掩膜版、版圖、光刻系統及其光刻工藝方法技術方案

一種掩膜版、版圖、光刻系統及其光刻工藝方法，掩膜版包括：基板，所述基板對于曝光光線具有透光性；遮光膜，所述遮光膜覆蓋所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主圖形及輔助圖形，所述主圖形對于曝光光線具有遮光性且可轉移，所述輔助圖形對于曝光光線具有遮光性但不可轉移。本發明專利技術能夠在保證主圖形正常轉移的同時降低所述掩膜版的透光率。

Mask plate, layout, lithography system and lithography process

【技術實現步驟摘要】
掩膜版、版圖、光刻系統及其光刻工藝方法
本專利技術涉及半導體制造
，尤其涉及一種掩膜版、版圖、光刻系統及其光刻工藝方法。
技術介紹
光刻工藝是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，常規光刻技術是采用波長為2000～4500埃的紫外光作為曝光光線，以掩膜版為中間媒介實現圖形的變換、轉移和處理，最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質層上的一種工藝。光刻掩膜版是光刻工藝所使用的圖形母版，是由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜圖形結構。掩膜版的應用十分廣泛，在涉及光刻工藝的領域都有應用，如IC(IntegratedCircuit，集成電路)、FPD(FlatPanelDisplay，平板顯示器)、PCB(PrintedCircuitBoards，印刷電路板)制造領域等。但是，現有掩膜版的結構仍有待改進。
技術實現思路
本專利技術解決的問題是提供一種掩膜版、版圖、光刻系統及其光刻工藝方法，在保證主圖形正常轉移的同時能夠降低所述掩膜版的透光率。為解決上述問題，本專利技術提供一種掩膜版，包括：基板，所述基板對于曝光光線具有透光性；遮光膜，所述遮光膜覆蓋所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主圖形及輔助圖形，所述主圖形對于曝光光線具有遮光性且可轉移，所述輔助圖形對于曝光光線具有遮光性但不可轉移。可選的，所述輔助圖形呈直線狀、點狀或者曲線狀。可選的，所述輔助圖形的寬度小于所述曝光光線波長的四分之一。可選的，所述輔助圖形與所述主圖形距離大于所述曝光光線波長的二分之一。可選的，所述輔助圖形的數量為一個或者多個。可選的，當所述輔助圖形的數量為多個時，相鄰所述輔助圖形間距大于所述曝光光線波長的三分之一。相應的，本專利技術還提供一種上述掩膜版的版圖，包括所述主圖形及輔助圖形。相應的，本專利技術還提供一種光刻系統，包括：光源，適于發出曝光光線；掩膜版，適于接收所述曝光光線，輸出攜帶所述主圖形的圖像信息的處理光線；投影光學系統，適于接收所述處理光線并對所述處理光線進行投影；晶片，適于接收所述投影光學系統投影的所述處理光線，形成與所述主圖形對應的轉移圖形。可選的，所述晶片包括基底及覆蓋所述基底表面的光刻膠層。相應的，本專利技術還提供一種所述光刻系統的光刻工藝方法，包括：所述光源發出曝光光線；所述掩膜版接收所述曝光光線，并輸出攜帶所述主圖形的圖像信息的處理光線；所述投影光學系統接收所述處理光線，并將所述處理光線投影至所述晶片表面上；所述晶片接收所述投影光學系統投影的所述處理光線，形成與所述主圖形對應的轉移圖形。與現有技術相比，本專利技術的技術方案具有以下優點：所述掩膜版包括基板及遮光膜，所述基板對于曝光光線具有透光性，所述遮光膜覆蓋所述基板部分底部表面。所述遮光膜形成主圖形及輔助圖形。由于所述主圖形對于曝光光線具有遮光性且可轉移，因而所述主圖形可通過曝光過程轉移至晶片上。由于所述輔助圖形對于曝光光線具有遮光性但不可轉移，因此所述輔助圖形不會轉移至晶片上，因而不會影響到所述主圖形的正常轉移過程。再者，由于所述輔助圖形對于曝光光線具有遮光性，因此所述輔助圖形能夠降低曝光光線照射所述掩膜版的透光率，從而防止位于所述掩膜版與晶片間的投影光學系統發熱過快，更好地保護投影光學系統，延長該系統的使用壽命。附圖說明圖1是本專利技術一實施例的掩膜板的結構示意圖；圖2是本專利技術一實施例的主圖形及輔助圖形的結構示意圖；圖3是本專利技術另一實施例的主圖形及輔助圖形的結構示意圖；圖4是本專利技術又一實施例的主圖形及輔助圖形的結構示意圖；圖5是本專利技術其他實施例的主圖形及輔助圖形的結構示意圖；圖6是本專利技術一實施例的光刻系統的結構示意圖；圖7及圖8是本專利技術光刻工藝方法一實施例中各步驟對應的結構示意圖。具體實施方式由
技術介紹
