一種基于ELC電諧振超材料結(jié)構(gòu)的功率限幅器制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種基于ELC電諧振超材料結(jié)構(gòu)的功率限幅器件，當入射電磁波功率大于一個閾值時開始衰減信號，而允許低入射電磁波功率通過，本發(fā)明專利技術(shù)的有益效果為：當入射電磁波功率大于一個閾值時開始衰減信號，而允許低入射電磁波功率通過，這和傳統(tǒng)的超材料功率吸收器件有很大不同，傳統(tǒng)的超材料功率吸收器件既吸收低入射電磁波功率又吸收高入射電磁波功率，而沒有選擇性。

A power limiter based on ELC resonant metamaterial structure

The invention provides a ELC electric power resonant metamaterial structure based on the limiting device, when the incident electromagnetic wave power is greater than a threshold attenuation signal, allowing low power through the incident electromagnetic wave, the invention has the advantages that when the incident electromagnetic wave power is greater than a threshold to signal attenuation, and allow low incident electromagnetic wave through the power, and the traditional super power absorption device materials are very different, super power absorption device is both low absorption material and high power electromagnetic wave absorption the incident electromagnetic wave power of traditional, without selectivity.

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種基于ELC電諧振超材料結(jié)構(gòu)的功率限幅器
本專利技術(shù)屬于電磁功能器件
，具體涉及一種基于ELC電諧振超材料結(jié)構(gòu)的功率限幅器件。
技術(shù)介紹
人工電磁超材料是一種人造介質(zhì)，在自然界并不存在，它利用亞波長的微結(jié)構(gòu)當做類似材料組成單元的原子和分子，因其所具有的獨特的電磁特性，如負折射率效應(yīng)、負磁導(dǎo)率效應(yīng)、強圓二向色性、電磁隱身、逆多普勒效應(yīng)、逆契侖可夫輻射等而受到廣泛的關(guān)注。近年來已有許多關(guān)于線性電磁超材料特性的研究，特別是微波波段的非線性特性。超材料具有實現(xiàn)電路功能的潛力，一個最感興趣的器件為功率限幅器。功率限幅器具有可變的輸出功率，具體的輸出功率依賴于輸入功率的大小。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種基于ELC電諧振超材料結(jié)構(gòu)的功率限幅器件，當入射電磁波功率大于一個閾值時開始衰減信號，而允許低入射電磁波功率通過。本專利技術(shù)的技術(shù)方案為：一種基于ELC電諧振超材料結(jié)構(gòu)的功率限幅器件，包括至少一個超材料結(jié)構(gòu)單元，每個超材料結(jié)構(gòu)單元包括基板、位于基板之上的人工微結(jié)構(gòu)、及加載于人工微結(jié)構(gòu)上的可變電容二極管；所述人工微結(jié)構(gòu)為ELC電諧振超材料結(jié)構(gòu)，兩端金屬線各有一個開口，中間金屬線開口處加載一PIN二極管(SkyworksSMS7621-079LF)。進一步地，所述人工微結(jié)構(gòu)由銅線制成，所述基板為微波段低損耗介質(zhì)基板，具體為FR4介質(zhì)基板，基板厚度為1.5mm。進一步地，a為17mm，b為18mm，g為0.9mm到1.1mm，d為9.4mm到9.6mm。本專利技術(shù)的有益效果為：當入射電磁波功率大于一個閾值時開始衰減信號，而允許低入射電磁波功率通過。這和傳統(tǒng)的超材料功率吸收器件有很大不同，傳統(tǒng)的超材料功率吸收器件既吸收低入射電磁波功率又吸收高入射電磁波功率，而沒有選擇性。