薄型化保護元件制造技術

本發明專利技術的薄型化保護元件，在一絕緣基板上設有至少兩個供與外部電路電氣連接的電極，另有一可供于預先設定溫度下熔斷的熔斷結構電氣連接于該至少兩個電極之間，以及設有一至少將該熔斷結構遮蔽的屏蔽結構，其屏蔽結構由絕緣熱塑性材料透過成膜加工技術直接覆設于熔斷結構表面，可配合燒熔的熔斷結構的隆起而對應變型，且不致被隆起的熔斷結構撐毀，藉以有效縮減整體保護元件的體積，有助于所應用的產品朝向薄型化方向發展。

Thin type protection element

Thin protective element of the invention, the insulating substrate is provided with at least two supply and external circuit is electrically connected with the electrode, another available to the preset temperature fuse structure of electrical fuse is connected to the at least two electrodes, and at least the fuse structure is provided with a shielding shielding structure, shielding the insulation structure is composed of a thermoplastic material through film processing technology directly coated on the surface structure of fuse with fuse structure, melting the uplift and the corresponding variant, and not to be raised up the fuse structure destroyed, so as to effectively reduce the overall protection of the element volume, contributes to the application of the product toward the direction of thin the development of.

【技術實現步驟摘要】
薄型化保護元件
本專利技術有關一種過電流/過電壓保護元件，特別是指一種可以有效縮減體積，有助于所應用的產品朝向薄型化方向發展的薄型化保護元件。
技術介紹
眾所周知，一般電流/過電壓保護元件(以下統稱保護元件)，主要用以保護電路中的電路或電器設施，防止其受到瞬間超額的電流或過高的電壓而對精密電子設備造成損壞。當瞬間電流超過預定的電流額值時，保護元件當中以合金材料所完成熔斷結構因瞬間過大的電流所產生的熱量而被高溫燒熔，進而形成斷路，使過大的電流不再流入電路中，以保護電路及電器設備免于損壞。如圖1所示，已知一種習用保護元件具有在一絕緣基板11上的兩個電極部12，另于該兩個電極部12之間連接一由低熔點的合金材料所完成的熔斷結構13，且于該絕緣基板11上罩設一至少將該熔斷結構遮蔽的屏蔽結構14，防止熔斷結構氧化以及避免周邊的電子元件或電路遭燒熔的金屬損毀。一般熔斷結構13因為高溫而燒熔的部分會因為內聚現象而呈如圖中所示的隆凸狀；再者，習用保護元件使用屏蔽結構14多由相對較具剛性的材料制成，且透過組裝或黏著的方式固定于該絕緣基板11上，其為避免遭熔斷結構13燒熔的部位撐毀，而必須在其與熔斷結構13之間形成一腔室空間。如此不但無法有效縮減保護元件的體積，且亦相對較不利于所應用的產品朝薄型化方向發展；尤其，整個保護元件于實際生產時，同時必須囊括屏蔽結構14的成型及組裝的工時、工序成本，甚至因為屏蔽結構14組裝不良而影響保護元件的良率。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術主要提供一種可以有效縮減體積，有助于所應用的產品朝向薄型化方向發展的薄型化保護元件。本專利技術的薄型化保護元件，在一絕緣基板上設有至少兩個供與外部電路電氣連接的電極，另有一可供于預先設定溫度下熔斷的熔斷結構電氣連接于該至少兩個電極之間，以及設有一至少將該熔斷結構遮蔽的屏蔽結構；其特征在于：該屏蔽結構由絕緣熱塑性材料透過成膜加工技術直接覆設于該熔斷結構表面。利用上述結構特征，本專利技術的薄型化保護元件在瞬間電流超過預定的電流額值，而使熔斷結構被高溫燒熔的情況下，其屏蔽結構可配合燒熔的熔斷結構的隆起而對應變型，且同時接受高溫作用而產生極佳的延展性，不致被隆起的熔斷結構撐毀，藉以可以有效縮減整體保護元件的體積，有助于所應用的產品朝向薄型化方向發展。依據上述技術特征，所述該熔斷結構以合金型態呈現。依據上述技術特征，所述該熔斷結構由至少兩種不同熔點的金屬層所疊置構成。依據上述技術特征，所述該熔斷結構由下而上依序設有一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。依據上述技術特征，所述該熔斷結構由下而上依序設有一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。依據上述技術特征，所述該熔斷結構由下而上依序設有一高熔點金屬層、一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。依據上述技術特征，所述該熔斷結構由下而上依序設有一低熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。依據上述技術特征，所述該熔斷結構由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。依據上述技術特征，所述該熔斷結構由下而上依序設有一低熔點金屬層、一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。依據上述技術特征，所述該熔斷結構由下而上依序設有一高熔點金屬層、一低熔點金屬層、一高熔點金屬層及一高熔點金屬層。依據上述技術特征，所述該熔斷結構由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層、一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。依據上述技術特征，所述該熔斷結構由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。依據上述技術特征，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為30：1~120：1；該銅金屬層的厚度介于0.1~2um；該錫金屬層的厚度介于3~240um。依據上述技術特征，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為60：1；該銅金屬層的厚度為1.5um；該錫金屬層的厚度為90um。依據上述技術特征，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為50：1~160：1；該鎳金屬層的厚度介于0.1~2um；該錫金屬層的厚度介于5~320um。依據上述技術特征，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為90：1；該鎳金屬層的厚度為1um；該錫金屬層的厚度為90um。依據上述技術特征，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為25：1~110：1；該銀金屬層的厚度介于0.1~2um；該錫金屬層的厚度介于2.5~220um。依據上述技術特征，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為50：1；該銀金屬層的厚度為1.5um；該錫金屬層的厚度為75um。依據上述技術特征，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為60：1：1~240：1：1；該銅金屬層加上該銀金屬層的厚度介于0.2~4um；該錫金屬層的厚度介于6~480um。依據上述技術特征，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為120：1：1；該銅金屬層加上該銀金屬層的厚度為1.5um；該錫金屬層的厚度為90um。依據上述技術特征，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層、該鎳金屬層及該銅金屬層的體積比為100：0.5：1~320：0.5：1；該鎳金屬層加上該銅金屬層的厚度介于0.15~3um；該錫金屬層的厚度介于10~640um。依據上述技術特征，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層、該鎳金屬層及該銅金屬層的體積比為200：0.5：1；該鎳金屬層加上該銅金屬層的厚度為0.6um；該錫金屬層的厚度為80um。依據上述技術特征，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銀構成的銀金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層、該銀金屬層及該鎳金屬層的體積比為50：1：0.5~220：1：0.5；該銀金屬層加上該鎳金屬層的厚度介于0.15~3um；該錫金屬層的厚度介于5~440um。依據上述技術特征，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銀構成的銀金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層、該銀金屬層及該鎳金屬層的體積比為150：1：0.5；該銀金屬層加上該鎳金屬層的厚度為0.6um；該錫金屬層的厚度為80um。依據上述技術特征，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層、一由鎳構成的鎳金屬層及一由鉻構成的鉻金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層、該鎳金屬層及該鉻金屬層的體積比為80：1：0.5：0.125~300：1：0.5：0.125；該銅金屬層加上該鎳金屬層加上該鉻金屬層的厚度介于0.1625~3.25um；該錫金屬層的厚度介于8~600um。依據上述技術特征，所述該熔斷結構設有一由錫構成的錫本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種薄型化保護元件，在一絕緣基板上設有至少兩個供與外部電路電氣連接的電極，另有一可供于預先設定溫度下熔斷的熔斷結構電氣連接于該至少兩個電極之間，以及設有一至少將該熔斷結構遮蔽的屏蔽結構；其特征在于：該屏蔽結構由絕緣熱塑性材料透過成膜加工技術直接覆設于該熔斷結構表面。

