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    一種苯并五元含N雜環雜芳基胺化合物及其有機電致發光器件制造技術

    技術編號:26254010 閱讀:131 留言:0更新日期:2020-11-06 17:41
    本發明專利技術提供了一種苯并五元含N雜環雜芳基胺化合物及其有機電致發光器件,涉及有機光電材料技術領域。本發明專利技術的苯并五元含N雜環雜芳基胺化合物具有高的折射率,分子取向整齊,玻璃轉化溫度高,熱穩定性高,受熱冷卻后不容易結晶的特性。本發明專利技術化合物應用于OLED器件的覆蓋層后,可有效提升OLED器件的光取出效率,亮度和發光效率,可以解決現有材料中折射率低,玻璃轉化溫度低,熱穩定性差,易聚集結晶等問題。

    【技術實現步驟摘要】
    一種苯并五元含N雜環雜芳基胺化合物及其有機電致發光器件
    本專利技術涉及有機光電材料
    ,尤其涉及一種苯并五元含N雜環雜芳基胺化合物及其有機電致發光器件。
    技術介紹
    有機電致發光(OLED)器件經過幾十年的發展,材料體系與制備工藝日趨成熟,如今已經成功占領了高端智能手機領域并在其它應用領域蓬勃發展,但器件效率提升和壽命改善仍然是需要關注與攻克的重點問題。在材料方面,從第一代的熒光材料到第二代的磷光材料,再到第三代的熱活化延遲熒光材料,解決了發光分子三線態激子利用率低的問題。在結構方面,能壘優化、染料摻雜、串聯器件等方法提高了載流子注入和復合幾率。但是,由于光波導效應和表面等離子體基元效應,造成只有20%左右的光子能夠射出,因此對器件使用光取出技術顯得十分必要。光取出技術一方面將陷于器件內部的光能耦合出來,直接提升效率;另一方面,更多的光能以外部模式光射出,減少了器件內部的熱量積累,間接改善了壽命。提高OLED器件的發光效率,最簡單有效的方法是在透明電極上形成覆蓋層作為光取出層。光取出層材料的衰減系數越大折射率越高,材料最大吸收波長變化而使高折射率波長范圍發生變化。衰減系數和吸光系數有下式的關系(α:吸光系數、k:衰減系數、ω:光頻率、c:光速),衰減系數和吸光系數成正比,吸光系數高的材料衰減系數越高,折射率越高。α=2kω/c根據Lorentz-Lorent方程,折射率與極化率和密度成正比(n:折光率,λ:照射光波長,Pλ:極化率,V:分子體積),極化率和密度大的材料,其折射率越大。增加分子極化率、選擇相對平面性的單元是設計光取出層材料的重點。雜芳基具有提高極化率的性能,從而能得到高的折射率。(n2-1)/(n2+2)=4/3πPλ/V光取出層分為有機和無機的,有機的光取出層大多選擇具有高折光率的胺衍生物材料,此類結構存在一定的空間位阻,材料受熱冷卻后不容易結晶,化學性質穩定。胺類結構改善了光取出效率,但是不能同時保持發光色純度,特別是用在藍色發光OLED中。優異的光取出材料必須滿足三個基本條件:高的玻璃轉化溫度、在可見光范圍內有高的薄膜折射率、薄膜中分子取向整齊。低玻璃轉變溫度的分子易結晶導致薄膜穩定性較差,材料折射率高有利于光線從器件正視角射出,以及薄膜中材料分子取向整齊一致等都有利于提高光取出效率。因此研發一種折射率高、玻璃轉化溫度高的材料成為亟待解決的問題。
    技術實現思路
    針對現有技術存在的上述問題,本專利技術提供了一種苯并五元含N雜環雜芳基胺化合物及其有機電致發光器件。使用本專利技術化合物制作出的有機電致發光器件,具有光取出效率高、發光效率高、亮度高等特點。本專利技術提供了一種苯并五元含N雜環雜芳基胺化合物,所述化合物如下式Ⅰ所示:A為下式Ⅱ或Ⅲ表示的基團,B為下式IV或V表示的基團:其中,M為N-Ar1、C-R1R2中任意一個,且R1和R2可以結合成環;W為O、S、N-Ar2中的任意一個;各個Z相同或者不同,Z為N、C-R3中任意一個,當同時存在多個R3時,各個R3彼此相同或不同,且任選相鄰的R3基團可以結合成環;各個Y相同或者不同,Y為N、C-R4中任意一個,并且至少一個為N,當同時存在多個R4時,各個R4彼此相同或不同;各個G相同或者不同,G為N、C-R6中任意一個,當同時存在多個R6時,各個R6彼此相同或不同,且任選相鄰的R6基團可以結合成環;各個X相同或者不同,X為N、C-R