【技術實現步驟摘要】
一種對碳納米管進行直接通電純化的裝置及方法
本專利技術涉及碳納米管純化的
,具體涉及一種對碳納米管進行直接通電純化的裝置及方法。
技術介紹
碳納米管作為一維納米材料,具有優異的物理機械性能,其主要是有呈六邊形排列的碳原子構成數層到數十層的同軸圓管。它具有非常大的長徑比,直徑通常在1-100nm之間,長度在數微米到數百微米。正是由于其sP2結構和巨大的長徑比,碳納米管在力學、電學、導電導熱性能方面都表現非常優異。由于其具有優異的性能,碳納米管在催化劑載體,橡膠塑料復合材料,電化學材料,光電傳感等諸多領域都具有廣闊的,潛在的應用前景。目前市面上的碳納米管都是碳源通過催化劑,經過CVD法制備得到,碳納米管產品中包含有以鐵、鈷、鎳為典型的催化劑雜質在其中。在當今的高端動力電池市場領域,碳納米管作為導電劑包覆在磷酸鐵鋰、三元等正極材料表面起到良好的提高導電性和能量密度的作用。但是前提是需要碳納米管達到高純,雜質中對于鐵的要求尤為嚴格?,F行的碳納米管提純方法有酸洗純化、氯氣提純、高溫提純等,目前酸洗成本相對較低,但是提純過程產生大量污水,且純度最高僅達到99.8%;高溫石墨化能夠達到金屬鐵小于100ppm的提純水平,但是能耗太大、產能較小、無法連續化生產、成本較高;氯氣純化方面,現有技術難以解決連續化生產、純度達到高純、電阻率升高太大的問題。專利CN106794991A提供了一種碳納米管的純化方法,其在真空或惰性氛圍中,在第一溫度下使碳納米管中的殘留金屬與含氯化合物反應,從而使所述的殘留金屬氯化,并且在高于 ...
【技術保護點】
1.一種對碳納米管進行通電純化的裝置,其特征在于,包括主反應器,該主反應器從上至下包括依次設置的物料預熱段、低溫加熱反應段、高溫加熱反應段、物料降溫段,主反應器的上端連接加料閥門,加料閥門連接進料稱量裝置,該進料稱量裝置連接恒壓罐,恒壓罐連接碳納米管儲存罐;還包括對碳納米管加熱的通電電極,該通電電極分別位于物料預熱段、低溫加熱反應段和高溫加熱反應段的上下端點;還包括聯通至高溫加熱反應段的進氣管,該進氣管上設置氮氣進氣支管和酸性氣體進氣支管;在主反應器上端還連接尾氣吸收裝置,在主反應器的尾氣出口上設置反應爐碳管過濾器,尾氣吸收裝置出口連接至污水處理裝置,在該尾氣吸收裝置出口設置檢測裝置;高溫加熱反應段與物料降溫段之間設置高溫放料閥,在物料降溫段上部設置置換過濾裝置,該置換過濾裝置依次連接置換氮氣流量計和置換氮氣截止閥,在物料降溫段的出口連接冷卻罐,在物料降溫段和冷卻罐之間設置置換裝置高溫放料閥,冷卻罐連接成品罐。/n
【技術特征摘要】
1.一種對碳納米管進行通電純化的裝置,其特征在于,包括主反應器,該主反應器從上至下包括依次設置的物料預熱段、低溫加熱反應段、高溫加熱反應段、物料降溫段,主反應器的上端連接加料閥門,加料閥門連接進料稱量裝置,該進料稱量裝置連接恒壓罐,恒壓罐連接碳納米管儲存罐;還包括對碳納米管加熱的通電電極,該通電電極分別位于物料預熱段、低溫加熱反應段和高溫加熱反應段的上下端點;還包括聯通至高溫加熱反應段的進氣管,該進氣管上設置氮氣進氣支管和酸性氣體進氣支管;在主反應器上端還連接尾氣吸收裝置,在主反應器的尾氣出口上設置反應爐碳管過濾器,尾氣吸收裝置出口連接至污水處理裝置,在該尾氣吸收裝置出口設置檢測裝置;高溫加熱反應段與物料降溫段之間設置高溫放料閥,在物料降溫段上部設置置換過濾裝置,該置換過濾裝置依次連接置換氮氣流量計和置換氮氣截止閥,在物料降溫段的出口連接冷卻罐,在物料降溫段和冷卻罐之間設置置換裝置高溫放料閥,冷卻罐連接成品罐。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述的通電電極從主反應器外插入主反應器內部,結合處采用石墨或者高溫澆注料進行密封。
3.根據權利要求1或2所述的裝置,其特征在于,物料預熱段、低溫加熱反應段、高溫加熱反應段、物料降溫段的長度比例為2:4:4:5;該主反應器的加熱形式為對碳納米管物料直接通電。
4.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,在氮氣進氣支管上設置氮氣截止閥和氮氣流量計;在酸性氣體支管上設置酸性氣體截止閥和酸性氣體流量計;進一步優選,所述的尾氣吸收裝置上部設置噴頭。
5.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述的碳納米管儲存罐設置惰性氣體置換及排氣脈沖過濾裝置。;進一步優選,在成品罐上端設置過濾器,下端設置出料關風機;在冷卻罐的下端設置出料關風機。
6.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述主反應器的主體材質為石墨內膽匹配外層為澆筑材料、石英管、耐高溫材料圍成的桶狀和窯狀反應器或者他們的組合。
7.一種對碳納米管進行通電純化的方法,根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,利用石墨內膽的反應器采用酸性氣體對碳納米管進行連續提純,具體步驟如下:
(1)系統在惰...
【專利技術屬性】
技術研發人員:呂振華,李巖,李龍利,耿磊,王蓮蓮,
申請(專利權)人:山東晶石大展納米科技有限公司,山東大展納米材料有限公司,
類型:發明
國別省市:山東;37
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