device)、場發(fā)射顯示裝置(Field Emission Display Device)、發(fā)光顯示裝置(Light Emitting Display Device)等之類的光接收型顯示裝置和包括有機發(fā)光元件的有機發(fā)光顯示裝置、包括無機半導(dǎo)體之類的無機發(fā)光元件的無機發(fā)光顯示裝置以及包括超小型發(fā)光元件的超小型發(fā)光顯示裝置等之類的發(fā)光顯示裝置。
    [0004]有機發(fā)光顯示裝置具備薄膜晶體管(Thin Film Transistor:TFT)、與其連接的布線以及由薄膜晶體管驅(qū)動并實現(xiàn)圖像的有機電致發(fā)光元件等。由于與所述薄膜晶體管連接的各種布線以細線寬度形成,因此在制造工藝中可能發(fā)生布線的一部分無法正常形成的開路(open)缺陷。

    技術(shù)實現(xiàn)思路

    [0005]本專利技術(shù)所要解決的課題在于,提供一種可以修復(fù)(repair)發(fā)生缺陷的像素(或者子像素),從而可以提高產(chǎn)率并節(jié)約工藝費用的顯示裝置以及顯示裝置的修復(fù)方法。
    [0006]本專利技術(shù)的課題不限定于以上提及的課題,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以從以下的記載清楚地理解未提及的其它技術(shù)課題。
    [0007]根據(jù)用于解決所述課題的一實施例的顯示裝置包括:像素,包括發(fā)射彼此不同的顏色的光的第一子像素和第二子像素以及與所述第一子像素及所述第二子像素電連接而向所述第一子像素以及所述第二子像素的每一個施加第一電源電壓的第一電源線;修復(fù)電路,與所述像素相鄰配置;以及第一修復(fù)電路連接圖案,跨所述像素以及所述修復(fù)電路而延伸,所述第一子像素以及所述第二子像素的每一個包括發(fā)光元件、與所述發(fā)光元件連接的第一晶體管以及與所述第一晶體管的柵極電極連接的第二晶體管,所述修復(fù)電路包括第一修復(fù)晶體管、與所述第一修復(fù)晶體管的柵極電極連接的第二修復(fù)晶體管,所述第一子像素以及所述第二子像素的所述第一晶體管的第一源極/漏極電極與所述第一電源線電連接,所述第一子像素以及所述第二子像素的所述第一晶體管的第二源極/漏極電極與所述第一修復(fù)電路連接圖案重疊,所述第一修復(fù)晶體管的第一源極/漏極電極與所述第一電源線電連接,所述第一修復(fù)晶體管的第二源極/漏極電極與所述第一修復(fù)電路連接圖案重疊。
    [0008]可以是,所述發(fā)光元件包括依次層疊的陽極電極、發(fā)光層以及陰極電極,所述第一晶體管的所述第一源極/漏極電極和所述第二源極/漏極電極以及所述第一修復(fù)晶體管的所述第一源極/漏極電極和所述第二源極/漏極電極構(gòu)成第一導(dǎo)電層,所述第一修復(fù)電路連
    接圖案以及所述發(fā)光元件的所述陽極電極構(gòu)成與所述第一導(dǎo)電層不同的第二導(dǎo)電層。
    [0009]可以是,所述顯示裝置還包括:通孔層,配置在所述第一導(dǎo)電層上,所述通孔層配置在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間。
    [0010]可以是,所述通孔層包括向厚度方向去除至少一部分而界定的第一凹陷圖案以及第二凹陷圖案,所述第一凹陷圖案配置在所述第一子像素以及所述第二子像素的所述第一晶體管的所述第二源極/漏極電極和所述第一修復(fù)電路連接圖案重疊的區(qū)域中,所述第二凹陷圖案配置在所述修復(fù)電路的所述第一晶體管的所述第二源極/漏極電極和所述第一修復(fù)電路連接圖案重疊的區(qū)域中。
    [0011]可以是,所述第一修復(fù)電路連接圖案的至少一部分配置在所述第一凹陷圖案以及所述第二凹陷圖案中的至少任意一個的內(nèi)部。
    [0012]可以是,所述第一電源線構(gòu)成與所述第一導(dǎo)電層以及所述第二導(dǎo)電層不同的第三導(dǎo)電層,并配置在所述第一導(dǎo)電層以及所述第二導(dǎo)電層下方。
    [0013]可以是,所述顯示裝置還包括:第四導(dǎo)電層,與所述第一導(dǎo)電層、所述第二導(dǎo)電層以及所述第三導(dǎo)電層不同,所述第四導(dǎo)電層包括所述第一子像素以及所述第二子像素的所述第一晶體管以及所述第二晶體管的柵極電極和所述第一修復(fù)晶體管以及所述第二修復(fù)晶體管的柵極電極。
