一種增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法技術

本發明專利技術公開了一種增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法，該方法包括：選用白籽南瓜作為砧木，砧木采用畦面播種栽培，采用半覆膜方式，白天溫度為34~36攝氏度，晚上溫度為20~25攝氏度壯苗，出苗后去覆膜，白天溫度為22~26攝氏度，晚上溫度為10~12攝氏度；嫁接時機為哈密瓜容器育苗到兩片葉子充分展開，且砧木兩片葉子初展開；去砧木頂芽，將哈密瓜子葉頂插式插入砧木中完成嫁接，進行嫁接后的進一步管理。本發明專利技術的方法可培育出風味、口感俱佳的哈密瓜，通過溫差的控制培育出的哈密瓜甜味度增加，提高了其經濟價值。具有很高的市場前景。

Grafting propagation method for sweetened Hami melon

The invention discloses a sweetened melon grafting propagation method, the method includes: selection of white seed pumpkin as rootstock, rootstock by surface seeding cultivation, with semi mulching methods, the daytime temperature is 34~36 degrees Celsius, night temperature is 20~25 degrees Celsius to seedling, mulching after emergence, the daytime temperature is 22~26 degrees Celsius. Night temperature is 10~12 degrees Celsius; grafting time for Hami container seedlings to two leaves fully launched, and the two leaf Zichu rootstock; rootstock to crown, Hami melon leaf top plug is inserted into the rootstock in complete grafting, further management after grafting. The method of the invention can produce Hami melon with good flavor and taste, and the sweetness of the Hami melon produced by controlling the temperature difference is increased, and the economic value is increased. Has a high market prospect.

【技術實現步驟摘要】
一種增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法
本專利技術涉及農作物繁殖培養領域，具體地說涉及一種增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法。
技術介紹
哈密瓜是一種無刺水果黃瓜，其口感和口味的出色受到廣大消費者的喜愛。由于黃瓜存在連作障礙，目前的黃瓜以嫁接作為主要繁殖方法，從而達到克服抗病力降低、病害發生等問題。黃瓜嫁接采用的砧木有南瓜、西葫蘆，目前對黃瓜嫁接繁育的技術已比較成熟，但是對嫁接用砧木的選用，以及苗期的培養和管理仍存在優化的空間，另外，采用不當的嫁接砧木或栽培方法不當，可能會導致哈密瓜口感偏硬，風味變質。
技術實現思路
專利技術目的：本專利技術的目的是提供一種可培育出口感風味出色、甜味增加的增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法。技術方案：為了實現上述專利技術目的，本專利技術的一種增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法包括：選用白籽南瓜作為砧木，砧木采用畦面播種栽培，采用半覆膜方式，白天溫度為34~36攝氏度，晚上溫度為20~25攝氏度壯苗，出苗后去覆膜，白天溫度為22~26攝氏度，晚上溫度為10~12攝氏度；嫁接時機為哈密瓜容器育苗到兩片葉子充分展開，且砧木兩片葉子初展開；去砧木頂芽，將哈密瓜子葉頂插式插入砧木中完成嫁接，進行嫁接后的進一步管理。本專利技術采用白籽南瓜作為砧木，白籽南瓜作為砧木培養出的黃瓜抗病害能力強，口感和風味較好。本專利技術在出苗、嫁接后維持白天和晚上較大的溫差，一方面，白天較高的溫度有助于苗芽的生長，積累有機物，晚上低溫可保證幼苗健壯和花芽的健康分化，有利于快速緩苗。利用本專利技術的方法培育出的哈密瓜得到了甜度增加的意想不到的效果。嫁接后的進一步管理包括：嫁接后維持室內26~28攝氏度的溫度，并在晚上將溫度降低到10~12攝氏度，并覆地膜煉嫁接苗，逐漸開膜通風換氣，防止徒長。在砧木和哈密瓜嫁接起苗前，用進口普力克600倍液對甲維噴灑植株，預防病蟲。有益效果：本專利技術一種增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法可培育出風味、口感俱佳的哈密瓜，通過溫差的控制培育出的哈密瓜甜味度增加，提高了其經濟價值。具有很高的市場前景。具體實施方式下面就實施例對本專利技術進行進一步的闡述。本專利技術的一種增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法包括：在大棚中整地做床，將白籽南瓜種子播種到畦床中作為砧木，播種間距0.2~0.3m；過4~6天后容器播種哈密瓜種子，采用半覆膜方式，白天溫度為34~36攝氏度，晚上溫度為20~25攝氏度壯苗，出苗后去覆膜，白天溫度為22~26攝氏度，晚上溫度為10~12攝氏度。在砧木和哈密瓜嫁接起苗前，用進口普力克600倍液對甲維噴灑植株，預防病蟲。嫁接時機為哈密瓜容器育苗到兩片葉子充分展開，且砧木兩片葉子初展開；嫁接環境要維持適當高的溫度和濕度。去砧木頂芽，將哈密瓜子葉頂插式插入砧木中完成嫁接。嫁接后維持室內26~28攝氏度的溫度，并在晚上將溫度降低到10~12攝氏度，并覆地膜煉嫁接苗，逐漸開膜通風換氣，防止徒長。本專利技術的嫁接方法經試驗，發現利用白籽南瓜嫁接得到的哈密瓜甜度要高于黑籽南瓜和黃籽南瓜嫁接得到的哈密瓜。另一方面，在嫁接前后夜間溫度高于12攝氏度后，生產出的哈密瓜甜度沒有夜間溫度控制在10~12攝氏度的甜。因此本專利技術生產出的哈密瓜具有很高的經濟價值，口味和風味獨特，具有很高的市場前景。以上所述僅是本專利技術的優選實施方式，應當指出：對于本
的普通技術人員來說，在不脫離本專利技術原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本專利技術的保護范圍。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法，其特征在于包括如下步驟：選用白籽南瓜作為砧木，砧木采用畦面播種栽培，采用半覆膜方式，白天溫度為34~36攝氏度，晚上溫度為20~25攝氏度壯苗，出苗后去覆膜，白天溫度為22~26攝氏度，晚上溫度為10~12攝氏度；嫁接時機為哈密瓜容器育苗到兩片葉子充分展開，且砧木兩片葉子初展開；去砧木頂芽，將哈密瓜子葉頂插式插入砧木中完成嫁接，進行嫁接后的進一步管理。

【技術特征摘要】
1.一種增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法，其特征在于包括如下步驟：選用白籽南瓜作為砧木，砧木采用畦面播種栽培，采用半覆膜方式，白天溫度為34~36攝氏度，晚上溫度為20~25攝氏度壯苗，出苗后去覆膜，白天溫度為22~26攝氏度，晚上溫度為10~12攝氏度；嫁接時機為哈密瓜容器育苗到兩片葉子充分展開，且砧木兩片葉子初展開；去砧木頂芽，將哈密瓜子葉頂插式插入砧木中完成嫁接，...

【專利技術屬性】
技術研發人員：楊昌明，
申請(專利權)人：楊昌明，
類型：發明
國別省市：重慶,50