本申請公開了一種發聲裝置的振膜及其制備方法、發聲裝置,振膜包括硅橡膠膜層,所述硅橡膠膜層含有網狀聚合物,所述網狀聚合物包含第一鏈段和第二鏈段,所述第一鏈段為所述第二鏈段為其中,所述第一鏈段中的R基團為
【技術實現步驟摘要】
發聲裝置的振膜及其制備方法、發聲裝置
[0001]本申請涉及電聲
,更具體地,涉及一種發聲裝置的振膜及其制備方法、以及使用該振膜的發聲裝置。
技術介紹
[0002]現有發聲裝置中,相較于多層復合結構振膜,單層硫化橡膠振膜具有生產工藝簡單、綜合性能好等優點。其中硅橡膠振膜具有耐低溫性能優、回彈性好、耐熱性好、耐老化性能好等特點,成為振膜發展的熱點方向。
[0003]但硅硅橡膠振膜存在著如下的一些缺陷:
[0004]第一,硅橡膠分子鏈段具有高柔順性,使分子鏈之間的摩擦小,材料的阻尼性差,損耗因子<0.1,導致硅橡膠振膜極易出現失真的現象。
[0005]第二,硅橡膠的機械性能一般,硅橡膠的拉伸強度小,撕裂性能也一般,在長期振動過程中易發生破損失效。
[0006]第三,硅橡膠振膜的厚度較大,重量較重,導致振膜的中頻靈敏度偏低。
技術實現思路
[0007]本專利技術的一個目的在于提供一種發聲裝置的振膜,能夠解決現有技術中的硅橡膠振膜的模量、拉伸強度和撕裂強度低的技術問題。
[0008]本專利技術的另一目的在于提供上述振膜的制備方法,能夠制備得到上述發聲裝置的振膜。
[0009]本專利技術的再一個目的在于提供上述振膜組成的發聲裝置。
[0010]為了實現以上目的,本專利技術提供了以下技術方案。
[0011]根據本專利技術第一方面實施例的發聲裝置的振膜,所述振膜包括硅橡膠膜層,所述硅橡膠膜層含有網狀聚合物,所述網狀聚合物包含第一鏈段和第二鏈段,所述第一鏈段為所述第二鏈段為其中,所述第一鏈段中的R基團為
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CH3、、中的任意一個,第二鏈段中的R1基團為
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CH3、
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CH2Br和
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CH2Cl中的任意一個。
[0012]根據本專利技術的一些實施例,所述網狀聚合物中還包含第三鏈段,所述第三鏈段為
[0013]根據本專利技術的一些實施例,所述網狀聚合物中的所述第二鏈段的質量分數為5wt%~30wt%。
[0014]根據本專利技術的一些實施例,所述硅橡膠膜層的硬度為35A~85A,所述硅橡膠膜層的拉伸強度為2MPa~20MPa,所述硅橡膠膜層的常溫損耗因子≥0.15。
[0015]根據本專利技術第二方面實施例的發聲裝置的振膜的制備方法,包括以下步驟:在聚硅氧烷聚合物中添加填料、硫化劑、對甲基苯乙烯彈性體、防老劑及助劑,混合得到混合物料;將所述混合物料高溫硫化成型,得到硅橡膠膜層;其中,所述聚硅氧烷聚合物為由鏈段一構成主鏈的聚合物,所述對甲基苯乙烯彈性體為主鏈包含鏈段二的聚合物;所述鏈段一為所述鏈段二為所述鏈段一中的的R2基團為
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CH3、
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H和中的任意一個,所述鏈段二的R3基團為
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CH3、
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CH2Br和
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CH2Cl中的任意一個。
[0016]根據本專利技術的一些實施例,所述對甲基苯乙烯彈性體的主鏈還包括:鏈段三,所述鏈段三為
[0017]根據本專利技術的一些實施例,所述聚硅氧烷聚合物中至少一個所述鏈段一中的R2基團為
[0018]根據本專利技術的一些實施例,所述填料包括碳類材料、二氧化硅、硅酸鹽、碳酸鹽、金屬氧化物、金屬氫氧化物、礦物晶須中的至少一種。
[0019]根據本專利技術的一些實施例,所述硫化劑為過氧化物。
[0020]根據本專利技術的一些實施例,所述防老劑包括酮胺類防老劑、二芳基仲胺類防老劑、對苯二胺類防老劑、受阻酚類防老劑中的至少一種。
[0021]根據本專利技術的一些實施例,所述助劑包括鉑金催化劑和抑制劑,所述抑制劑為炔醇化合物。
[0022]根據本專利技術第三方面實施例的發聲裝置,包括振動系統以及與所述振動系統相配合的磁路系統,所述振動系統包括振膜和結合在所述振膜一側的音圈,所述磁路系統驅動所述音圈振動以帶動所述振膜發聲,所述振膜為根據本專利技術上述實施例的所述振膜。
[0023]根據本專利技術第四方面實施例的發聲裝置,包括殼體以及設在所述殼體內的磁路系統和振動系統,所述振動系統包括音圈、第一振膜和第二振膜,所述音圈的頂部與所述第一振膜相連,所述磁路系統驅動所述音圈振動以帶動所述第一振膜發聲,所述第二振膜的兩端分別與所述殼體和所述音圈的底部相連,所述第二振膜為根據本專利技術上述實施例的所述振膜。
