本發(fā)明專利技術(shù)涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種存儲訪問方法及其系統(tǒng)、存儲設(shè)備。其中,該存儲設(shè)備包括第一存儲模塊、第二存儲模塊及處理模塊;第一存儲模塊用于存儲虛擬指令;處理模塊用于讀取虛擬指令,將虛擬指令解析成執(zhí)行指令,根據(jù)執(zhí)行指令訪問所述第二存儲模塊。一方面,當(dāng)出現(xiàn)新類型的第二存儲模塊時,還可以另外對第一存儲模塊配置與該新類型的第二存儲模塊對應(yīng)的虛擬指令,從而提高處理模塊訪問第二存儲模塊的兼容性;另一方面,與現(xiàn)有技術(shù)相比較,其能夠構(gòu)建精簡的虛擬指令,從而節(jié)約用于存儲指令的內(nèi)存容量,降低生產(chǎn)成本。
Storage access method, system and storage device thereof
The invention relates to the technical field of memory, in particular to a storage access method, a system and a storage device thereof. Among them, the storage device includes a first storage module, a storage module and a second processing module; a first storage module for storing virtual instruction; processing module is used to read the virtual instruction, the virtual instruction is parsed into execution, according to the instructions to access the second storage module. On the one hand, when there are second new types of storage module, can also correspond to the second memory modules in the first storage module and configuration of the new type of virtual instruction, so as to improve the processing module access second storage module compatibility; on the other hand, compared with the existing technology, it can build the virtual instruction reduction, thus save for storing instruction memory capacity, reduce the production cost.
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種存儲訪問方法及其系統(tǒng)、存儲設(shè)備
本專利技術(shù)涉及存儲器
,特別是涉及一種存儲訪問方法及其系統(tǒng)、存儲設(shè)備。
技術(shù)介紹
目前,在存儲系統(tǒng)中,主控搭載多種存儲器件做存儲設(shè)備時,需要考慮主控集成多種存儲接口的驅(qū)動引導(dǎo)代碼,一旦集成的引導(dǎo)代碼具有兼容性上的缺陷,那么降低主控對存儲器支持的應(yīng)用健壯性。現(xiàn)有相關(guān)技術(shù)中,主控的內(nèi)存存儲有用于驅(qū)動存儲器的驅(qū)動引導(dǎo)代碼,主控訪問存儲器時,通過調(diào)用并且執(zhí)行該驅(qū)動引導(dǎo)代碼以訪問存儲器。然而,專利技術(shù)人在實現(xiàn)本專利技術(shù)的過程中,發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有相關(guān)技術(shù)至少存在以下問題:當(dāng)主控需要訪問新類型的存儲器時,由于主控的內(nèi)存尚未存儲有與該新類型的存儲器相對應(yīng)的驅(qū)動引導(dǎo)代碼,因此主控未能訪問該存儲器,主控的兼容性比較差。并且,當(dāng)主控需要對存儲器完成一個特定的訪問時,例如,上升沿讀取數(shù)據(jù)。現(xiàn)有相關(guān)技術(shù)的主控需要執(zhí)行多條驅(qū)動引導(dǎo)代碼方可完成該訪問。因此,主控需要耗費大內(nèi)存容量以存儲這些驅(qū)動引導(dǎo)代碼。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)實施例的一個目的旨在提供一種存儲訪問方法及其系統(tǒng)、存儲設(shè)備,其解決了現(xiàn)有技術(shù)的訪問存儲器方式的兼容性差及用于存儲驅(qū)動引導(dǎo)代碼的內(nèi)存容量大的技術(shù)問題。