一種雙boost結(jié)構(gòu)的軟開(kāi)關(guān)整流充電復(fù)用電路制造技術(shù)

一種雙boost結(jié)構(gòu)的軟開(kāi)關(guān)整流充電復(fù)用電路，包括晶體管Q1、晶體管Q2、晶體管Q5、二極管D1、二極管D2、二極管D5、二極管D7、二極管D8、電容C1、電容C3和電感L3；電感L3和晶體管Q5同向串聯(lián)而成的支路，同向并聯(lián)于晶體管Q1、晶體管Q2和電容C1同向串聯(lián)而成的支路，二極管D7和二極管D8同向串聯(lián)而成的支路并聯(lián)于電感L3與晶體管Q5之間；二極管D1并聯(lián)于晶體管Q1的兩端，二極管D2并聯(lián)于晶體管Q2的兩端，二極管D5并聯(lián)于晶體管Q5的兩端；電容C3并聯(lián)于電感L3和二極管D7組成支路的兩端。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)提出一種雙boost結(jié)構(gòu)的軟開(kāi)關(guān)整流復(fù)用電路，實(shí)現(xiàn)了市電升壓，電池升壓，以及電池充電，大大降低了整機(jī)的硬件復(fù)雜度，提高了可靠性，降低了成本。

Double boost structure soft switching rectifying charging multiplexing circuit

A soft switching rectifier dual boost structure charging multiplexing circuit, including Q1, Q2, transistor transistor transistor Q5, diode D1, a diode D2, a diode D5, a diode D7, a diode D8 and a capacitor C1, a capacitor C3 and the inductor L3; branch inductance L3 and transistor Q5 tandem in the same direction as the same to the parallel branch in Q1, transistor transistor Q2 and capacitor C1 tandem in the same direction as the diode D7 and a diode D8 tandem in the same direction as the branch is connected in parallel between the inductance L3 and transistor Q5; both ends of the diode D1 in parallel with Q1 transistor, diode D2 in parallel at both ends of the transistor Q2 and diode D5 in parallel at both ends of the transistor Q5; both ends of the capacitance C3 is in parallel with the inductor L3 and diode D7 branch. The invention provides soft switching rectifier multiplexing circuit for dual boost structure, realized the power boost, battery booster, and charging the battery, greatly reduces the hardware complexity, improve the reliability, reduce the cost.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種雙boost結(jié)構(gòu)的軟開(kāi)關(guān)整流充電復(fù)用電路
本專(zhuān)利技術(shù)涉及boost電路配套電路領(lǐng)域，尤其涉及一種雙boost結(jié)構(gòu)的軟開(kāi)關(guān)整流充電復(fù)用電路。
技術(shù)介紹
