鎢酸鋅單晶體的熱處理去色工藝制造技術

這是一種用于制備外觀完全去色的鎢酸鋅單晶的熱處理工藝．其特征在于，在大氣氣氛中進行熱處理的同時，須在晶片的Ｃ方向（〔００１〕方向）施加電場．這個電場由２００～３００伏直流電壓產生，此時爐子的加熱溫度在１１００～１２００℃之間，保溫時間視晶體厚度而定，這樣，就能獲得外觀完全去色的鎢酸鋅單晶，經測定，其性能指標均優于用一般熱處理方法獲得的同類單晶體．（*該技術在2005年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
采用恰克洛斯基(Cgochralski)方法在大氣氣氛中生長的鎢酸鋅單晶一般需要再進行一次熱處理去色工藝才能減弱或消除其自吸收現象，提高其發光效率。熱處理去色工藝一般是在大氣氣氛下進行的，這時晶體的顏色由紅玫瑰色變成黃色，發光強度提高了5～7%左右但不能完全去色。為了解決這個問題，本專利技術要求在熱處理時，于晶片的C方向(〔001〕方向)施加由200～300伏直流電壓形成的電場。此時爐子的加熱溫度是在1100～1200℃之間，其最佳溫度范圍為1150～1190℃，保溫時間視晶體厚度而定，其結果可獲得外觀完全去色的鎢酸鋅單晶。實施例按本專利技術的要求，在250伏直流電壓下，在1180℃保溫50小時可獲得15×11×9(mm)外觀完全去色的鎢酸鋅單晶。經測定，其性能指標如下光輻射長度1.1cm發射譜峰值480μm光衰減時間4ms8ms12ms24ms光產額890P/Meν能量分辨率12.6～15%相對發光效率～30%無潮解現象。參考文獻1.英國專刊 GB 2089777AProcess for heat-treating single crystal of tungstate.

【技術保護點】
鎢酸鋅單晶的熱處理去色工藝，一般是在大氣氣氛中進行的，本專利技術的特征在于，要求在熱處理時在晶片的Ｃ方向施加電場。

【技術特征摘要】
1.鎢酸鋅單晶的熱處理去色工藝，一般是在大氣氣氛中進行的，本發明的特征在于，要求在熱處理時在晶片的C方向施加電場。2.根據權利要求1的工藝，其中所說的電場其特征在于，它是由2...

【專利技術屬性】
技術研發人員：周亞棟，劉國慶，汪良苗，臧勁存，
申請(專利權)人：北京工業大學，
類型：發明
國別省市：11[中國|北京]