為解決上述技術(shù)問題,本專利技術(shù)實施例提供以下技術(shù)方案:在第一方面,本專利技術(shù)實施例公開一種存儲設(shè)備,所述存儲設(shè)備包括第一存儲模塊、第二存儲模塊及處理模塊;所述第一存儲模塊用于存儲虛擬指令,所述虛擬指令包括邏輯操作指令及I/O操作指令,所述I/O操作指令對應(yīng)于所述第二存儲模塊的I/O接口的電平控制信號;所述處理模塊用于讀取虛擬指令,將所述虛擬指令解析成執(zhí)行指令,根據(jù)所述執(zhí)行指令訪問所述第二存儲模塊。可選地,在讀取虛擬指令之前,所述處理模塊還用于:根據(jù)訪問所述第二存儲模塊的讀時序,構(gòu)建若干I/O操作指令。可選地,所述邏輯操作指令至少包括以下一種或兩種以上的操作指令:循環(huán)指令、跳轉(zhuǎn)指令、判斷指令及結(jié)束指令。可選地,所述I/O操作指令至少包括以下一種或兩種以上的操作指令:高電平指令、低電平指令、上升沿指令、下降沿指令、高跳轉(zhuǎn)指令、低跳轉(zhuǎn)指令、輸出數(shù)據(jù)指令及讀取數(shù)據(jù)指令。可選地,所述第一存儲模塊為電可擦可編程只讀存儲器。在第二方面,本專利技術(shù)實施例提供一種存儲訪問方法,所述方法包括:讀取虛擬指令,所述虛擬指令包括邏輯操作指令及I/O操作指令,所述I/O操作指令對應(yīng)于所述第二存儲模塊的I/O接口的電平控制信號;將所述虛擬指令解析成執(zhí)行指令;根據(jù)所述執(zhí)行指令訪問所述第二存儲模塊。可選地,在讀取虛擬指令之前,所述方法還包括:根據(jù)訪問所述第二存儲模塊的讀時序,構(gòu)建若干I/O操作指令;存儲所述I/O操作指令。可選地,所述邏輯操作指令至少包括以下一種或兩種以上的操作指令:循環(huán)指令、跳轉(zhuǎn)指令、判斷指令及結(jié)束指令。可選地,所述I/O操作指令至少包括以下一種或兩種以上的操作指令:高電平指令、低電平指令、上升沿指令、下降沿指令、高跳轉(zhuǎn)指令、低跳轉(zhuǎn)指令、輸出數(shù)據(jù)指令及讀取數(shù)據(jù)指令。在第三方面,本專利技術(shù)實施例提供一種存儲訪問系統(tǒng),所述存儲訪問系統(tǒng)包括上述的存儲設(shè)備。在本專利技術(shù)各個實施例中,一方面,通過對第一存儲模塊配置多種用于驅(qū)動第二存儲模塊的虛擬指令,并且當(dāng)出現(xiàn)新類型的第二存儲模塊時,還可以另外對第一存儲模塊配置與該新類型的第二存儲模塊對應(yīng)的虛擬指令,從而提高處理模塊訪問第二存儲模塊的兼容性;另一方面,由于虛擬指令包括邏輯操作指令及I/O操作指令,處理模塊可以根據(jù)邏輯操作指令及I/O操作指令,訪問第二存儲模塊的I/O接口。與現(xiàn)有技術(shù)相比較,其能夠構(gòu)建精簡的虛擬指令,在執(zhí)行同一訪問第二存儲模塊的操作(上升沿讀取1字節(jié)數(shù)據(jù)),現(xiàn)有技術(shù)需要花費大量指令方可達到目的,然而,處理模塊通過簡短的虛擬指令便可達到目的,從而節(jié)約用于存儲指令的內(nèi)存容量,降低生產(chǎn)成本。附圖說明一個或多個實施例通過與之對應(yīng)的附圖中的圖片進行示例性說明,這些示例性說明并不構(gòu)成對實施例的限定,附圖中具有相同參考數(shù)字標(biāo)號的元件表示為類似的元件,除非有特別申明,附圖中的圖不構(gòu)成比例限制。圖1是本專利技術(shù)實施例提供一種存儲設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是本專利技術(shù)實施例提供一種存儲訪問方法的流程示意圖;圖3為本專利技術(shù)另一實施例提供一種存儲訪問方法的流程示意圖。具體實施方式為了使本專利技術(shù)的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對本專利技術(shù)進行進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅用以解釋本專利技術(shù),并不用于限定本專利技術(shù)。在存儲系統(tǒng)中,存儲系統(tǒng)上電運行時,存儲系統(tǒng)中的控制器需要從存儲有系統(tǒng)代碼的存儲器讀取系統(tǒng)代碼以進行初始化。此時,控制器需要加載用于驅(qū)動該存儲器的引導(dǎo)代碼,方可訪問該存儲器并且讀取該存儲器中的系統(tǒng)代碼。在一些實施例中,該引導(dǎo)代碼可以預(yù)存于控制器的只讀存儲器(Read-OnlyMemory,ROM)或MASKROM存儲器。在一些實施例中,該引導(dǎo)代碼還可以預(yù)存外設(shè)的存儲模塊中。每個存儲器的引導(dǎo)代碼均不相同。當(dāng)控制器需要訪問存儲有系統(tǒng)代碼的存儲器,并且該存儲器是新型存儲器,其驅(qū)動的引導(dǎo)代碼尚未預(yù)存于控制器的只讀存儲器時,控制器無法訪問該存儲器,因此,該存儲系統(tǒng)的兼容性比較差。