能正確生成時標的光盤裝置制造方法及圖紙

比較器（１０３３、１０３４）用比較電平對精密時標痕信號進行比較，ＤＳＰ（１０４５）通過增大已比較信號成分的比較電平的加權(quán)權(quán)重來計算對各信號成分進行比較的比較電平。而且，用在上峰值側(cè)設定的電平和在下峰值側(cè)設定的電平，通過比較器（１０３３、１０３４）對精密時標痕信號進行比較。從比較器（１０３３、１０３４）中任一方先輸入比較信號時，ＤＳＰ（１０４５）就基于來自比較器（１０４７）的比較信號生成精密時標痕檢出信號ＦＣＭＴ。其結(jié)果，即使在檢出振幅比精密時標痕信號還大的信號成分時，也能基于精密時標痕信號正確地生成時標。（*該技術(shù)在2021年保護過期，可自由使用*）

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及能夠基于光盤上形成的相位信息，正確生成記錄和/或再現(xiàn)信號時的時標的光盤裝置。最近，在標準化的AS-MO(Advanced Storaged Magneto OpticalDisk)規(guī)格中，作為生成用于數(shù)據(jù)的記錄或再現(xiàn)的時標的基準的精密時標痕以預定的周期形成。該精密時標痕，具體地說，通過在凸區(qū)上以預定的周期設置具有大約3～4數(shù)據(jù)通道位(data channel bit)長度的凹槽，在凹槽上以預定的周期設置具有大約3～4數(shù)據(jù)通道位長度的凸區(qū)形成。此時，凹槽的精密時標痕，在光-磁記錄介質(zhì)基片的一側(cè)表面上通過雙光束使凹槽成形時，使雙光束移動到在凹槽的兩個鄰側(cè)形成的凸區(qū)來形成。凸區(qū)的精密時標痕，也和凹槽的精密時標痕一樣，通過使雙光束移動到兩個相鄰凹槽的位置來形成。在AS-M0規(guī)格的光-磁盤中，從光-磁盤檢出精密時標痕來生成精密時標痕檢出信號。然后，與根據(jù)精密時標痕檢出信號生成的時標同步地進行信號的記錄和再現(xiàn)。但是，存在這樣的問題由于在光-磁盤成形等場合精密時標痕之間形成傷痕，從光-磁盤檢出的精密時標痕檢出信號中包含傷痕的信號成分，從而不能正確生成時標。也就是，如果在精密時標痕之間形成傷痕，精密時標痕檢出信號就變成如附圖說明圖19所示的信號波形。信號成分S1，S3，S4是精密時標痕的信號成分，信號成分S2是傷痕的信號成分。由于激光掃描凹槽時和掃描凸區(qū)時信號成分S1，S3，S4的波形是相反的，因此，為了正確生成時標必須認知激光正在掃描的是凹槽還是凸區(qū)。由此，將信號成分S1，S3，S4用兩個電平L1，L2進行比較，通過由哪個電平進行比較的信號先被檢出來確定激光正在掃描的是凹槽還是凸區(qū)。而且，電平L1定為由保持電路保持的信號成分S1的上峰值(peakvalue)PA的大約二分之一。另外，電平L2定為由保持電路保持的信號成分S1的下峰值(bottom value)PB的大約二分之一。即使從保持信號成分S1的上峰值PA和下峰值PB的定時開始經(jīng)過很長時間，保持電路也大致跟蹤著上峰值PA和下峰值PB。如此，當信號成分S1和信號成分S3之間的傷痕的信號成分S2輸入到保持電路時，由于信號成分S2的上峰值和下峰值分別比精密時標痕的信號成分S1，S3，S4的上峰值和下峰值大，因此，由上峰值確定的電平L1轉(zhuǎn)換成L3，由下峰值確定的電平L2轉(zhuǎn)換成L4。由于保持電路跟蹤上峰值或下峰值，電平L3保持比信號成分S3，S4的上峰值還大的電平，電平L4保持比信號成分S3，S4的下峰值還小的電平。其結(jié)果，如果存在根據(jù)傷痕的信號成分S2，就不能比較其以后的根據(jù)精密時標痕的信號成分，不能正確地生成時標。