7中任意一個,并且至少一個為N,當同時存在多個R7時,各個R7彼此相同或不同;L1-L3獨立地為單鍵、取代或未取代的C6-C30的亞芳基、取代或未取代的C3-C30的亞雜芳基中任意一種;Ar1-Ar3獨立地為取代或未取代的C6-C50的芳基、取代或未取代的C3-C50的雜芳基中的任意一種;R1-R3獨立地為氫、氕、氘、氚、氟、氯、溴、碘、腈基、取代或未取代的C1-C50的烷基、取代或未取代的C2-C50的烯基、取代或未取代的C1-C50的烷氧基、取代或未取代的C1-C50的烷基硫基、取代或未取代的C6-C50的芳基、取代或未取代的C3-C50的雜芳基中任意一種,R4、R7獨立地為氫、取代或未取代的C1-C50的烷基、取代或未取代的C6-C50的芳基、取代或未取代的C5-C6的N雜芳基中任意一種,其中同時存在多個R7時,至少兩個R7不為氫,各個R7彼此相同或不同;并且R1-R4或Ar1中任意一個與L3鍵連,當R4與L3鍵連時,不與L3鍵連的R4至少兩個不為氫;R5-R6獨立地為氫、取代或未取代的C1-C50的烷基、取代或未取代的C6-C50的芳基中任意一種,R5-R6或Ar2-Ar3中任意一個與L2鍵連。本專利技術還提供了一種有機電致發光器件,所述有機電致發光器件依次包括陽極、有機物層、陰極、覆蓋層,所述有機物層和/或覆蓋層包含本專利技術所述苯并五元含N雜環雜芳基胺化合物中任意一種。本專利技術有益效果:本專利技術的苯并五元含N雜環雜芳基胺化合物具有高的折射率,分子取向整齊,玻璃轉化溫度高,熱穩定性高,受熱冷卻后不容易結晶的特性。在OLED器件的覆蓋層應用于本專利技術化合物后,可有效提升OLED器件的光取出效率,亮度和發光效率。本專利技術所述化合物在OLED發光器件中具有良好的應用效果和產業化前景。具體實施方式:下面將結合本專利技術實施例的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例,本領域技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本專利技術的保護范圍。在本專利技術中,所述烷基可以是直鏈、支鏈或環狀的。具體實例包括甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、正戊基、異戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、2-乙基丁基、1-甲基己基、正辛基、2-乙基己基、1-乙基-丙基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基、環丙基、環丁基、環戊基、2,3-二甲基環戊基、環己基、4-甲基環己基、2,3-二甲基環己基、3,4,5-三甲基環己基、4-叔丁基環己基、環庚基等,但不限于此。在本專利技術中,所述烷氧基可以是直鏈、支鏈或環狀的。具體實例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、異丙基氧基、正丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、新戊氧基、異戊氧基、正己氧基、2-乙基丁氧基、二氧雜環己烷、芐氧基、對甲基芐氧基等,但不限于此。在本專利技術中,所述芳基可以是單環或稠環的。當所述芳基是單環芳基時,具體實例包括苯基、聯苯基、三聯苯基等,但不限于此;當所述芳基是稠環芳基時,具體實例包括萘基、蒽基、菲基、三苯基、芘基、苝基、芴基等,但不限于此。在本專利技術中,所述亞芳基意指在芳基中具有兩個鍵合位置的基團,即二價基團。上述關于芳基的描述可以應用于亞芳基,不同之處在于亞芳基是二價的。在本專利技術中,所述雜芳基包含除本文檔來自技高網
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    【技術保護點】
    1.一種苯并五元含N雜環雜芳基胺化合物,其特征在于,所述化合物如下式Ⅰ所示:/n

    【技術特征摘要】
    1.一種苯并五元含N雜環雜芳基胺化合物,其特征在于,所述化合物如下式Ⅰ所示:



    A為下式Ⅱ或Ⅲ表示的基團,B為下式IV或V表示的基團:



