電子設備蓋板用微晶玻璃制品和微晶玻璃制造技術

一種電子設備蓋板用微晶玻璃制品和微晶玻璃，所述微晶玻璃的主要晶相含有硅酸鋰和石英晶相，其組成按重量百分比表示，含有：SiO

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】電子設備蓋板用微晶玻璃制品和微晶玻璃
本專利技術涉及一種微晶玻璃制品和微晶玻璃，尤其是涉及一種電子設備蓋板用微晶玻璃制品、微晶玻璃、電子設備用玻璃蓋板和電子設備。
技術介紹
電子設備由于其內部具有許多精密的電子元器件，因此需要設置蓋板或者外殼對內部的電子元器件加以保護。現有文獻中公開的內容中，多用金屬作為蓋板材料，但金屬存在著易氧化、對電磁信號有屏蔽等缺點；也有文獻中公開采用玻璃作為蓋板使用的，例如中國專利CN101508524A公開了一種化學強化玻璃，其抗跌落性能和斷裂韌性等性能難以滿足要求。微晶玻璃是一種通過對玻璃進行熱處理而在玻璃內部析出結晶的材料。微晶玻璃通過在內部分散的結晶，能夠具備在玻璃中無法得到的物性值。例如，對于楊氏模量、斷裂韌性等機械強度，對酸性或堿性藥液的蝕刻特性，熱膨脹系數等熱性能，玻璃化轉變溫度的上升以及消失等。微晶玻璃具有更高的機械性能，并且由于在玻璃中形成微晶，其抗彎、耐磨性能等相對于一般的玻璃都有明顯的優勢。基于以上因素，本專利技術人以期通過大量實驗研究，研發出具有優異機械性能的微晶玻璃，適用于電子設備。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是提供一種電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其具有優異的機械性能。本專利技術解決技術問題所采用的技術方案是：(1)電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其主要晶相含有硅酸鋰和石英晶相，其組成按重量百分比表示，含有：SiO2：65～85％、Al2O3：1～15％、Li2O：5～15％、ZrOr>2：0.1～10％、P2O5：0.1～10％、K2O：0～10％、MgO：0～10％、ZnO：0～10％、Na2O：0～5％，其中(SiO2+Al2O3+Li2O+ZrO2)/P2O5為40～90，落球試驗高度為700mm以上。(2)電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其組成按重量百分比表示，含有：SiO2：65～85％、Al2O3：1～15％、Li2O：5～15％、ZrO2：0.1～10％、P2O5：0.1～10％、K2O：0～10％、MgO：0～10％、ZnO：0～10％、Na2O：0～5％。(3)根據(1)～(2)任一所述的電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其組成按重量百分比表示，還含有：SrO：0～5％、BaO：0～5％、TiO2：0～5％、Y2O3：0～5％、B2O3：0～3％、澄清劑：0～2％。(4)根據(1)～(3)任一所述的電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其中：(SiO2+Li2O)/Al2O3為6～15、(Al2O3+Li2O)/P2O5為5～20、(SiO2+Li2O)/P2O5為40～80、(K2O+MgO)/ZrO2為0.6～1.2、或Li2O/(K2O+ZrO2)為2.3～4.0。(5)根據(1)～(4)任一所述的電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其中：(SiO2+Li2O)/Al2O3為8～13、(Al2O3+Li2O)/P2O5為6～14、(SiO2+Li2O)/P2O5為40～70、(SiO2+Al2O3+Li2O+ZrO2)/P2O5為45～85、(K2O+MgO)/ZrO2為0.7～1.1、和Li2O/(K2O+ZrO2)為2.5～3.5。(6)根據(1)～(5)任一所述的電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其組成按重量百分比表示，含有：SiO2：70～76％、Al2O3：4～10％、Li2O：8～12.5％、ZrO2：1～5％、P2O5：1～3％、K2O：0～3％、MgO：0.3～2％、ZnO：0～3％、Na2O：0～1％、Sb2O3：0～1％、SnO2：0～1％、SnO：0～1％、或CeO2：0～1％。(7)根據(1)～(6)任一所述的電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其中：(Al2O3+Li2O)/P2O5為8.5～14、(SiO2+Li2O)/P2O5為45～60、(SiO2+Al2O3+Li2O+ZrO2)/P2O5為48～80、或(SiO2+Li2O)/Al2O3為8.5～12。(8)根據(1)～(7)任一所述的電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其中：(K2O+MgO)/ZrO2為0.8～1.0、或Li2O/(K2O+ZrO2)為2.8～3.3。(9)根據(1)～(8)任一所述的電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其組成按重量百分比表示，含有：Li2O：8～小于10％、不含有SrO、不含有BaO、不含有TiO2、不含有Y2O3、不含有GeO2、不含有CaO、不含有Cs2O、不含有PbO、不含有B2O3、不含有As2O3、不含有La2O3、和不含有Tb2O3。(10)根據(1)～(9)任一所述的電子設備蓋板用微晶玻璃制品，結晶度為70％以上。(11)根據(1)～(10)任一所述的電子設備蓋板用微晶玻璃制品，落球試驗高度為1000mm以上；或四點彎曲強度為650MPa以上；或0.55mm厚度的霧度為0.5％以下；或折射率溫度系數為-0.8×10-6/℃以下；或0.55mm厚550nm波長的光透射率為88％以上。本專利技術還提供一種微晶玻璃，其具有優異的機械性能。本專利技術解決技術問題所采用的技術方案是：(12)微晶玻璃，其主要晶相含有硅酸鋰和石英晶相，其組成按重量百分比表示為：SiO2：65～85％、Al2O3：1～15％、Li2O：5～15％、ZrO2：0.1～10％、P2O5：0.1～10％、K2O：0～10％、MgO：0～10％、ZnO：0～10％、Na2O：0～3％，Sb2O3：0～1％、SnO2：0～1％、SnO：0～1％、CeO2：0～1％，其中(SiO2+Al2O3+Li2O+ZrO2)/P2O5為40～90，(K2O+MgO)/Zr本文檔來自技高網...