本專利技術(shù)的光盤裝置，是一種在包含作為時標生成基準的精密時標痕的光盤上與時標同步地進行記錄和/或再現(xiàn)信號的光盤裝置，其中設有將激光照射于光盤，并檢出其反射光的光學頭；用預定的電平比較由光學頭從精密時標痕檢出的精密時標痕信號來生成精密時標痕檢出信號的精密時標痕檢出電路；以及與精密時標痕檢出信號同步，且將精密時標痕檢出信號分頻成預定份數(shù)中的一份，從而生成時標的時標生成電路；精密時標痕檢出電路，在精密時標痕信號的n(n為自然數(shù))個信號成分中，將想要比較的信號成分設定為FCMk(l≤k≤n)、將在信號成分FCMk前被比較的信號成分設定為FCMk-1、將信號成分FCMk-1的比較電平設定為Lk-1、將信號成分FCMk的振幅設定為Pk時，通過用對Lk-1的加權(quán)值比對Pk的加權(quán)值大的Lk- 1和Pk的加權(quán)平均來確定的比較電平Lk對信號成分FCMk進行比較，并得出比較過的比較信號，由此生成精密時標痕檢出信號。本專利技術(shù)的光盤裝置中，用將精密時標痕信號的已比較過的信號成分的加權(quán)增大的加權(quán)平均算出的比較電平對各信號成分進行比較，并通過輸入該比較信號檢出精密時標痕信號的信號成分。然后，如果檢出信號成分，根據(jù)精密時標痕信號生成精密時標痕檢出信號，進行與該生成的時標同步的信息的記錄和/或再現(xiàn)。因此，根據(jù)本專利技術(shù)，即使是在光盤上形成傷痕，也能夠正確地生成精密時標痕檢出信號。最好，光盤裝置的精密時標痕檢出電路生成用設定在信號成分FCMk的上峰值側(cè)的第一電平比較信號成分的第一比較信號和用設定在信號成分FCMk的下峰值側(cè)的第二電平比較信號成分的第二比較信號；根據(jù)得出的第一或第二比較信號生成精密時標痕檢出信號；第一電平，是用在信號成分FCMk-1的上峰值側(cè)設定的比較電平LPk-1和信號成分FCMk的上峰值PPk的加權(quán)平均來確定的電平；第二電平，是用在信號成分FCMk-1的下峰值側(cè)設定的比較電平LBk-1和信號成分FCMk的下峰值PBk的加權(quán)平均來確定的電平。精密時標痕信號的各信號成分，用在精密時標痕信號的上峰值側(cè)設定的電平和在下峰值側(cè)的設定電平進行比較。而且，在兩個比較信號中，只要任一方被檢出，就生成精密時標痕檢出信號。因此，根據(jù)本專利技術(shù)，即使在精密時標痕信號中出現(xiàn)基準線的上側(cè)或下側(cè)信號的丟失，也能夠正確地生成精密時標痕檢出信號。最好，光盤裝置的精密時標痕檢出電路包括用第一電平對信號成分FCMk進行比較生成第一比較信號的第一比較器；用第二電平對信號成分FCMk進行比較生成第二比較信號的第二比較器；根據(jù)信號成分FCMK保持上峰值PPk的第一保持電路；基于信號成分FCMk保持下峰值PBk第二保持電路；用預定的電平對信號成分FCMk進行比較生成第三比較信號的第三比較器；以及信號處理電路，該電路通過用比較電平LPk-1和上峰值PPk的加權(quán)平均來計算第一電平，通過用比較電平LBk-1和下峰值PBk的加權(quán)平均來計算第二電平，當?shù)谝换虻诙谋容^信號輸入后即基于上峰值PPk和下峰值PBk計算預定的電平，并基于第三比較信號生成精密時標痕檢出信號。在精密時標痕檢出電路中，用在精密時標痕信號的上峰值側(cè)設定的電平和在下峰值側(cè)設定的電平對精密時標痕信號的各信號成分進行比較。而且，兩個比較信號中有一方被檢出，就用預定的電平對精密時標痕信號進行比較，生成與精密時標痕信號和基準線交叉的位置同步的精密時標痕檢出信號。因此，根據(jù)本專利技術(shù)，即使精密時標痕信號中出現(xiàn)基準線上側(cè)或下側(cè)信號的丟失，也能夠正確地生成與精密時標痕的中心位置同步的精密時標痕檢出信號。光盤裝置的光學頭，最好用切向推挽法來檢出精密時標痕信號。精密時標痕信號，作為光盤切向上的兩個激光強度差而被檢出。因此，根據(jù)本專利技術(shù)，在構(gòu)成時標生成基準的相位信息被以凹凸形狀寫入光盤基片表面的光盤中能夠正確地生成時標。圖2是表示記錄數(shù)據(jù)列的格式的略圖。圖3是實施例1的光盤裝置的框圖。圖4是再現(xiàn)來自預格式化區(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)的說明圖。