然而,在本專利技術(shù)各個實施例中,為了提高存儲系統(tǒng)的兼容性,可以將與各類存儲器對應(yīng)的引導(dǎo)代碼存儲于外設(shè)的存儲模塊中,并且當(dāng)存儲系統(tǒng)出現(xiàn)具有新引導(dǎo)代碼的新存儲器時,可以預(yù)先在該存儲模塊中燒錄該新引導(dǎo)代碼。當(dāng)控制器需要訪問該新存儲器時,可以預(yù)先從該存儲模塊中調(diào)取該新引導(dǎo)代碼,并根據(jù)該新引導(dǎo)代碼訪問該新存儲器。因此,采用該方式的存儲系統(tǒng)能夠兼容各種類型的存儲器。在一些實施例中,應(yīng)用上述及下述各個實施例所述的存儲系統(tǒng)包括但是不限定于以下電子產(chǎn)品:USB閃存盤(USBflashdisk,U盤)、安全數(shù)碼卡(SecureDigitalMemoryCard,SD卡)、讀卡器(CardReader)、SSD固態(tài)硬盤(SolidStateDisk,SSD)以及等等。當(dāng)采用“從存儲模塊中調(diào)取引導(dǎo)代碼以訪問存儲有系統(tǒng)代碼的存儲器”的方式時,在一些實施例中,引導(dǎo)代碼的代碼量大,因此,需要使用存儲容量大的存儲模塊以存儲引導(dǎo)代碼,然而,使用存儲容量大的存儲模塊的成本也隨之增加。尤其在存儲系統(tǒng)的引導(dǎo)過程中,為了提高存儲系統(tǒng)的兼容性及能夠存儲大容量的引導(dǎo)代碼,存儲模塊較多使用SPIFLASH(SPI,serialperipheralinterface串行外圍設(shè)備接口),例如,一片2Mbyte的SPIFLASH能夠存儲2048byte的引導(dǎo)代碼,價格一般為0.80人民幣。然而,對于一個生產(chǎn)成本比較低的存儲系統(tǒng)來言,使用SPIFLASH的成本占整體成本的10%左右,這使得使用SPIFLASH作為存儲模塊的方式在實際生產(chǎn)過程中受到制約。進一步的,為了降低成本,圖1是本專利技術(shù)實施例提供一種存儲設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,該存儲設(shè)備100包括第一存儲模塊11、第二存儲模塊12及處理模塊13,處理模塊13分別與第一存儲模塊11和第二存儲模塊12連接。第一存儲模塊11存儲著虛擬指令,存儲設(shè)備100上電時,處理模塊13通過IIC接口訪問第一存儲模塊11并且從第一存儲模塊11讀取虛擬指令,將虛擬指令解析成執(zhí)行指令,根據(jù)執(zhí)行指令通過主存儲接口訪問第二存儲模塊12。處于訪問第二存儲模塊12的目的,虛擬指令用于指本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種存儲設(shè)備,其特征在于,包括第一存儲模塊、第二存儲模塊及處理模塊;所述第一存儲模塊用于存儲虛擬指令,所述虛擬指令包括邏輯操作指令及I/O操作指令,所述I/O操作指令對應(yīng)于所述第二存儲模塊的I/O接口的電平控制信號;所述處理模塊用于讀取虛擬指令,將所述虛擬指令解析成執(zhí)行指令,根據(jù)所述執(zhí)行指令訪問所述第二存儲模塊。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種存儲設(shè)備,其特征在于,包括第一存儲模塊、第二存儲模塊及處理模塊;所述第一存儲模塊用于存儲虛擬指令,所述虛擬指令包括邏輯操作指令及I/O操作指令,所述I/O操作指令對應(yīng)于所述第二存儲模塊的I/O接口的電平控制信號;所述處理模塊用于讀取虛擬指令,將所述虛擬指令解析成執(zhí)行指令,根據(jù)所述執(zhí)行指令訪問所述第二存儲模塊。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲設(shè)備,其特征在于,在讀取虛擬指令之前,所述處理模塊還用于:根據(jù)訪問所述第二存儲模塊的讀時序,構(gòu)建若干I/O操作指令。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲設(shè)備,其特征在于,所述邏輯操作指令至少包括以下一種或兩種以上的操作指令:循環(huán)指令、跳轉(zhuǎn)指令、判斷指令及結(jié)束指令。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲設(shè)備,其特征在于,所述I/O操作指令至少包括以下一種或兩種以上的操作指令:高電平指令、低電平指令、上升沿指令、下降沿指令、高跳轉(zhuǎn)指令、低跳轉(zhuǎn)指令、輸出數(shù)據(jù)指令及讀取數(shù)據(jù)指令。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的存儲設(shè)備,其特征...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:龔成,
申請(專利權(quán))人:建榮半導(dǎo)體深圳有限公司,建榮集成電路科技珠海有限公司,珠海煌榮集成電路科技有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:廣東,44
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