可知，現有掩膜版的結構仍有待提高。現結合一種掩膜版進行分析，所述掩膜版包括基板及遮光膜，所述基板對于曝光光線具有透光性，所述遮光膜覆蓋所述基板部分底部表面。所述遮光膜形成對于曝光光線具有遮光性且可轉移的幾何圖形。所述掩膜版對所述曝光光線具有高透光率，容易造成位于所述掩膜版與晶片間的投影光學系統發熱過快。專利技術人對上述掩膜版進行了研究，經創造性勞動，專利技術人注意到，通過形成包括主圖形及輔助圖形的遮光膜，能夠降低掩膜版的透光率且可避免對主圖形正常轉移造成影響。為使本專利技術的上述目的、特征和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本專利技術的具體實施例做詳細的說明。參考圖1，一種掩膜版100，包括：基板110及遮光膜200，所述遮光膜200覆蓋所述基板110部分底部表面。所述基板110對于曝光光線具有透光性。本實施例中，所述基板110材料為透明玻璃。具體的，所述基板110材料為石英玻璃、蘇打玻璃或者低膨脹玻璃。在其他實施例中，所述基板110的材料還可以為透明樹脂。圖2是本專利技術一實施例的主圖形210及輔助圖形220的結構示意圖。參考圖2，本實施例中，所述基板110表面形狀呈長方形，所述長方形包括沿第一方向x延伸的第一側邊及沿第二方向y延伸的第二側邊，所述第一側邊長度大于所述第二側邊長度。所述遮光膜200對于曝光光線具有遮光性。本實施例中，所述遮光膜200材料為鉻。在其他實施例中，所述遮光膜200材料為氧化鐵、硅化鉬或者硅；此外，所述遮光膜200材料還可以為乳膠。所述遮光膜200形成主圖形210及輔助圖形220，所述主圖形210對于曝光光線具有遮光性且可轉移，所述輔助圖形220對于曝光光線具有遮光性但不可轉移。所述主圖形210為待轉移圖形，所述主圖形210的尺寸大于光刻系統的分辨率，因而所述主圖形210能夠轉移到晶片上。所述輔助圖形220對于曝光光線具有遮光性但不可轉移，因此所述輔助圖形220能夠起到降低所述掩膜版100的透光率的作用。所本實施例中，所述輔助圖形220呈直線狀。在其他實施例中，所述輔助圖形220呈點狀或者曲線狀；其中，所述輔助圖形220呈點狀時，所述輔助圖形220可以呈圓形或者不規則圖形狀。所述輔助圖形220的尺寸小于光刻系統的分辨率，因而所述輔助圖形220不會被轉移到晶片上，從而能夠避免對所述主圖形210的轉移造成影響，保證所述主圖形210轉移的正常進行。本實施例中，所述輔助圖形220延伸方向平行于所述第二方向y。在其他實施例中，所述輔助圖形220延伸方向平行于所述第一方向x，或者，所述輔助圖形220延伸方向相對所述第一方向x及所述第二方向y傾斜。所述輔助圖形220的寬度W1小于所述曝光光線波長的四分之一。若所述輔助圖形的寬度值過大，所述輔助圖形的尺寸大于光刻系統的分辨率，所述輔助圖形經曝光過程能夠轉移到晶片上，影響晶片的制造質量。本實施例中，所述輔助圖形220呈直線狀，所述直線狀圖形的寬度W1小于所述曝光光線波長的四分之一。具體的，本實施例中，所述輔助圖形220的寬度本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種掩膜版，其特征在于，包括：/n基板，所述基板對于曝光光線具有透光性；/n遮光膜，所述遮光膜覆蓋所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主圖形及輔助圖形，所述主圖形對于曝光光線具有遮光性且可轉移，所述輔助圖形對于曝光光線具有遮光性但不可轉移。/n

【技術特征摘要】
1.一種掩膜版，其特征在于，包括：
基板，所述基板對于曝光光線具有透光性；
遮光膜，所述遮光膜覆蓋所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主圖形及輔助圖形，所述主圖形對于曝光光線具有遮光性且可轉移，所述輔助圖形對于曝光光線具有遮光性但不可轉移。


2.如權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述輔助圖形呈直線狀、點狀或者曲線狀。


3.如權利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述輔助圖形的寬度小于所述曝光光線波長的四分之一。


4.如權利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述輔助圖形與所述主圖形距離大于所述曝光光線波長的二分之一。


5.如權利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述輔助圖形的數量為一個或者多個。


6.如權利要求5所述的掩膜版，其特征在于，當所述輔助圖形的數量為多個時，相鄰所述輔助圖形間距大于所述曝光光線波長的三分之一。


7.如權利要求...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李偉峰，
申請(專利權)人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31