【技術特征摘要】
1.一種薄型化保護元件，在一絕緣基板上設有至少兩個供與外部電路電氣連接的電極，另有一可供于預先設定溫度下熔斷的熔斷結構電氣連接于該至少兩個電極之間，以及設有一至少將該熔斷結構遮蔽的屏蔽結構；其特征在于：該屏蔽結構由絕緣熱塑性材料透過成膜加工技術直接覆設于該熔斷結構表面。2.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構以合金型態呈現。3.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構由至少兩種不同熔點的金屬層所疊置構成。4.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構由下而上依序設有一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。5.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構由下而上依序設有一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。6.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構由下而上依序設有一高熔點金屬層、一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。7.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構由下而上依序設有一低熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。8.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。9.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構由下而上依序設有一低熔點金屬層、一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一高熔點金屬層。10.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構由下而上依序設有一高熔點金屬層、一低熔點金屬層、一高熔點金屬層及一高熔點金屬層。11.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層、一低熔點金屬層及一高熔點金屬層。12.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構由下而上依序設有一高熔點金屬層、一高熔點金屬層、一高熔點金屬層及一低熔點金屬層。13.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為30：1~120：1；該銅金屬層的厚度介于0.1~2um；該錫金屬層的厚度介于3~240um。14.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銅構成的銅金屬層；該錫金屬層與該銅金屬層的體積比為60：1；該銅金屬層的厚度為1.5um；該錫金屬層的厚度為90um。15.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為50：1~160：1；該鎳金屬層的厚度介于0.1~2um；該錫金屬層的厚度介于5~320um。16.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由鎳構成的鎳金屬層；該錫金屬層與該鎳金屬層的體積比為90：1；該鎳金屬層的厚度為1um；該錫金屬層的厚度為90um。17.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為25：1~110：1；該銀金屬層的厚度介于0.1~2um；該錫金屬層的厚度介于2.5~220um。18.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層與該銀金屬層的體積比為50：1；該銀金屬層的厚度為1.5um；該錫金屬層的厚度為75um。19.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為60：1：1~240：1：1；該銅金屬層加上該銀金屬層的厚度介于0.2~4um；該錫金屬層的厚度介于6~480um。20.如權利要求1所述的薄型化保護元件，其特征在于，該熔斷結構設有一由錫構成的錫金屬層、一由銅構成的銅金屬層及一由銀構成的銀金屬層；該錫金屬層、該銅金屬層及該銀金屬層的體積比為120：1：1；...

【專利技術屬性】
技術研發人員：何昌緯，王海峰，陳憶，
申請(專利權)人：東莞華恒電子有限公司，何昌緯，
類型：發明
國別省市：廣東,44