[0024]根據本專利技術實施例的發聲裝置的振膜,硅橡膠膜層含有網狀聚合物,網狀聚合物包含第一鏈段和第二鏈段,當第二鏈段為時,具有較大的空間位阻效應,能夠提升振膜的阻尼。當第二鏈段為或者時,既有空間位阻效應,也有分子間作用力中的誘導力和取向力的作用增加,限制了分子鏈的運動,從而提升了振膜的阻尼性能。硅橡膠膜層通過含有第二鏈段可以顯著提升硅橡膠膜層的模量、拉伸強度和撕裂強度,并且由于硅橡膠膜層具有較高模量,在振膜設計中厚度可相應減薄,振膜質量減小,并可提升硅橡膠振膜的中頻靈敏度。
[0025]通過以下參照附圖對本申請的示例性實施例的詳細描述,本申請的其它特征及其優點將會變得清楚。
附圖說明
[0026]被結合在說明書中并構成說明書的一部分的附圖示出了本申請的實施例,并且連同其說明一起用于解釋本申請的原理。
[0027]圖1為根據本專利技術的對比例和實施例的模量和損耗因子的測試結果圖;
[0028]圖2為根據本專利技術的對比例1和實施例2的振膜的FR曲線示意圖;
[0029]圖3為根據本專利技術的對比例1和實施例2的振膜的THD曲線示意圖;
[0030]圖4為根據本專利技術的一個實施例的發聲裝置的結構示意圖。
[0031]附圖標記
[0032]揚聲器振動單元100;
[0033]折環部11;球頂部12。
具體實施方式
[0034]現在將參照附圖來詳細描述本申請的各種示例性實施例。應注意到:除非另外具
體說明,否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數字表達式和數值不限制本申請的范圍。
[0035]以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的,決不作為對本申請及其應用或使用的任何限制。
[0036]對于相關領域普通技術人員已知的技術、方法和設備可能不作詳細討論,但在適當情況下,所述技術、方法和設備應當被視為說明書的一部分。
[0037]在這里示出和討論的所有例子中,任何具體值應被解釋為僅僅是示例性的,而不是作為限制。因此,示例性實施例的其它例子可以具有不同的值。
[0038]應注意到:相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項,因此,一旦某一項在一個附圖中被定義,則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。
[0039]下面結合附圖具體描述根據本專利技術實施例的發聲裝置的振膜。
[0040]根據本專利技術實施例的發聲裝置的振膜包括硅橡膠膜層,硅橡膠膜層含有網狀聚合物,網狀聚合物包含第一鏈段和第二鏈段,第一鏈段為第二鏈段為
[0041]其中,第一鏈段中本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種發聲裝置的振膜,其特征在于,所述振膜包括硅橡膠膜層,所述硅橡膠膜層含有網狀聚合物,所述網狀聚合物包含第一鏈段和第二鏈段,所述第一鏈段為所述第二鏈段為其中,所述第一鏈段中的R基團為
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CH3、、中的任意一個,第二鏈段中的R1基團為
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CH3、
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CH2Br和
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CH2CI中的任意一個。2.根據權利要求1所述的發聲裝置的振膜,其特征在于,所述網狀聚合物中還包含第三鏈段,所述第三鏈段為3.根據權利要求1所述的發聲裝置的振膜,其特征在于,所述網狀聚合物中的所述第二鏈段的質量分數為5wt%~30wt%。4.根據權利要求1所述的發聲裝置的振膜,其特征在于,所述硅橡膠膜層的硬度為35A~85A,所述硅橡膠膜層的拉伸強度為2MPa~20MPa,所述硅橡膠膜層的常溫損耗因子≥0.15。5.一種發聲裝置的振膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:在聚硅氧烷聚合物中添加填料、硫化劑、對甲基苯乙烯彈性體、防老劑及助劑,混合得到混合物料;將所述混合物料高溫硫化成型,得到硅橡膠膜層;其中,所述聚硅氧烷聚合物為由鏈段一構成主鏈的聚合物,所述對甲基苯乙烯彈性體為主鏈包含鏈段二的聚合物;所述鏈段一為所述鏈段二為所述鏈段一中的的R2基團
為
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CH3、
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H和中的任意一個,所述鏈段二的R3基團為
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CH3、
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CH...
【專利技術屬性】
技術研發人員:周厚強,王海峰,王婷,李春,
申請(專利權)人:歌爾股份有限公司,
類型:發明
國別省市:
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