本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件及晶體生長(zhǎng)裝置，用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件包括：坩堝；若干個(gè)加熱組件；其中，若干個(gè)加熱組件依次排列以圍繞所述坩堝，形成加熱裝置；各所述加熱組件相互獨(dú)立。由于圓筒狀加熱裝置分成若干個(gè)加熱組件，且若干個(gè)加熱組件之間相互獨(dú)立，則可以對(duì)各加熱組件分別控制，從而實(shí)現(xiàn)熱場(chǎng)的局部調(diào)控。而實(shí)現(xiàn)熱場(chǎng)的局部調(diào)控。而實(shí)現(xiàn)熱場(chǎng)的局部調(diào)控。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件及晶體生長(zhǎng)裝置
[0001]本技術(shù)涉及坩堝
，尤其涉及的是一種用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件及晶體生長(zhǎng)裝置。
技術(shù)介紹
[0002]在使用EFG(導(dǎo)模法)生長(zhǎng)大尺寸藍(lán)寶石晶體時(shí)，由于晶體從無到有，從小到大，再加上晶體材料本身的熱量輸運(yùn)、結(jié)晶潛熱釋放及熱輻射、熱對(duì)流，導(dǎo)致晶體在生長(zhǎng)整個(gè)過程中熱場(chǎng)就是一個(gè)動(dòng)態(tài)變化的過程，而在通過控制熱場(chǎng)的動(dòng)態(tài)變化來控制晶體的生長(zhǎng)。現(xiàn)有技術(shù)中，在晶體生長(zhǎng)的時(shí)，都是整體控制，即整體進(jìn)行升降溫，使整個(gè)熱場(chǎng)進(jìn)行了動(dòng)態(tài)的變化調(diào)整，而局部做不了調(diào)整。
[0003]因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0004]本技術(shù)要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件及晶體生長(zhǎng)裝置，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中坩堝的熱場(chǎng)無法局部調(diào)整的問題。
[0005]本技術(shù)解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案如下：
[0006]一種用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件，其中，其包括：
[0007]坩堝；
[0008]若干個(gè)加熱組件；
[0009]其中，若干個(gè)加熱組件依次排列以圍繞所述坩堝，形成加熱裝置；
[0010]各所述加熱組件相互獨(dú)立。
[0011]所述的用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件，其中，各所述加熱組件分別連接有電源。
[0012]所述的用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件，其中，所述坩堝內(nèi)設(shè)置有模具；所述加熱組件有4個(gè)，4個(gè)所述加熱組件分別位于所述模具的前后左右4個(gè)方向上。
[0013]所述的用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件，其中，所述模具包括：
[0014]第一側(cè)板和第二側(cè)板，均位于所述坩堝內(nèi)；
[0015]其中，所述第一側(cè)板和所述第二側(cè)板存在間隙；
[0016]所述模具左右2個(gè)方向上的加熱組件關(guān)于所述間隙的寬度方向?qū)ΨQ設(shè)置；
[0017]所述模具前后2個(gè)方向上的加熱組件關(guān)于所述間隙的長(zhǎng)度方向?qū)ΨQ設(shè)置。
[0018]所述的用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件，其中，所述模具還包括：
[0019]頂板，所述頂板上設(shè)置有通孔；
[0020]其中，所述第一側(cè)板的頂部和所述第二側(cè)板的頂部位于所述通孔內(nèi)，并與所述通孔的內(nèi)壁連接。
[0021]所述的用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件，其中，所述頂板與所述坩堝間隔設(shè)置。
[0022]所述的用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件，其中，所述加熱組件包括：
[0023]加熱片；
[0024]兩個(gè)電極，設(shè)置于所述加熱片；
[0025]其中，所述加熱片呈圓弧狀或其它形狀。
[0026]所述的用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件，其中，所述加熱片采用石墨加熱片或鎢鉬加熱片；
[0027]和/或
[0028]所述電極采用石墨電極、鎢電極或鉬電極。
[0029]所述的用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件，其中，所述加熱片的高度大于所述坩堝的高度。
[0030]一種晶體生長(zhǎng)裝置，其中，其包括如上述任一項(xiàng)所述的用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件。
[0031]有益效果：由于加熱裝置分成若干個(gè)加熱組件，且若干個(gè)加熱組件之間相互獨(dú)立，則可以對(duì)各加熱組件分別控制，從而實(shí)現(xiàn)熱場(chǎng)的局部調(diào)控。
附圖說明
[0032]圖1是本技術(shù)中用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件的第一立體圖。
[0033]圖2是本技術(shù)中用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件的俯視圖。
[0034]圖3是本技術(shù)中用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件的第二立體圖。
[0035]圖4是本技術(shù)中用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件的第一剖視圖。
[0036]圖5是本技術(shù)中用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件的第二剖視圖。
[0037]附圖標(biāo)記說明：
[0038]10、坩堝；20、加熱組件；21、加熱片；22、電極；30、模具；31、第一側(cè)板；32、第二側(cè)板；33、頂板。
具體實(shí)施方式
[0039]為使本技術(shù)的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實(shí)施例對(duì)本技術(shù)進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本技術(shù)，并不用于限定本技術(shù)。
[0040]請(qǐng)同時(shí)參閱圖1
?