BOOST電路是一種開(kāi)關(guān)直流升壓電路，其主要應(yīng)用在電力電子技術(shù)、開(kāi)關(guān)電源技術(shù)、新能源技術(shù)等領(lǐng)域。目前BOOST電路基本采用先對(duì)電感充電后將電感存儲(chǔ)的能量釋放給電容的方案以實(shí)現(xiàn)電壓的提升，但由于開(kāi)關(guān)器件的損耗高，而且發(fā)熱量較大，造成電路轉(zhuǎn)換效率低，電路壽命短。軟開(kāi)關(guān)：軟開(kāi)關(guān)英文名稱(chēng)“softswitching”，即通過(guò)合理的電路設(shè)計(jì)，使開(kāi)關(guān)器件在開(kāi)通與關(guān)斷瞬間，處于零電壓/零電流開(kāi)通/關(guān)斷狀態(tài)，以此來(lái)降低開(kāi)關(guān)器件的損耗，提高系統(tǒng)效率，同時(shí)降低器件開(kāi)關(guān)瞬態(tài)承受應(yīng)力，增加系統(tǒng)可靠性。晶體管作為開(kāi)關(guān)器件的應(yīng)用在當(dāng)下電子產(chǎn)品中已越來(lái)越廣泛，同時(shí)，隨著科技日新月異的變化以及人類(lèi)文明的發(fā)展，節(jié)能環(huán)保已經(jīng)是整個(gè)社會(huì)環(huán)境發(fā)展下的必然趨勢(shì)。作為電力電子方面的關(guān)鍵技術(shù)各種“軟開(kāi)關(guān)”電路，由于具有更高效率，開(kāi)關(guān)應(yīng)力更小，溫升更小等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)在許多晶體管開(kāi)關(guān)電路中使用。現(xiàn)有一些針對(duì)BOOST升壓電路架構(gòu)設(shè)計(jì)的“軟開(kāi)關(guān)”通常采用輔助晶體管電路的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，這種“軟開(kāi)關(guān)”電路由于增加輔助晶體管，必需要有驅(qū)動(dòng)電路，并且占用控制芯片的I/O接口，同時(shí)增加了控制的難度，當(dāng)I/O接口不夠時(shí)可能需要選用成本更高的芯片，具有一定的局限性，實(shí)現(xiàn)方式較復(fù)雜。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專(zhuān)利技術(shù)的目的在于針對(duì)上述缺陷，提出一種雙boost結(jié)構(gòu)的軟開(kāi)關(guān)整流充電復(fù)用電路。為了達(dá)到此目的，本專(zhuān)利技術(shù)采用以下技術(shù)方案：一種雙boost結(jié)構(gòu)的軟開(kāi)關(guān)整流充電復(fù)用電路，包括晶體管Q1、晶體管Q2、晶體管Q5、二極管D1、二極管D2、二極管D5、二極管D7、二極管D8、電容C1、電容C3和電感L3；所述電感L3和晶體管Q5同向串聯(lián)而成的支路，同向并聯(lián)于所述晶體管Q1、晶體管Q2和電容C1同向串聯(lián)而成的支路，所述二極管D7和二極管D8同向串聯(lián)而成的支路并聯(lián)于所述電感L3與晶體管Q5之間；所述二極管D1并聯(lián)于晶體管Q1的兩端，二極管D2并聯(lián)于晶體管Q2的兩端，二極管D5并聯(lián)于晶體管Q5的兩端；所述電容C3并聯(lián)于電感L3和二極管D7組成支路的兩端；還包括晶體管Q3、晶體管Q6、晶體管Q4、二極管D3、二極管D6、二極管D4、二極管D9、二極管D10、電容C2、電容C4和電感L4；所述晶體管Q3、晶體管Q4和電容C2串聯(lián)構(gòu)成回路，電感L4、晶體管Q6與二極管D9和二極管D10串聯(lián)的支路并聯(lián)于所述晶體管Q3、晶體管Q4和電容C2串聯(lián)構(gòu)成的回路；所述二極管D3并聯(lián)于晶體管Q3的兩端，二極管D4并聯(lián)于晶體管Q4的兩端，二極管D6并聯(lián)于晶體管Q6的兩端；所述電容C4并聯(lián)于電感L4和二極管D9組成支路的兩端；還包括晶閘管SCR3、晶閘管SCR4、晶閘管SCR5、晶閘管SCR6、正電池組PBat、負(fù)電池組NBat、電感L1和電感L2；所述晶閘管SCR3和晶閘管SCR4并聯(lián)后的一端與正電池組PBat串聯(lián)，晶閘管SCR5和晶閘管SCR6并聯(lián)后的一端與負(fù)電池組NBat串聯(lián)；所述晶閘管SCR3和晶閘管SCR4并聯(lián)后的另一端與電感L1串聯(lián)，晶閘管SCR5和晶閘管SCR6并聯(lián)后的另一端與電感L2串聯(lián)。