信號的傳輸方法和電路技術

本發(fā)明專利技術提供了一種信號的傳輸方法和電路，其中，該方法包括：在傳輸SIM卡信號之前，將SIM卡信號轉換為高電平信號，傳輸高電平信號，后續(xù)識別該高電平信號為SIM卡信號，采用上述技術方案，傳輸高電平信號，提高了基準電壓，信號抗干擾能力增強，解決了相關技術中主體設備中SIM卡信號由于傳輸距離遠導致信號差的問題，保證了遠距離傳輸?shù)腟IM卡的信號質量。

Signal Transmission Method and Circuit

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
信號的傳輸方法和電路
本專利技術涉及通信領域，具體而言，涉及一種信號的傳輸方法和電路。
技術介紹
在相關技術中，傳統(tǒng)遠程信息處理器(TelematicsBOX，簡稱為TBOX)車載產品都會內置eSIM芯片進行語音通話、上網(wǎng)等業(yè)務，所謂eSIM卡的概念就是將傳統(tǒng)SIM卡直接嵌入到設備芯片上，而不是作為獨立的可移除零部件加入設備中，使用eSIM芯片為用戶帶來更多的便利和安全性。但是一旦eSIM發(fā)生欠費或芯片損壞等異常情況，此時如果TBOX上冗余了SIM卡座，就可以作為應急方案來解決突發(fā)情況。一般TBOX都具有完整的結構件，同時都會安置在密封的汽車發(fā)動機艙內，如果將冗余的SIM卡座放置到TBOX本體上，不方便用戶進行SIM卡插拔等操作，緊急時刻用戶無法快速打開發(fā)動機艙，因此需要將SIM卡放置到用戶易接觸、方便插拔的位置，這樣會出現(xiàn)SIM卡與TBOX主體之間存在一定距離，SIM卡信號從TBOX主體主處理器基帶芯片出來后經(jīng)過遠距離傳輸必然會造成信號失真，抗干擾能力減弱。針對相關技術中主體設備中SIM卡信號由于傳輸距離遠導致信號差的問題，目前還沒有有效的解決方案。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術實施例提供了一種信號的傳輸方法和電路，以至少解決相關技術中主體設備中SIM卡信號由于傳輸距離遠導致信號差的問題。根據(jù)本專利技術的一個實施例，提供了一種信號的傳輸方法，包括：接收基帶芯片輸出的SIM卡信號；轉換所述SIM卡信號為高電平信號，并傳輸所述高電平信號；識別所述高電平信號為所述SIM卡信號。根據(jù)本專利技術的另一個實施例，還提供了一種電路，包括：基帶芯片輸出SIM卡信號至轉換芯片；所述轉換芯片轉換所述SIM卡信號為高電平信號，并傳輸所述高電平信號至SIM卡識別電路；所述SIM卡識別電路識別所述高電平信號為所述SIM卡信號。通過本專利技術，在傳輸SIM卡信號之前，將SIM卡信號轉換為高電平信號，傳輸高電平信號，后續(xù)識別該高電平信號為SIM卡信號，采用上述技術方案，傳輸高電平信號，提高了基準電壓，信號抗干擾能力增強，解決了相關技術中主體設備中SIM卡信號由于傳輸距離遠導致信號差的問題，保證了遠距離傳輸?shù)腟IM卡的信號質量。附圖說明此處所說明的附圖用來提供對本專利技術的進一步理解，構成本申請的一部分，本專利技術的示意性實施例及其說明用于解釋本專利技術，并不構成對本專利技術的不當限定。在附圖中：圖1是根據(jù)本專利技術實施例的一種信號的傳輸方法流程圖；圖2是根據(jù)本專利技術優(yōu)選實施例的信號電平轉換電路框圖；圖3是根據(jù)本專利技術優(yōu)選實施例的比較器電路示意圖；圖4是根據(jù)本專利技術優(yōu)選實施例的SIM卡電源專用電路示意圖；圖5是根據(jù)本專利技術優(yōu)選實施例的傳輸SIM卡信號的流程圖；圖6是根據(jù)本專利技術優(yōu)選實施例的識別SIM卡信號的流程圖。具體實施方式下文中將參考附圖并結合實施例來詳細說明本專利技術。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。需要說明的是，本專利技術的說明書和權利要求書及上述附圖中的術語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。實施例一在本實施例中提供了一種信號的傳輸方法，圖1是根據(jù)本專利技術實施例的一種信號的傳輸方法流程圖，如圖1所示，該流程包括如下步驟：步驟S102，接收基帶芯片輸出的SIM卡信號；步驟S104，轉換該SIM卡信號為高電平信號，并傳輸該高電平信號；步驟S106，識別該高電平信號為該SIM卡信號。通過上述步驟，在傳輸SIM卡信號之前，將SIM卡信號轉換為高電平信號，傳輸高電平信號，后續(xù)識別該高電平信號為SIM卡信號，采用上述技術方案，傳輸高電平信號，提高了基準電壓，信號抗干擾能力增強，解決了相關技術中主體設備中SIM卡信號由于傳輸距離遠導致信號差的問題，保證了遠距離傳輸?shù)腟IM卡的信號質量。可選地，該SIM卡信號包括以下至少之一：SIM卡電源信號、SIM卡時鐘信號、SIM卡復位信號、SIM卡數(shù)據(jù)信號；該高電平信號包括以下至少之一：與輸出電壓4.5V匹配的電源信號、與輸出電壓4.5V匹配的時鐘信號，與輸出電壓4.5V匹配的復位信號、與輸出電壓4.5V匹配的數(shù)據(jù)信號。可選地，傳輸該高電平信號之前，經(jīng)過比較器電路確定該SIM卡電源信號對應的芯片引腳MOD_VCC的電平高低。可選地，，經(jīng)過比較器電路確定該SIM卡電源信號對應的芯片引腳MOD_VCC的電平高低，包括：該比較器電路的IN-引腳連接至參考信號，其中，該參考信號為該高電平信號經(jīng)過預設分壓電路獲取的信號；該比較器電路的IN+引腳連接至該SIM卡電源信號；依據(jù)該參考信號和該SIM卡電源信號的電壓值確定該芯片引腳MOD_VCC為高電平或低電平。可選地，經(jīng)過比較器電路確定該SIM卡電源信號對應的芯片引腳MOD_VCC的電平高低，包括：在該SIM卡電源信號為1.8V時，確定該MOD_VCC為低電平；在該SIM卡電源信號為3V時，確定該MOD_VCC為高電平。可選地，識別該高電平信號為該SIM卡信號包括：依據(jù)該MOD_VCC的電平高低確定輸出信號SIM-VCC的輸出電壓；依據(jù)該輸出電壓確定SIM卡信號，并傳輸該SIM卡信號至對應的SIM卡座。下面結合本專利技術優(yōu)選實施例進行詳細說明。本專利技術所示的方案由兩部分電路組成，分別為信號電平轉換電路和用戶身份識別卡(SubscriberIdentificationModule，簡稱為SIM)卡識別電路。信號遠距離傳輸會造成SIM卡的電源、時鐘、復位和數(shù)據(jù)信號不干凈，將真實信號淹沒，抗干擾能力減弱，信號電平轉換電路主要作用是提高各信號的抗干擾能力，通過一個多路電壓轉換芯片將SIM卡電源、時鐘、復位和數(shù)據(jù)信號轉換成與高電平VCC匹配的信號，基準電壓提高了，信號抗干擾能力就會增強，將此部分電路布局在TBOX主體上；轉換后的信號連到連接器通過長導線傳輸?shù)絊IM卡識別電路板上，此部分電路主要用于SIM卡規(guī)格識別，因為通過電平轉換芯片轉換的信號并不是標準的SIM卡信號，SIM卡識別電路板主要包括電源電路、比較器電路、1.8V/3VSIM卡電源專用電路和SIM卡座。原理是借用1.8V/3VSIM卡電源專用芯片，通過比較器的輸出高低來調節(jié)SIM卡電源芯片的輸出電平，從而完成識別過程。圖2是根據(jù)本專利技術優(yōu)選實施例的信號電平轉換電路框圖，如圖2所示，本實施例提供了一種電平轉換電路，如圖2所示，主處理器基帶芯片輸出的SIM卡電源信號、時鐘信號、復位信號和數(shù)據(jù)信號通過四路電平轉換芯片轉換成與輸出電壓4.5V匹配的電源信號、時鐘信號、復位信號和數(shù)據(jù)信號，原理是基準電壓提高了，抗干擾能力隨之增強。在SIM卡識別電路中，包含兩部分電路，比較器電路和SIM卡電源專用電路。具體地，圖3是根據(jù)本專利技術優(yōu)選實施例的比較器電路示意圖，如圖3所示，經(jīng)過上一步的電平轉換芯片得到的4.5V電源信號，通過分壓電路得到參考電壓，連接比較器的IN-引腳，這里參考電壓為2.65V，參考電壓必須保證介于1.8V～3.0V之間，SIM卡電源信號為主處理器基帶芯片側輸出的VREG_L6_UIM1，取值為1.8V/3.0V，通過分壓后連接比較器的IN+引腳。當VREG_L6_UIM1＝1.8V時，通過分壓后IN+側為1.27V，此時比較器輸出MOD_VCC的值為低；當VREG_L6_UIM1＝3.本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
1.一種信號的傳輸方法，其特征在于，包括：接收基帶芯片輸出的用戶身份識別卡SIM卡信號；轉換所述SIM卡信號為高電平信號，并傳輸所述高電平信號；識別所述高電平信號為所述SIM卡信號。