圖5，本技術(shù)提供了一種用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件的一些較佳實(shí)施例。
[0041]如圖1和2所示，用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件包括：
[0042]坩堝10；
[0043]若干個(gè)加熱組件20；
[0044]其中，若干個(gè)加熱組件20依次排列以圍繞所述坩堝10，形成加熱裝置；
[0045]各所述加熱組件20相互獨(dú)立。
[0046]值得說明的是，由于加熱裝置分成若干個(gè)加熱組件20，且若干個(gè)加熱組件20之間相互獨(dú)立，則可以對(duì)各加熱組件20分別控制，從而實(shí)現(xiàn)熱場(chǎng)的局部調(diào)控。例如，在晶體生長(zhǎng)過程中，若出現(xiàn)晶體生長(zhǎng)不對(duì)稱，可能是由于熱場(chǎng)不對(duì)稱引起的，則需要根據(jù)晶體的形貌調(diào)整對(duì)應(yīng)的加熱組件20，調(diào)整熱場(chǎng)的局部，提高熱場(chǎng)的對(duì)稱性，提高晶體外形的對(duì)稱性，得到形貌更好的晶體。
[0047]由于若干個(gè)加熱組件20圍繞形成加熱裝置，則仍然可以在各個(gè)方向上對(duì)坩堝10內(nèi)
的熔體進(jìn)行加熱。加熱裝置可以是圓筒狀，當(dāng)然還可以是其它形狀，如方筒狀等。
[0048]在本技術(shù)的一個(gè)較佳實(shí)施例中，各所述加熱組件20分別連接有電源。
[0049]具體地，由于各加熱組件20是相互獨(dú)立的，各加熱組件20分別連接有對(duì)應(yīng)的電源，通過調(diào)整各電源的電壓和電流等參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)各加熱組件20的單獨(dú)控制。
[0050]在本技術(shù)的一個(gè)較佳實(shí)施例中，請(qǐng)同時(shí)參閱圖1
?
圖2，所述坩堝10內(nèi)設(shè)置有模具30；所述加熱組件20有4個(gè)，4個(gè)所述加熱組件20分別位于所述模具30的前后左右4個(gè)方向上。
[0051]具體地，加熱組件20有4個(gè)，分別位于模具30的前后左右4個(gè)方向上。需要說明的是，為了提高模具30上生長(zhǎng)的晶體外形的對(duì)稱性，加熱組件20也是分成4個(gè)，分別位于前后左右4個(gè)方向上，也就是說，可以通過根據(jù)需要控制加熱組件20，以提高晶體前后的對(duì)稱性，以及晶體左右的對(duì)稱性。
[0052]在本技術(shù)的一個(gè)較佳實(shí)施例中，請(qǐng)同時(shí)參閱圖2
?
圖4，所述模具30包括：
[0053]第一側(cè)板31和第二側(cè)板32，均位于所述坩堝10內(nèi)；
[0054]其中，所述第一側(cè)板31和所述第二側(cè)板32存在間隙；
[0055]所述模具30左右2個(gè)方向上的加熱組件20關(guān)于所述間隙的寬度方向?qū)ΨQ設(shè)置；
[0056]所述模具30前后2個(gè)方向上的加熱組件20關(guān)于所述間隙的長(zhǎng)度方向?qū)ΨQ設(shè)置。
[0057]具體地，為了得到高對(duì)稱性的熱場(chǎng)，4個(gè)加熱組件20關(guān)于間隙對(duì)稱設(shè)置，模具30左右2個(gè)方向上的加熱組件20關(guān)于間隙的寬度方向?qū)ΨQ，模具30前后2個(gè)方向上的加熱組件20關(guān)于間隙的長(zhǎng)度方向?qū)ΨQ設(shè)置。采用對(duì)稱設(shè)置的加熱組件20，在控制時(shí)，有利于提高熱場(chǎng)的對(duì)稱性，從而確保晶體的對(duì)稱性，得到的本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件，其特征在于，其包括：坩堝；若干個(gè)加熱組件；其中，若干個(gè)加熱組件依次排列以圍繞所述坩堝，形成加熱裝置；各所述加熱組件相互獨(dú)立。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件，其特征在于，各所述加熱組件分別連接有電源。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件，其特征在于，所述坩堝內(nèi)設(shè)置有模具；所述加熱組件有4個(gè)，4個(gè)所述加熱組件分別位于所述模具的前后左右4個(gè)方向上。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件，其特征在于，所述模具包括：第一側(cè)板和第二側(cè)板，均位于所述坩堝內(nèi)；其中，所述第一側(cè)板和所述第二側(cè)板存在間隙；所述模具左右2個(gè)方向上的加熱組件關(guān)于所述間隙的寬度方向?qū)ΨQ設(shè)置；所述模具前后2個(gè)方向上的加熱組件關(guān)于所述間隙的長(zhǎng)度方向?qū)ΨQ設(shè)置。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于晶體生長(zhǎng)的坩堝組件，其特征在于...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王曉亮，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：王曉亮，
類型：新型
國(guó)別省市：
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