    [0014]可以是,在所述第一子像素以及所述第二子像素的所述第一晶體管的第二源極/漏極電極的每一個與所述第一修復(fù)電路連接圖案重疊的區(qū)域中,至少一個絕緣膜至少局部地配置在所述第一子像素以及所述第二子像素的所述第一晶體管的第二源極/漏極電極的每一個和所述第一修復(fù)電路連接圖案之間,從而所述第一子像素以及所述第二子像素的所述第一晶體管的第二源極/漏極電極的每一個和所述第一修復(fù)電路連接圖案彼此電絕緣。
    [0015]可以是,所述顯示裝置還包括:第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線,彼此相鄰而向相同的方向延伸;以及第二修復(fù)電路連接圖案,橫跨所述第一數(shù)據(jù)線以及所述第二數(shù)據(jù)線而延伸并與所述第一數(shù)據(jù)線以及所述第二數(shù)據(jù)線重疊,所述第一子像素的所述第二晶體管與所述第一數(shù)據(jù)線電連接,所述第二子像素的所述第二晶體管與所述第二數(shù)據(jù)線電連接,所述第二修復(fù)晶體管與所述第二修復(fù)電路連接圖案電連接。
    [0016]可以是,所述第一數(shù)據(jù)線、所述第二數(shù)據(jù)線以及所述第一電源線構(gòu)成第一導(dǎo)電層,所述第二修復(fù)電路連接圖案、所述第一晶體管的所述第一源極/漏極電極和所述第二源極/漏極電極以及所述第一修復(fù)晶體管的所述第一源極/漏極電極和所述第二源極/漏極電極構(gòu)成與所述第一導(dǎo)電層不同的第二導(dǎo)電層。
    [0017]可以是,所述顯示裝置還包括:絕緣膜,配置在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間,并包括去除至少一部分而界定的第一凹陷圖案以及第二凹陷圖案,所述第一凹陷圖案配置在所述第二修復(fù)電路連接圖案和所述第一數(shù)據(jù)線重疊的區(qū)域中,所述第二凹陷圖案配置在所述第二修復(fù)電路連接圖案和所述第二數(shù)據(jù)線重疊的區(qū)域中。
    [0018]可以是,所述絕緣膜包括依次層疊的緩沖層以及層間絕緣膜。
    [0019]可以是,所述像素以及所述修復(fù)電路分別提供為多個,多個所述修復(fù)電路的每一個配置在多個所述像素中的彼此相鄰的兩個所述像素之間,與所述修復(fù)電路相鄰的兩個所述像素分別包括彼此對稱的形狀。
    [0020]可以是,所述顯示裝置還包括:顯示區(qū)域,顯示畫面;以及非顯示區(qū)域,配置在所述
    顯示區(qū)域周邊,多個所述像素以及多個所述修復(fù)電路配置在所述顯示區(qū)域中。
    [0021]根據(jù)用于解決所述課題的一實施例的顯示裝置包括:像素,包括發(fā)射彼此不同的顏色的光的第一子像素和第二子像素以及與所述第一子像素以及所述第二子像素中的至少任意一個電連接的第一電源線;修復(fù)電路,與所述像素相鄰配置,并包括第一修復(fù)晶體管、與所述第一修復(fù)晶體管的柵極電極電連接的第二修復(fù)晶體管;以及第一修復(fù)電路連接圖案,跨所述像素以及所述修復(fù)電路而延伸,所述第一子像素包括與第一發(fā)光元件電連接的第一晶體管以及與所述第一晶體管的柵極電極電連接的第二晶體管,所述第二子像素包括與所述第一發(fā)光元件不同的第二發(fā)光元件,所述第一子像素的所述第一晶體管的第一源極/漏極電極與所述第一電源線電連接,所述第一子像素的所本文檔來自技高網(wǎng)
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    【技術(shù)保護點】

    【技術(shù)特征摘要】
    1.一種顯示裝置,其中,包括:像素,包括發(fā)射彼此不同的顏色的光的第一子像素和第二子像素以及與所述第一子像素及所述第二子像素電連接而向所述第一子像素以及所述第二子像素的每一個施加第一電源電壓的第一電源線;修復(fù)電路,與所述像素相鄰配置;以及第一修復(fù)電路連接圖案,跨所述像素以及所述修復(fù)電路而延伸,所述第一子像素以及所述第二子像素的每一個包括發(fā)光元件、與所述發(fā)光元件連接的第一晶體管以及與所述第一晶體管的柵極電極連接的第二晶體管,所述修復(fù)電路包括第一修復(fù)晶體管、與所述第一修復(fù)晶體管的柵極電極連接的第二修復(fù)晶體管,所述第一子像素以及所述第二子像素的所述第一晶體管的第一源極/漏極電極與所述第一電源線電連接,所述第一子像素以及所述第二子像素的所述第一晶體管的第二源極/漏極電極與所述第一修復(fù)電路連接圖案重疊,所述第一修復(fù)晶體管的第一源極/漏極電極與所述第一電源線電連接,所述第一修復(fù)晶體管的第二源極/漏極電極與所述第一修復(fù)電路連接圖案重疊。