更優(yōu)的，還包括市電、晶閘管SCR1、晶閘管SCR2，所述市電的火線的正極與晶閘管SCR1的一端相連，晶閘管SCR1的另一端連接于電感L1的正極；所述市電的火線的負(fù)極與晶閘管SCR2的一端相連，晶閘管SCR2的另一端連接于電感L2的正極；所述市電的零線N的一端連接于正電池組PBat的負(fù)極，零線N的另一端連接于負(fù)電池組NBat的正極。更優(yōu)的，所述晶體管Q1、晶體管Q2、晶體管Q3、晶體管Q4、晶體管Q5和晶體管Q6為絕緣柵雙極型晶體管IGBT。本專(zhuān)利技術(shù)的目的在于提出一種雙boost結(jié)構(gòu)的軟開(kāi)關(guān)整流復(fù)用電路，通過(guò)本電路結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了市電升壓，電池升壓，以及電池充電，大大降低了整機(jī)的硬件復(fù)雜度，提高了可靠性，降低了成本。通過(guò)輔助開(kāi)關(guān)管和諧振網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)了升壓工作時(shí)IGBT零電流開(kāi)通、零電壓關(guān)斷，減少了開(kāi)通關(guān)斷損耗。整流二極管實(shí)現(xiàn)了軟關(guān)斷，減少了反向恢復(fù)損耗。極大地提高了整機(jī)效率。附圖說(shuō)明圖1為本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖并通過(guò)具體實(shí)施例方式來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本專(zhuān)利技術(shù)的技術(shù)方案。一種雙boost結(jié)構(gòu)的軟開(kāi)關(guān)整流充電復(fù)用電路，包括晶體管Q1、晶體管Q2、晶體管Q5、二極管D1、二極管D2、二極管D5、二極管D7、二極管D8、電容C1、電容C3和電感L3；所述電感L3和晶體管Q5同向串聯(lián)而成的支路，同向并聯(lián)于所述晶體管Q1、晶體管Q2和電容C1同向串聯(lián)而成的支路，所述二極管D7和二極管D8同向串聯(lián)而成的支路并聯(lián)于所述電感L3與晶體管Q5之間；所述二極管D1并聯(lián)于晶體管Q1的兩端，二極管D2并聯(lián)于晶體管Q2的兩端，二極管D5并聯(lián)于晶體管Q5的兩端；所述電容C3并聯(lián)于電感L3和二極管D7組成支路的兩端；還包括晶體管Q3、晶體管Q6、晶體管Q4、二極管D3、二極管D6、二極管D4、二極管D9、二極管D10、電容C2、電容C4和電感L4；所述晶體管Q3、晶體管Q4和電容C2串聯(lián)構(gòu)成回路，電感L4、晶體管Q6與二極管D9和二極管D10串聯(lián)的支路并聯(lián)于所述晶體管Q3、晶體管Q4和電容C2串聯(lián)構(gòu)成的回路；所述二極管D3并聯(lián)于晶體管Q3的兩端，二極管D4并聯(lián)于晶體管Q4的兩端，二極管D6并聯(lián)于晶體管Q6的兩端；所述電容C4并聯(lián)于電感L4和二極管D9組成支路的兩端；還包括晶閘管SCR3、晶閘管SCR4、晶閘管SCR5、晶閘管SCR6、正電池組PBat、負(fù)電池組NBat、電感L1和電感L2；所述晶閘管SCR3和晶閘管SCR4并聯(lián)后的一端與正電池組PBat串聯(lián)，晶閘管SCR5和晶閘管SCR6并聯(lián)后的一端與負(fù)電池組NBat串聯(lián)；所述晶閘管SCR3和晶閘管SCR4并聯(lián)后的另一端與電感L1串聯(lián)，晶閘管SCR5和晶閘管SCR6并聯(lián)后的另一端與電感L2串聯(lián)。更進(jìn)一步的說(shuō)明，還包括市電、晶閘管SCR1、晶閘管SCR2，所述市電的火線的正極與晶閘管SCR1的一端相連，晶閘管SCR1的另一端連接于電感L1的正極；所述市電的火線的負(fù)極與晶閘管SCR2的一端相連，晶閘管SCR2的另一端連接于電感L2的正極；所述市電的零線N的一端連接于正電池組PBat的負(fù)極，零線N的另一端連接于負(fù)電池組NBat的正極。更進(jìn)一步的說(shuō)明，所述晶體管Q1、晶體管Q2、晶體管Q3、晶體管Q4、晶體管Q5和晶體管Q6為絕緣柵雙極型晶體管IGBT。工作原理：1、市電正半周，晶閘管SCR1導(dǎo)通，晶閘管SCR3/4截止。IGBTQ1進(jìn)行PWM調(diào)制，IGBTQ2截止。當(dāng)Q1導(dǎo)通時(shí)，市電火線通過(guò)SCR1—電感L1—Q1—市電中線N形成回路，電感L1電流增加，電感L1儲(chǔ)能。