The invention discloses a process for producing high performance film capacitors, the specific steps are as follows: the evaporation layer in the thin film membrane according to the required width of both positive and negative sides of evaporation, evaporation area and evaporation spacing is fixed, multi winding; both positive and negative vapor metal film plated film and a a non evaporation film wound together; the core of pre compressed winding good, according to the required width divided into a plurality of single core; core cutting after heat treatment at the temperature of 110-165 DEG C, the evaporation film shrink uniformly, end surface exposed film ends, the subsequent process of spraying at the end of two metal reliable, lead pin. The invention can achieve the purpose of winding a plurality of cores at once, and is simple and easy to implement, and can control the core width accurately, and can greatly improve the production efficiency of the metallized film capacitor and reduce the manufacturing cost.
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種薄膜電容器的高效生產(chǎn)工藝
本專利技術(shù)涉及一種電容器的生產(chǎn)工藝，具體是一種薄膜電容器的高效生產(chǎn)工藝。
技術(shù)介紹
目前傳統(tǒng)的金屬化薄膜電容器的制造工藝均為使用兩張?jiān)诒∧せけ砻嬲翦冇袖X或鋅鋁合金的且邊沿有空白留邊金屬化薄膜卷繞在一起形成有兩極的電容器芯子，卷繞時(shí)兩張膜之間錯(cuò)開(kāi)一定寬度，稱為錯(cuò)邊，作用是保證后續(xù)兩端噴金時(shí)不致粘連兩張膜形成短路。傳統(tǒng)金屬化薄膜電容器生產(chǎn)工藝中卷繞工序設(shè)備每次只能卷制兩個(gè)芯子，且因設(shè)備高速旋轉(zhuǎn)，兩張薄膜之間的錯(cuò)邊容易出現(xiàn)偏差，導(dǎo)致帶來(lái)產(chǎn)品容量不穩(wěn)定及芯子寬度不穩(wěn)定，給后續(xù)引腳間距造成偏差且生產(chǎn)效率低下。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種生產(chǎn)效率高、成本低的薄膜電容器的高效生產(chǎn)工藝，以解決上述
技術(shù)介紹
中提出的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供如下技術(shù)方案：一種薄膜電容器的高效生產(chǎn)工藝，具體步驟如下：1)將蒸鍍層在薄膜基膜上按所需寬度正反兩面蒸鍍，正反兩面的蒸鍍區(qū)域及間距固定，正反兩面蒸鍍區(qū)域的錯(cuò)邊按照傳統(tǒng)卷繞工藝的錯(cuò)邊確定，蒸鍍多格；2)卷繞時(shí)將正反兩面蒸鍍好蒸鍍層的金屬化薄膜和一張未蒸鍍光膜一起卷繞；3)將卷繞好的芯子預(yù)壓扁，按所需寬度再分切成多個(gè)單獨(dú)的芯子；4)分切后的芯子在110-165℃下進(jìn)行熱處理，使未蒸鍍光膜均勻收縮，露出兩端的蒸鍍層的端面，使后續(xù)工序可靠的噴涂金屬在兩端面，引出引腳。作為本專利技術(shù)進(jìn)一步的方案：所述步驟1)中進(jìn)行正反兩面蒸鍍時(shí)蒸鍍五格。作為本專利技術(shù)再進(jìn)一步的方案：所述步驟4)中進(jìn)行熱處理的溫度為120-140℃。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)的有益效果是：本專利技術(shù)在現(xiàn)有傳統(tǒng)鍍膜工藝的基礎(chǔ)上稍作...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種薄膜電容器的高效生產(chǎn)工藝，其特征在于，具體步驟如下：1)將蒸鍍層在薄膜基膜上按所需寬度正反兩面蒸鍍，正反兩面的蒸鍍區(qū)域及間距固定，正反兩面蒸鍍區(qū)域的錯(cuò)邊，按照傳統(tǒng)卷繞工藝的錯(cuò)邊確定，蒸鍍多格；2)卷繞時(shí)將正反兩面蒸鍍好蒸鍍層的金屬化薄膜和一張未蒸鍍光膜一起卷繞；3)將卷繞好的芯子預(yù)壓扁，按所需寬度再分切成多個(gè)單獨(dú)的芯子；4)分切后的芯子在110?165℃下進(jìn)行熱處理，使未蒸鍍光膜均勻收縮，露出兩端的蒸鍍層的端面，使后續(xù)工序可靠的噴涂金屬在兩端面，引出引腳。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種薄膜電容器的高效生產(chǎn)工藝，其特征在于，具體步驟如下：1)將蒸鍍層在薄膜基膜上按所需寬度正反兩面蒸鍍，正反兩面的蒸鍍區(qū)域及間距固定，正反兩面蒸鍍區(qū)域的錯(cuò)邊，按照傳統(tǒng)卷繞工藝的錯(cuò)邊確定，蒸鍍多格；2)卷繞時(shí)將正反兩面蒸鍍好蒸鍍層的金屬化薄膜和一張未蒸鍍光膜一起卷繞；3)將卷繞好的芯子預(yù)壓扁，按所需寬度再分切成多個(gè)單獨(dú)的芯子；4)分切后的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李春花，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：青島祥智電子技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：山東,37
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