【技術特征摘要】
1.一種信號的傳輸方法，其特征在于，包括：接收基帶芯片輸出的用戶身份識別卡SIM卡信號；轉換所述SIM卡信號為高電平信號，并傳輸所述高電平信號；識別所述高電平信號為所述SIM卡信號。2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述SIM卡信號包括以下至少之一：SIM卡電源信號、SIM卡時鐘信號、SIM卡復位信號、SIM卡數(shù)據(jù)信號；所述高電平信號包括以下至少之一：與輸出電壓4.5V匹配的電源信號、與輸出電壓4.5V匹配的時鐘信號，與輸出電壓4.5V匹配的復位信號、與輸出電壓4.5V匹配的數(shù)據(jù)信號。3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，傳輸所述高電平信號之前，所述方法還包括：經(jīng)過比較器電路確定所述SIM卡電源信號對應的芯片引腳MOD_VCC的電平高低。4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，經(jīng)過比較器電路確定所述SIM卡電源信號對應的芯片引腳MOD_VCC的電平高低，包括：所述比較器電路的IN-引腳連接至參考信號，其中，所述參考信號為所述高電平信號經(jīng)過預設分壓電路獲取的信號；所述比較器電路的IN+引腳連接至所述SIM卡電源信號；依據(jù)所述參考信號和所述SIM卡電源信號的電壓值確定所述芯片引腳MOD_VCC為高電平或低電平。5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，經(jīng)過比較器電路確定所述SIM卡電源信號對應的芯片引腳MOD_VCC的電平高低，包括：在所述SIM卡電源信號為1.8V時，確定所述MOD_VCC為低電平；在所述SIM卡電源信號為3V時，確定所述MOD_VCC為高電平。...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：邵玉萍，
申請(專利權)人：上海中興軟件有限責任公司，
類型：發(fā)明
國別省市：上海,31