    M為N-Ar1、C-R1R2中任意一個,且R1和R2可以結合成環;W為O、S、N-Ar2中任意一個;
    各個Z相同或者不同,Z為N、C-R3中任意一個,當同時存在多個R3時,各個R3彼此相同或不同,且任選相鄰的R3基團可以結合成環;
    各個Y相同或者不同,Y為N、C-R4中任意一個,并且至少一個為N,當同時存在多個R4時,各個R4彼此相同或不同;
    各個G相同或者不同,G為N、C-R6中任意一個,當同時存在多個R6時,各個R6彼此相同或不同,且任選相鄰的R6基團可以結合成環;
    各個X相同或者不同,X為N、C-R7中任意一個,并且至少一個為N,當同時存在多個R7時,各個R7彼此相同或不同;
    L1-L3獨立地為單鍵、取代或未取代的C6-C30的亞芳基、取代或未取代的C3-C30的亞雜芳基中任意一種;
    Ar1-Ar3獨立地為取代或未取代的C6-C50的芳基、取代或未取代的C3-C50的雜芳基中任意一種;
    R1-R3獨立地為氫、氕、氘、氚、氟、氯、溴、碘、腈基、取代或未取代的C1-C50的烷基、取代或未取代的C2-C50的烯基、取代或未取代的C1-C50的烷氧基、取代或未取代的C1-C50的烷基硫基、取代或未取代的C6-C50的芳基、取代或未取代的C3-C50的雜芳基中任意一種,R4、R7獨立地為氫、取代或未取代的C1-C50的烷基、取代或未取代的C6-C50的芳基、取代或未取代的C5-C6的N雜芳基中任意一種,其中同時存在多個R7時,至少兩個R7不為氫,各個R7彼此相同或不同;并且R1-R4或Ar1中任意一個與L3鍵連,當R4與L3鍵連時,不與L3鍵連的R4至少兩個不為氫;
    R5-R6獨立地為氫、取代或未取代的C1-C50的烷基、取代或未取代的C6-C50的芳基中任意一種,R5-R6或Ar2-Ar3中任意一個與L2鍵連。


    2.根據權利要求1中所述一種苯并五元含N雜環雜芳基胺化合物,其特征在于,所述A如下式所示:






    R1-R3獨立地為氫、氕、氘、氚、氟、氯、溴、碘、腈基、取代或未取代的如下基團:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、環丙烯基、環戊烯基、環己烯基、環庚烯基、苯乙烯基、環丙基、環戊基、環己基、莰烷基、金剛烷基、甲氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、甲硫基、三氟甲硫基、乙硫基、苯基、萘基、蒽基、熒蒽基、噻吩基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、芴基、氮雜芴基、螺芴基、萘啶基、吡啶基、嘧啶基、吡咯基、吡嗪基、吩嗪基、吡唑基、吲唑基、噠嗪基、噻唑基、惡唑基、咪唑基、苯并噻唑基、苯并惡唑基、吲哚基、咔唑基、苯并咪唑基、吖啶基、菲啶基、酞嗪基、茚基、芘基、咔啉基、喹啉基、異喹啉基、菲羅啉基、茋基中任意一種,R4為氫、取代或未取代的如下基團:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、環丙基、環戊基、環己基、莰烷基、金剛烷基、苯基、萘基、蒽基、熒蒽基、芴基、吡啶基、三嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吡嗪基、螺芴基中任意一種,R1和R2可以結合成環,當同時存在多個R3或R4時,各個R3或R4彼此相同或不同,且任選相鄰的R3基團可以結合成環;
    Ar1為取代或未取代的如下基團:苯基、萘基、蒽基、熒蒽基、噻吩基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、芴基、氮雜芴基、螺芴基、萘啶基、吡啶基、吡咯基、吡嗪基、吩嗪基、吡唑基、吲唑基、噠嗪基、噻唑基、惡唑基、咪唑基、苯并噻唑基、苯并惡唑基、吲哚基、咔唑基、苯并咪唑基、吖啶基、菲啶基、酞嗪基、茚基、芘基、咔啉基、喹啉基、異喹啉基、菲羅啉基中任意一種;并且R1-R4或Ar1中任意一個與L3鍵連,當R4與L3鍵連時,不與L3鍵連的R4至少兩個不為氫。


    3.根據權利要求1中所述一種苯并五元含N雜環雜芳基胺化合物,其特征在于,所述A如下式所示:



    R4為氫、取代或未取代的如下基團:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、環丙基、環戊基、環己基、莰烷基、金剛烷基、苯基、萘基、蒽基、熒蒽基、芴基、吡啶基、三嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吡嗪...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:邵鈺杰孫月董秀芹
    申請(專利權)人:長春海譜潤斯科技有限公司
    類型:發明
    國別省市:吉林;22

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