近紅外熒光發射的InP量子點的制備制造技術

本發明專利技術是一種近紅外熒光發射的InP量子點的制備方法，即利用InCl3和三(二乙胺基)膦，以油胺為溶劑，首先合成具有特定表面缺陷的InP核，然后在表面包裹ZnSe，或依次包裹ZnSe和ZnS，得到激子熒光(約600nm)和缺陷熒光(約825nm)雙發射的InP量子點。

Preparation of near infrared fluorescence emitting InP quantum dots

The invention relates to a preparation method of near-infrared fluorescence emission of InP quantum dots, namely the use of InCl3 and three (diethylamino) phosphine, with oil amine solvent, first synthesized with specific surface defects of InP core, then wrapped on the surface of ZnSe, or ZnSe and ZnS get covered, exciton emission (about 600nm) fluorescence and defect (about 825nm) InP quantum dots double emission.

【技術實現步驟摘要】
近紅外熒光發射的InP量子點的制備
：本專利技術涉及近紅外熒光發射(825nm)的InP量子點的制備方法。
技術介紹
：量子點是一類新型納米熒光材料，尺寸多在2-10nm之間，具有獨特的光學性質，如吸收光譜寬，熒光光譜窄，峰位置可通過尺寸或組分調節等。這些特征使得量子點在太陽能電池、顯示器等方面有著廣泛應用。同時，量子點相比有機熒光染料有抗光漂白、量子產率高等優點，因此在生物學成像中也有著巨大的應用前景。然而目前研究和應用最多的II-VI型量子點(CdSe、CdTe等)，由于含有鎘等高毒性元素，考慮到對環境的潛在污染，不適合大規模應用。尤其在生物學方面，鎘離子具有明顯的神經毒性，限制了CdSe等量子點在生物體內的應用。為此，近年來人們將越來越多的精力投入到低毒量子點的研究中，其中InP量子點尤其受到關注。2007年Peng等人充分優化了合成條件，得到發射峰在450-750nm可調的高質量的InP量子點。然而該方法使用三(三甲基硅基)膦作為磷源，該磷源昂貴而且極易氧化。2015年Hens等人利用三(二乙胺基)膦等新型磷源，成功合成了InP量子點。通過使用不同的銦鹽(InCl3，InBr3和InI3)，并在InP表面包裹ZnSe，可以使InP的發射峰在500-670nm范圍內可調。由此可見InP量子點的合成已經比較成熟。然而目前為止，已經報道的InP量子點的最大發射波長都不超過750nm。由于長波長(800-1000nm)的近紅外光對生物組織的穿透能力強，不易受到組織自發熒光的干擾，因此合成發射波長＞800nm的InP量子點，對于生物體內成像方面的應用具有重要意義。
技術實現思路
：本專利技術主要內容為近紅外熒光發射(825nm)的InP量子點的合成。具體方法是，利用三(二乙胺基)膦和InCl3，首先合成InP核，延長InP的成核回流時間，使表面缺陷固化，然后再依次表面包裹ZnSe和ZnS，得到I型核殼結構的InP/ZnSe/ZnS量子點。該InP/ZnSe/ZnS量子點能同時穩定發射激子熒光和缺陷熒光，激子熒光峰在600nm左右，而缺陷熒光峰位置最遠可達825nm。通過對實驗條件的控制，可以調控激子熒光和缺陷熒光的相對強度。該方法可得到能同時發射可見區熒光(600nm)和近紅外熒光(825nm)的InP量子點，因此該量子點可以同時用于體外成像和體內成像。附圖說明：圖1利用本種方法合成的InP、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnSQDs的紫外、熒光光譜。圖2利用本種方法合成的InP、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnSQDs的電鏡照片。具體實施方式：下述實施方式僅是用于說明，而并非用于限制本專利技術。本領域技術人員根據本專利技術的教導所做出的各種變化均應在本申請權利要求所要求的保護范圍之內。(1)缺陷InP核QDs的合成。稱取50mgInCl3，150mgZnCl2和2.5mL油胺于50mL的三頸燒瓶中，通氮氣排氣8min，然后升溫至120℃1h溶解，隨后升溫至180℃快速注入三(二乙胺基)膦，反應60min至缺陷定型。(2)缺陷發光的InP/ZnSe的合成。在上述反應溫度180℃基礎上，加入87mgSe粉溶于0.50mLTOP(三正辛基膦)中注入到(1)溶液，反應60min。(3)缺陷發光的InP/ZnSe/ZnS的合成。在上述InP/ZnSe反應的基礎上，加入500mg硬脂酸鋅溶于2mLODE(十八烯)緩慢注入到反應液中，溫度升高到200℃，反應0.5h；之后25.3mgS溶于0.35mLTOP緩慢注入，反應0.5h后，結束反應。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種近紅外熒光發射的InP量子點的制備，其特征在于利用InCl3和三(二乙胺基)膦，以油胺為溶劑，首先合成含有特定表面缺陷的InP核，然后包裹ZnSe外殼，或依次包裹ZnSe和ZnS外殼，得到同時發射激子熒光(約600nm)和缺陷熒光(約825nm)的InP量子點。

【技術特征摘要】
1.一種近紅外熒光發射的InP量子點的制備，其特征在于利用InCl3和三(二乙胺基)膦，以油胺為溶劑，首先合成含有特定表面缺陷的InP核，然后包裹ZnSe外殼，或依次包裹ZnSe和ZnS外殼，得到同時發射激子熒光(約600nm)和缺陷熒光(約825nm)的InP量子點。2.根據權利要求1所述的InP量子點的制備方法，其特征在于，首先合成含有特定表面缺陷的InP核：將一定量的InCl3和ZnCl2在氮氣氛圍中在約180℃下溶于油胺，然后注入相應量的三(二乙胺基)膦，回流30-60分鐘。3.根據權利要求1所述的InP量子點的制備方...

【專利技術屬性】
技術研發人員：鄧大偉，張杰，王杰，
申請(專利權)人：中國藥科大學，
類型：發明
國別省市：江蘇,32