一種單晶爐的爐蓋及單晶爐制造技術

本實用新型專利技術提供一種單晶爐的爐蓋及單晶爐，該爐蓋包括：蓋體，包括具有上端開口和下端開口的碟形蓋體，設置在上端開口處的上法蘭和設置在下端開口處的下法蘭，蓋體內形成有用于使冷卻水從下法蘭流動至上法蘭的冷卻水通路，以及集成法蘭，底部與上法蘭固定連接并且頂部與旋閥密封連接，集成法蘭內形成有與單晶爐的主爐室連通的下吹氣通路和對吹氣通路，下吹氣通路和對吹氣通路彼此獨立并且均與蓋體內的冷卻水通路獨立。本實用新型專利技術的單晶爐的爐蓋取消了爐脖結構，并使用集成法蘭對惰性氣體通路進行集成設置，使得其與蓋體內的冷卻書通路彼此獨立，避免了漏水發生，有效提高了生產安全性。性。性。

【技術實現步驟摘要】
一種單晶爐的爐蓋及單晶爐


[0001]本技術涉及單晶生產
，具體涉及一種單晶爐的爐蓋及單晶爐。

技術介紹

[0002]單晶硅作為現代信息社會的關鍵支撐材料，是目前世界上最重要的單晶材料之一，它不僅是發展計算機和集成電路的主要功能材料，也是光伏發電利用太陽能的主要功能材料。目前，主要使用單晶爐來制備單晶硅棒，為保證爐內的工作環境，單晶爐爐蓋上需要安裝真空表以監測主室壓力，并且安裝惰性氣體進氣口以向爐中通入惰性氣體現有的單晶爐爐蓋存在漏水、效率低等問題。