【技術保護點】
電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其特征在于，其主要晶相含有硅酸鋰和石英晶相，其組成按重量百分比表示，含有：SiO

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其特征在于，其主要晶相含有硅酸鋰和石英晶相，其組成按重量百分比表示，含有：SiO
2：65～85％、Al
2O
3：1～15％、Li
2O：5～15％、ZrO
2：0.1～10％、P
2O
5：0.1～10％、K
2O：0～10％、MgO：0～10％、ZnO：0～10％、Na
2O：0～5％，其中(SiO
2+Al
2O
3+Li
2O+ZrO
2)/P
2O
5為40～90，落球試驗高度為700mm以上。



如權利要求1所述的電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其特征在于，其組成按重量百分比表示，還含有：SrO：0～5％、BaO：0～5％、TiO
2：0～5％、Y
2O
3：0～5％、B
2O
3：0～3％、澄清劑：0～2％。



如權利要求1或2任一權利要求所述的電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其特征在于，其中：(SiO
2+Li
2O)/Al
2O
3為6～15、(Al
2O
3+Li
2O)/P
2O
5為5～20、(SiO
2+Li
2O)/P
2O
5為40～80、(K
2O+MgO)/ZrO
2為0.6～1.2、或Li
2O/(K
2O+ZrO
2)為2.3～4.0。



如權利要求1或2任一權利要求所述的電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其特征在于，其中：(SiO
2+Li
2O)/Al
2O
3為8～13、(Al
2O
3+Li
2O)/P
2O
5為6～14、(SiO
2+Li
2O)/P
2O
5為40～70、(SiO
2+Al
2O
3+Li
2O+ZrO
2)/P
2O
5為45～85、(K
2O+MgO)/ZrO
2為0.7～1.1、和Li
2O/(K
2O+ZrO
2)為2.5～3.5。



如權利要求1或2任一權利要求所述的電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其特征在于，其組成按重量百分比表示，含有：SiO
2：70～76％、Al
2O
3：4～10％、Li
2O：8～12.5％、ZrO
2：1～5％、P
2O
5：1～3％、K
2O：0～3％、MgO：0.3～2％、ZnO：0～3％、Na
2O：0～1％、Sb
2O
3：0～1％、SnO
2：0～1％、SnO：0～1％、或CeO
2：0～1％。



如權利要求1或2任一權利要求所述的電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其特征在于，其中：(Al
2O
3+Li
2O)/P
2O
5為8.5～14、(SiO
2+Li
2O)/P
2O
5為45～60、(SiO
2+Al
2O
3+Li
2O+ZrO
2)/P
2O
5為48～80、或(SiO
2+Li
2O)/Al
2O
3為8.5～12。



如權利要求1或2任一權利要求所述的電子設備蓋板用微晶玻璃制品，其特征在于，其中：(K
2O+MgO)/ZrO
2為0.8～1.0、或Li
2O/(K
2O+ZrO
2)為2.8～3.3。



如權利要求1或2任一權利要求所述的電子設備蓋板...

【專利技術屬性】
技術研發人員：原保平，
申請(專利權)人：成都創客之家科技有限公司，
類型：發明
國別省市：四川;51