當(dāng)Q1截止時(shí)，市電通過(guò)SCR1—電感L1—D2—C1—市電中線N形成回路，電感L1電流減少，電感L1釋能，電容C1被充電。在此過(guò)程實(shí)現(xiàn)了AC/DC。輔助開(kāi)關(guān)管Q5先于Q1導(dǎo)通，當(dāng)Q1導(dǎo)通之后，Q5關(guān)閉，其工作過(guò)程如下：當(dāng)Q1截止時(shí)，Q5導(dǎo)通，諧振電感L3電流增加，二極管D2中電流減少，當(dāng)L3中電流增加到和L1中電流一樣大時(shí)，二極管D2的電流減少到0，二極管截止，由于其電流是逐漸減少本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種雙boost結(jié)構(gòu)的軟開(kāi)關(guān)整流充電復(fù)用電路，其特征在于：包括晶體管Q1、晶體管Q2、晶體管Q5、二極管D1、二極管D2、二極管D5、二極管D7、二極管D8、電容C1、電容C3和電感L3；所述電感L3和晶體管Q5同向串聯(lián)而成的支路，同向并聯(lián)于所述晶體管Q1、晶體管Q2和電容C1同向串聯(lián)而成的支路，所述二極管D7和二極管D8同向串聯(lián)而成的支路并聯(lián)于所述電感L3與晶體管Q5之間；所述二極管D1并聯(lián)于晶體管Q1的兩端，二極管D2并聯(lián)于晶體管Q2的兩端，二極管D5并聯(lián)于晶體管Q5的兩端；所述電容C3并聯(lián)于電感L3和二極管D7組成支路的兩端；還包括晶體管Q3、晶體管Q6、晶體管Q4、二極管D3、二極管D6、二極管D4、二極管D9、二極管D10、電容C2、電容C4和電感L4；所述晶體管Q3、晶體管Q4和電容C2串聯(lián)構(gòu)成回路，電感L4、晶體管Q6與二極管D9和二極管D10串聯(lián)的支路并聯(lián)于所述晶體管Q3、晶體管Q4和電容C2串聯(lián)構(gòu)成的回路；所述二極管D3并聯(lián)于晶體管Q3的兩端，二極管D4并聯(lián)于晶體管Q4的兩端，二極管D6并聯(lián)于晶體管Q6的兩端；所述電容C4并聯(lián)于電感L4和二極管D9組成支路的兩端；還包括晶閘管SCR3、晶閘管SCR4、晶閘管SCR5、晶閘管SCR6、正電池組PBat、負(fù)電池組NBat、電感L1和電感L2；所述晶閘管SCR3和晶閘管SCR4并聯(lián)后的一端與正電池組PBat串聯(lián)，晶閘管SCR5和晶閘管SCR6并聯(lián)后的一端與負(fù)電池組NBat串聯(lián)；所述晶閘管SCR3和晶閘管SCR4并聯(lián)后的另一端與電感L1串聯(lián)，晶閘管SCR5和晶閘管SCR6并聯(lián)后的另一端與電感L2串聯(lián)。...

【技術(shù)特征摘要】
1.一種雙boost結(jié)構(gòu)的軟開(kāi)關(guān)整流充電復(fù)用電路，其特征在于：包括晶體管Q1、晶體管Q2、晶體管Q5、二極管D1、二極管D2、二極管D5、二極管D7、二極管D8、電容C1、電容C3和電感L3；所述電感L3和晶體管Q5同向串聯(lián)而成的支路，同向并聯(lián)于所述晶體管Q1、晶體管Q2和電容C1同向串聯(lián)而成的支路，所述二極管D7和二極管D8同向串聯(lián)而成的支路并聯(lián)于所述電感L3與晶體管Q5之間；所述二極管D1并聯(lián)于晶體管Q1的兩端，二極管D2并聯(lián)于晶體管Q2的兩端，二極管D5并聯(lián)于晶體管Q5的兩端；所述電容C3并聯(lián)于電感L3和二極管D7組成支路的兩端；還包括晶體管Q3、晶體管Q6、晶體管Q4、二極管D3、二極管D6、二極管D4、二極管D9、二極管D10、電容C2、電容C4和電感L4；所述晶體管Q3、晶體管Q4和電容C2串聯(lián)構(gòu)成回路，電感L4、晶體管Q6與二極管D9和二極管D10串聯(lián)的支路并聯(lián)于所述晶體管Q3、晶體管Q4和電容C2串聯(lián)構(gòu)成的回路；所述二極管D3并聯(lián)于晶體管Q3的兩端，二極管D4并聯(lián)于晶體管Q4的兩端，二極管D6并聯(lián)于晶體管Q6的兩端；所述電容C4并聯(lián)于電感L4和二極管D9組成...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：封寧波，尹曉娟，鐘立亮，楊國(guó)偉，鄧勝釗，白維，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：佛山市新光宏銳電源設(shè)備有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：廣東,44