技術實現思路

[0003]有鑒于此，本技術提供一種單晶爐的爐蓋及單晶爐，用以至少解決以上技術問題。
[0004]為解決上述技術問題，本技術采用以下技術方案：
[0005]根據本技術實施例的一種單晶爐的爐蓋，包括：
[0006]蓋體，包括具有上端開口和下端開口的碟形蓋體，設置在上端開口處的上法蘭和設置在下端開口處的下法蘭，蓋體內形成有用于使冷卻水從下法蘭流動至上法蘭的冷卻水通路，以及
[0007]集成法蘭，底部與上法蘭固定連接并且頂部與旋閥密封連接，集成法蘭內形成有與單晶爐的主爐室連通的下吹氣通路和對吹氣通路，下吹氣通路和對吹氣通路彼此獨立并且均與蓋體內的冷卻水通路獨立。
[0008]在本技術的一個實施例中，上法蘭上設置有與冷卻水通路連通的出水口，下法蘭上設置有與冷卻水通路連通的進水口。
[0009]在本技術的一個實施例中，蓋體包括：
[0010]內封頭；
[0011]外封頭，與內封頭匹配地蓋合在內封頭上，且內封頭與外封頭之間形成間隙；
[0012]水路導流板，設置在內封頭和外封頭之間的間隙內，并從下法蘭的進水口處以螺旋狀延伸至上法蘭的出水口處，以在蓋體內部形成冷卻水通路。
[0013]在本技術的一個實施例中，蓋體上設置有觀察窗、攝像設備安裝口和熱屏提升口。
[0014]在本技術的一個實施例中，集成法蘭的一部分弧形外壁被銑削成直線外壁，攝像設備安裝口緊貼直線外壁設置以使得攝像設備安裝口靠近中心。
[0015]在本技術的一個實施例中，下吹氣通路包括：
[0016]下吹進氣口，設置在集成法蘭的外側壁上；
[0017]第一氣孔，設置在所述集成法蘭內與下吹進氣口連通并從下吹進氣口的端部向下延伸形成；
[0018]第一勻流通道，形成為集成法蘭內的環形槽并通過第一氣孔與下吹進氣口連通；
[0019]多個第二氣孔，分布在第一勻流通道的底部并向下延伸形成；
[0020]第二勻流通道，形成為集成法蘭內的環形槽并位于第一勻流通道下方，通過第二氣孔與第一勻流通道連通；
[0021]多個第三氣孔，分布在第二勻流通道的底部，并且與第二氣孔彼此錯開；
[0022]多個下吹出氣口，設置在集成法蘭的下表面上并與第三氣孔連通。
[0023]在本技術的一個實施例中，對吹氣通路從集成法蘭的外壁貫穿至集成法蘭的內壁并且包括：
[0024]多組對吹進氣口，每組對吹進氣口包括對稱設置在集成法蘭的外壁處的兩個對吹進氣口；
[0025]多組對吹出氣口，每組對吹出氣口包括對稱設置在集成法蘭的內壁處的兩個對吹出氣口并且對應地與對吹進氣口連通。
[0026]在本技術的一個實施例中，單晶爐的爐蓋還包括：
[0027]第一質量流量計，設置在下吹進氣口與惰性氣體源之間以調節下吹進氣口的進氣流量；
[0028]第二質量流量計，設置在對吹進氣口與惰性氣體源之間以調節對吹進氣口的進氣流量。
[0029]在本技術的一個實施例中，單晶爐的爐蓋還包括：
[0030]第一電磁閥，設置在下吹進氣口與第一質量流量計之間；
[0031]第二電磁閥，設置在對吹進氣口與第二質量流量計之間。
[0032]本技術還提供一種單晶爐，包括上述任一實施例的單晶爐的爐蓋。
[0033]本技術的上述技術方案至少具有如下有益效果之一：
[0034]1、本技術的單晶爐的爐蓋及單晶爐，通過取消爐脖結構，直接將集成法蘭與爐蓋連接，將惰性氣體通路及真空計安裝口集成至集成法蘭上，使得與蓋體內的冷卻水通路彼此獨立，避免了漏水的發生，有效提高了生產安全性；
[0035]2、本技術的單晶爐的爐蓋及單晶爐，通過取消爐脖結構，惰性氣體通路設置在集成法蘭上，使得惰性氣體的下吹出氣口更靠近爐內液面，可保證到達液面的氣流速度，有效吹走液面上方的揮發物，提高拉晶質量；
[0036]3、本技術的單晶爐的爐蓋及單晶爐，將觀察窗和攝像設備安裝口集成至爐蓋上，并通過爐蓋上的冷卻水通路進行散熱，無需單獨設置冷卻水路，有效降低了制作難度和生產費用。
附圖說明
[0037]圖1為本技術實施例提供的一種單晶爐的爐蓋的結構示意圖；
[0038]圖2為本技術實施例提供的一種單晶爐的爐蓋的部分剖視圖；
[0039]圖3為本技術實施例提供的一種單晶爐的冷卻水通路的結構示意圖；
[0040]圖4為本技術實施例提供的一種單晶爐的集成法蘭的結構示意圖；
[0041]圖5為本技術實施例提供的一種單晶爐的集成法蘭的側剖示意圖；
[0042]圖6為本技術實施例提供的一種單晶爐的對吹進氣口和下吹進氣口分別與惰
性氣體源連接的結構示意圖。
[0043]附圖標記：100、蓋體；110、上法蘭；111、出水口；120、下法蘭；121、進水口；130、外封頭；140、內封頭；150、水路導流板；160、觀察窗；170、攝像設備安裝口；180、熱屏提升口；200、集成法蘭；201、安裝螺釘；210、下吹進氣口；211、第一勻流通道；212、第一氣孔；213、第二氣孔；214、第二勻流通道；215、第三氣孔；216、下吹出氣口；217、第一質量流量計；218、第一控制器；219、第一電磁閥；220、對吹進氣口；221、第二質量流量計；222、第二控制器；223、第二電磁閥；230、對吹出氣口；240、真空計安裝口；300、真空計；400、惰性氣體源。
具體實施方式
[0044]為使本技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本述。顯然，所描述的實施例是本技術的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本技術的實施例，本領域普通技術人員所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。
[0045]除非另作定義，本技術中使用的技術術語或者科學術語應當為本技術所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本技術中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的組成部分。同樣，“一個”或者“一”等類似詞語也不表示數量限制，而是表示存在至少一個。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種單晶爐的爐蓋，其特征在于，包括：蓋體，包括具有上端開口和下端開口的碟形蓋體，設置在上端開口處的上法蘭和設置在下端開口處的下法蘭，所述蓋體內形成有用于使冷卻水從所述下法蘭流動至所述上法蘭的冷卻水通路，以及集成法蘭，底部與所述上法蘭固定連接并且頂部與旋閥密封連接，所述集成法蘭內形成有與所述單晶爐的主爐室連通的下吹氣通路和對吹氣通路，所述下吹氣通路和所述對吹氣通路彼此獨立并且均與所述蓋體內的所述冷卻水通路獨立。2.根據權利要求1所述的單晶爐的爐蓋，其特征在于，所述上法蘭上設置有與所述冷卻水通路連通的出水口，所述下法蘭上設置有與所述冷卻水通路連通的進水口。3.根據權利要求2所述的單晶爐的爐蓋，其特征在于，所述蓋體包括：內封頭；外封頭，與所述內封頭匹配地蓋合在所述內封頭上，且所述內封頭與所述外封頭之間形成間隙；水路導流板，設置在所述內封頭和所述外封頭之間的間隙內，并從所述下法蘭的所述進水口處以螺旋狀延伸至所述上法蘭的所述出水口處，以在所述蓋體內部形成所述冷卻水通路。4.根據權利要求1所述的單晶爐的爐蓋，其特征在于，所述蓋體上設置有觀察窗、攝像設備安裝口和熱屏提升口。5.根據權利要求4所述的單晶爐的爐蓋，其特征在于，所述集成法蘭的一部分弧形外壁被銑削成直線外壁，所述攝像設備安裝口緊貼所述直線外壁設置以使得所述攝像設備安裝口靠近中心。6.根據權利要求1所述的單晶爐的爐蓋，其特征在于，所述下吹氣通路包括：下吹進氣口，設置在所述集成法蘭的外側壁上；第一氣孔，設置在所述集成法...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李維琛，王瑞賢，李永哲，
申請(專利權)人：河北晶龍陽光設備有限公司，
類型：新型
國別省市：