一種40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片制造技術

本實用新型專利技術公開了一種40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片，所述薄膜電路衰減片包括一基板，所述基板正面設有輸入電極、輸出電極和電阻，所述輸入電極位于輸出電極上側，所述電阻分別與輸入電極和輸出電極連接形成分布式衰減網絡，所述基板上下兩側分別設有接地導帶，所述分布式衰減網絡通過接地導帶接地導通，所述基板左側的輸入端連接有第一鍍金電極，所述基板右側的輸出端連接有第二鍍金電極。本實用新型專利技術體積小，高頻特性好，阻值精度和衰減精度高，重復性好，可廣泛應用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域隔離器、環形器等微波產品的生產。

【技術實現步驟摘要】
一種40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片
本技術涉及一種衰減片，具體涉及一種用于40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片。
技術介紹
氮化鋁陶瓷基板2瓦6dB的衰減片是同軸固定衰減器芯片的一種，廣泛應用在微波通訊、雷達等設備中。衰減器是一個功率消耗和電路匹配元件，要求對兩端電路的影響越小越好。目前市場上存在的衰減片其衰減精度少數能達到18GHz，還不能滿足40GHz更高頻率的應用要求。
技術實現思路
本技術為了解決上述問題，從而提供一種40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片。為達到上述目的，本技術的技術方案如下：一種40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片，所述薄膜電路衰減片包括一基板，所述基板正面設有輸入電極、輸出電極和電阻，所述輸入電極位于輸出電極上側，所述電阻分別與輸入電極和輸出電極連接形成分布式衰減網絡，所述基板上下兩側分別設有接地導帶，所述分布式衰減網絡通過接地導帶接地導通，所述基板左側的輸入端連接有第一鍍金電極，所述基板右側的輸出端連接有第二鍍金電極。在本技術的一個優選實施例中，所述基板為卡片狀，所述基板尺寸為6.5mm*4.2mm*0.2mm。在本技術的一個優選實施例中，所述基板為氮化鋁基板。在本技術的一個優選實施例中，所述基板反面為無電路非金屬面。本技術的有益效果是：本技術體積小，高頻特性好，阻值精度和衰減精度高，重復性好，可廣泛應用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域隔離器、環形器等微波產品的生產。本技術能夠讓衰減電路處于一個完全對稱的狀態，產品工作頻帶從直流能達到40GHz，功率容量達到2W。附圖說明為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本技術的結構示意圖。具體實施方式為了使本技術實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體圖示，進一步闡述本技術。參見圖1，本技術提供的40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片，其包括一基板100?；?00，其具體為氮化鋁基板，其具體為矩形式的卡片狀，體積為6.5mm*4.2mm*0.2mm，其反面為無電路非金屬面，正面設有輸入電極200、輸出電極300和電阻400。輸入電極200，其具體通過印刷直接水平設置在基板100正面的中間部位。輸出電極300，其具體通過印刷直接水平設置在基板100正面的中間部位，位于輸入電極200下側，并且輸出電極300在基板100上剛好與輸入電極200相對稱。電阻400，其具體通過薄膜工藝直接真空濺射氮化鉭在基板100正面而成，這樣使得其特性阻抗達到50Ω，頻率達到40GHz，功率容量達到2W。電阻400具體垂直設置在基板100正面，并且分別與輸入電極200和輸出電極300連接，從而可形成分布式衰減網絡。另外，電阻400采用熱氧化調阻方式，這樣使得本申請的輸入端以及輸出端分別和接地端的阻抗為50±0.5Ω。在基板100上下兩側分別設有接地導帶500，分布式衰減網絡通過接地導帶500接地導通，這樣通過基板100兩側的輸出端和輸入端形成衰減電路。由于輸出電極300與輸入電極200相對稱，這樣使得衰減電路整體處于一個完全對稱的狀態，產品工作頻帶從直流能達到40GHz，功率容量達到2W。另外，由于基板100為矩形式的卡片狀，這樣能達到駐波小，頻帶寬的要求，使得本申請工作頻帶從直流到40GHz，功率容量2W，具有良好快速的散熱能力，機械穩定性好，重復性好。再者，為了便于信號的快速傳輸，在基板100左側的輸入端連接有第一鍍金電極610，在基板100右側的輸出端連接有第二鍍金電極620。以上顯示和描述了本技術的基本原理和主要特征和本技術的優點。本行業的技術人員應該了解，本技術不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本技術的原理，在不脫離本技術精神和范圍的前提下，本技術還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本技術范圍內。本技術要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片，其特征在于，所述薄膜電路衰減片包括一基板，所述基板正面設有輸入電極、輸出電極和電阻，所述輸入電極位于輸出電極上側，所述電阻分別與輸入電極和輸出電極連接形成分布式衰減網絡，所述基板上下兩側分別設有接地導帶，所述分布式衰減網絡通過接地導帶接地導通，所述基板左側的輸入端連接有第一鍍金電極，所述基板右側的輸出端連接有第二鍍金電極。

【技術特征摘要】
1.一種40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片，其特征在于，所述薄膜電路衰減片包括一基板，所述基板正面設有輸入電極、輸出電極和電阻，所述輸入電極位于輸出電極上側，所述電阻分別與輸入電極和輸出電極連接形成分布式衰減網絡，所述基板上下兩側分別設有接地導帶，所述分布式衰減網絡通過接地導帶接地導通，所述基板左側的輸入端連接有第一鍍金電極，所述基板右側的輸出端連接有第二鍍金電...

【專利技術屬性】
技術研發人員：周敏，戴林華，周蕾，
申請(專利權)人：上海華湘計算機通訊工程有限公司，
類型：新型
國別省市：上海,31