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述發(fā)光元件包括依次層疊的陽極電極、發(fā)光層以及陰極電極,所述第一晶體管的所述第一源極/漏極電極和所述第二源極/漏極電極以及所述第一修復(fù)晶體管的所述第一源極/漏極電極和所述第二源極/漏極電極構(gòu)成第一導(dǎo)電層,所述第一修復(fù)電路連接圖案以及所述發(fā)光元件的所述陽極電極構(gòu)成與所述第一導(dǎo)電層不同的第二導(dǎo)電層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述顯示裝置還包括:通孔層,配置在所述第一導(dǎo)電層上,所述通孔層配置在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中,所述通孔層包括向厚度方向去除至少一部分而界定的第一凹陷圖案以及第二凹陷圖案,所述第一凹陷圖案配置在所述第一子像素以及所述第二子像素的所述第一晶體管的所述第二源極/漏極電極和所述第一修復(fù)電路連接圖案重疊的區(qū)域中,所述第二凹陷圖案配置在所述修復(fù)電路的所述第一晶體管的所述第二源極/漏極電極和所述第一修復(fù)電路連接圖案重疊的區(qū)域中。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其中,所述第一修復(fù)電路連接圖案的至少一部分配置在所述第一凹陷圖案以及所述第二凹陷圖案中的至少任意一個的內(nèi)部。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述第一電源線構(gòu)成與所述第一導(dǎo)電層以及所述第二導(dǎo)電層不同的第三導(dǎo)電層,并配置在所述第一導(dǎo)電層以及所述第二導(dǎo)電層下方。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其中,
    所述顯示裝置還包括:第四導(dǎo)電層,與所述第一導(dǎo)電層、所述第二導(dǎo)電層以及所述第三導(dǎo)電層不同,所述第四導(dǎo)電層包括所述第一子像素以及所述第二子像素的所述第一晶體管以及所述第二晶體管的柵極電極和所述第一修復(fù)晶體管以及所述第二修復(fù)晶體管的柵極電極。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,在所述第一子像素以及所述第二子像素的所述第一晶體管的第二源極/漏極電極的每一個與所述第一修復(fù)電路連接圖案重疊的區(qū)域中,至少一個絕緣膜至少局部地配置在所述第一子像素以及所述第二子像素的所述第一晶體管的第二源極/漏極電極的每一個和所述第一修復(fù)電路連接圖案之間,從而所述第一子像素以及所述第二子像素的所述第一晶體管的第二源極/漏極電極的每一個和所述第一修復(fù)電路連接圖案彼此電絕緣。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述顯示裝置還包括:第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線,彼此相鄰而向相同的方向延伸;以及第二修復(fù)電路連接圖案,橫跨所述第一數(shù)據(jù)線以及所述第二數(shù)據(jù)線而延伸并與所述第一數(shù)據(jù)線以及所述第二數(shù)據(jù)線重疊,所述第一子像素的所述第二晶體管與所述第一數(shù)據(jù)線電連接,所述第二子像素的所述第二晶體管與所述第二數(shù)據(jù)線電連接,所述第二修復(fù)晶體管與所述第二修復(fù)電路連接圖案電連接。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置,其中,所述第一數(shù)據(jù)線、所述第二數(shù)據(jù)線以及所述第一電源線構(gòu)成第一導(dǎo)電層,所述第二修復(fù)電路連接圖案、所述第一晶體管的所述第一源極/漏極電極和所述第二源極/漏極...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:金志訓(xùn)梁伸赫梁熙元
    申請(專利權(quán))人:三星顯示有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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