圖5是圖3所示光盤裝置的FCM檢出電路的框圖。圖6是圖5所示的FCM檢出電路信號的時序圖。圖7是精密時標痕信號的波形圖。圖8是生成精密時標痕檢出信號和時標的說明圖。圖9是包含傷痕的信號成分的精密時標痕信號的波形圖。圖10是表示圖5所示的DSP的處理例程的流程圖。圖11是圖10所示的流程圖的限制電平計算的流程圖。圖12是PLL電路的框圖。圖13是說明地址信息檢出和地址檢出信號生成的示圖。圖14是定時信號生成的說明圖。圖15是說明由光盤裝置在光-磁記錄介質(zhì)上記錄的記錄數(shù)據(jù)列的示圖。圖16是本專利技術(shù)實施例中格式化電路的概略框圖。圖17是說明圖本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種在包含構(gòu)成生成時標的基準的精密時標痕的光盤（１００）上，與所述時標同步地記錄和／或再現(xiàn)信號的光盤裝置（２００），其中設有：將激光照射在所述光盤（１００）上，并檢出其反射光的光學頭（１０２）；以預定的電平對由所述光學頭（１０２）因 所述精密時標痕而檢出的精密時標痕信號進行比較，生成精密時標痕檢出信號的精密時標痕檢出電路（１０３）；以及與所述精密時標痕檢出信號同步，并將所述精密時標痕檢出信號分頻成預定份數(shù)中的一份，從而生成所述時標的時標生成電路（１０４）；所述精 密時標痕檢出電路（１０３），在所述精密時標痕信號的ｎ（ｎ為自然數(shù)）個信號成分中，將要比較的信號成分設定為ＦＣＭ↓［ｋ］（１≤ｋ≤ｎ）、將緊接所述信號成分ＦＣＭ↓［ｋ］之前的被比較的信號成分設定為ＦＣＭ↓［ｋ－１］、將所述信號成分ＦＣＭ↓［ｋ－１］的比較電平設定為Ｌ↓［ｋ－１］、將所述信號成分ＦＣＭ↓［ｋ］的振幅設定為Ｐ↓［ｋ］時，用通過對所述Ｌ↓［ｋ－１］的加權(quán)值比對所述Ｐ↓［ｋ］的加權(quán)值大的、所述Ｌ↓［ｋ－１］和所述Ｐ↓［ｋ］之間的加權(quán)平均所確定的比較電平Ｌ↓［ｋ］對所述信號成分ＦＣＭ↓［ｋ］進行比較，并因該經(jīng)比較過的比較信號的獲得而生成所述精密時標痕檢出信號。...

【技術(shù)特征摘要】
JP 2000-10-23 322211/001.一種在包含構(gòu)成生成時標的基準的精密時標痕的光盤(100)上，與所述時標同步地記錄和/或再現(xiàn)信號的光盤裝置(200)，其中設有將激光照射在所述光盤(100)上，并檢出其反射光的光學頭(102)；以預定的電平對由所述光學頭(102)因所述精密時標痕而檢出的精密時標痕信號進行比較，生成精密時標痕檢出信號的精密時標痕檢出電路(103)；以及與所述精密時標痕檢出信號同步，并將所述精密時標痕檢出信號分頻成預定份數(shù)中的一份，從而生成所述時標的時標生成電路(104)；所述精密時標痕檢出電路(103)，在所述精密時標痕信號的n(n為自然數(shù))個信號成分中，將要比較的信號成分設定為FCMk(1≤k≤n)、將緊接所述信號成分FCMk之前的被比較的信號成分設定為FCMk-1、將所述信號成分FCMk-1的比較電平設定為Lk-1、將所述信號成分FCMk的振幅設定為Pk時，用通過對所述Lk-1的加權(quán)值比對所述Pk的加權(quán)值大的、所述Lk-1和所述Pk之間的加權(quán)平均所確定的比較電平Lk對所述信號成分FCMk進行比較，并因該經(jīng)比較過的比較信號的獲得而生成所述精密時標痕檢出信號。2.如權(quán)利要求1所述的光盤裝置，其特征在于所述精密時標痕檢出電路(103)生成用設定在所述信號成分FCMk的上峰值側(cè)的第一電平比較所述信號成分后的第一比較信號，以及用設定在所述信號成分FCMk的下峰值側(cè)的第二電平比較所述信號成分FCMk后的第二比較信號，并...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：多田浩一，隈俊毅，渡部浩志，
申請(專利權(quán))人：三洋電機株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：JP[日本]