附圖說明圖1為本專利技術(shù)超材料結(jié)構(gòu)單元的示意圖；其中，(a)為超材料結(jié)構(gòu)單元的整體結(jié)構(gòu)示意圖，(b)為超材料結(jié)構(gòu)單元的俯視圖及人工微結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)；(c)為超材料結(jié)構(gòu)單元的等效電路圖；圖2為本專利技術(shù)超材料結(jié)構(gòu)單元開口處的動態(tài)電壓幅度；圖3為本專利技術(shù)超材料結(jié)構(gòu)單元在PIN二極管2種工作狀態(tài)下的透射系數(shù)圖；圖4為本專利技術(shù)超材料結(jié)構(gòu)單元在PIN二極管2種工作狀態(tài)下的反射系數(shù)圖。具體實施方式下面結(jié)合具體實施例和附圖對本專利技術(shù)做進一步詳細說明。本專利技術(shù)提供了一種基于ELC電諧振超材料結(jié)構(gòu)的功率限幅器件，當入射電磁波功率大于一個閾值時開始衰減信號，而允許低入射電磁波功率通過。如圖1所示，為本專利技術(shù)提供的一種基于ELC電諧振超材料結(jié)構(gòu)的功率限幅器件，包括至少一個超材料結(jié)構(gòu)單元，每個超材料結(jié)構(gòu)單元包括基板、位于基板之上的人工微結(jié)構(gòu)、及加載于人工微結(jié)構(gòu)上的可變電容二極管；所述人工微結(jié)構(gòu)為ELC電諧振超材料結(jié)構(gòu)，兩端金屬線各有一個開口，中間金屬線開口處加載PIN二極管(SkyworksSMS7621-079LF)。進一步地，本專利技術(shù)的超材料結(jié)構(gòu)可以通過電路印刷技術(shù)進行加工。圖2為本專利技術(shù)超材料結(jié)構(gòu)單元中間金屬線開口處的電壓隨頻率的變化曲線，反應(yīng)出開口處的電壓放大效應(yīng)。本專利技術(shù)在中間金屬線開口處加載PIN二極管，即在超材料結(jié)構(gòu)單元中引入了非線性元素，使超材料結(jié)構(gòu)單元具有電磁波的非線性響應(yīng)；同時，由于開口處具有電壓放大效應(yīng)，因此能夠驅(qū)動二極管工作。本專利技術(shù)可通過電磁波功率來改變PIN二極管的截止和導(dǎo)通狀態(tài)，進一步選擇性地透射電磁波。在高入射電磁波功率下，PIN二極管導(dǎo)通，原本的超材料結(jié)構(gòu)單元被破壞，超材料結(jié)構(gòu)在2GHz到4GHz內(nèi)衰減電磁波。在低入射電磁波功率下，PIN二極管截止，超材料結(jié)構(gòu)在2GHz到4GHz內(nèi)允許電磁波通過。圖3為本專利技術(shù)超材料結(jié)構(gòu)單元在PIN二極管2種工作狀態(tài)下的反射系數(shù)圖；圖4為本專利技術(shù)超材料結(jié)構(gòu)單元在PIN二極管2種工作狀態(tài)下的透射系數(shù)圖。其中R＝5000代表PIN二極管截止，R＝12代表PIN二極管導(dǎo)通。實施例一種基于ELC電諧振超材料結(jié)構(gòu)的功率限幅器件，包括至少一個超材料結(jié)構(gòu)單元，每個超材料結(jié)構(gòu)單元包括基板、位于基板之上的人工微結(jié)構(gòu)、及加載于人工微結(jié)構(gòu)上的可變電容二極管；所述人工微結(jié)構(gòu)為ELC電諧振超材料結(jié)構(gòu)，兩端金屬線各有一個開口，中間金屬線開口處加載一個PIN二極管(SkyworksSMS7621-079LF)。如圖1(b)所示，超材料結(jié)構(gòu)單元的具體尺寸為：介質(zhì)基板厚度t＝1.5mm，a為17mm，b為18mm，g為0.9mm到1.1mm，d為9.4mm到9.6mm。中間金屬線開口處加載PIN二極管(SkyworksSMS7621-079LF)。以上所述，僅為本專利技術(shù)的具體實施方式，本說明書中所公開的任一特征，除非特別敘述，均可被其他等效或具有類似目的的替代特征加以替換；所公開的所有特征、或所有方法或過程中的步驟，除了互相排斥的特征和/或步驟以外，均可以任何方式組合。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種基于ELC電諧振超材料結(jié)構(gòu)的功率限幅器件，包括至少一個超材料結(jié)構(gòu)單元，每個超材料結(jié)構(gòu)單元包括基板、位于基板之上的人工微結(jié)構(gòu)、及加載于人工微結(jié)構(gòu)上的可變電容二極管；所述人工微結(jié)構(gòu)為ELC電諧振超材料結(jié)構(gòu)，兩端金屬線各有一個開口，中間金屬線開口處加載PIN二極管(Skyworks?SMS?7621?079LF)，當入射電磁波功率大于一個閾值時開始衰減信號，而允許低入射電磁波功率通過。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種基于ELC電諧振超材料結(jié)構(gòu)的功率限幅器件，包括至少一個超材料結(jié)構(gòu)單元，每個超材料結(jié)構(gòu)單元包括基板、位于基板之上的人工微結(jié)構(gòu)、及加載于人工微結(jié)構(gòu)上的可變電容二極管；所述人工微結(jié)構(gòu)為ELC...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉強，趙強，
申請(專利權(quán))人：電子科技大學，
類型：發(fā)明
國別省市：四川,51