一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器制造技術

本實用新型專利技術公開了一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器，包括輸入電路、第一放大電路、第二放大電路、第三放大電路、第一開關電路、第二開關電路、第三開關電路、第四開關電路、第五開關電路和輸出電路，所述輸入電路的輸出端與第一放大電路的輸入端連接，且第一放大電路的輸出端分別與第四開關電路、第三開關電路和第一開關電路的一端連接，所述第四開關電路的另一端與輸出電路連接，且第三開關電路的另一端與第三放大電路的輸入端連接，所述第三放大電路的輸出端與輸出電路連接，所述第一開關電路的另一端與第二放大電路的輸入端連接。本實用新型專利技術能夠根據需要進行放大系數的調整，使用范圍廣，結構簡單，使用方便，成本低。

【技術實現步驟摘要】
一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器
本技術涉及射頻功率放大器
，尤其涉及一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器。
技術介紹
射頻功率放大器是各種無線發射機的重要組成部分；在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大一緩沖級、中間放大級、末級功率放大級，獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去；為了獲得足夠大的射頻輸出功率，必須采用射頻功率放大器。申請號為201210140694.X的專利文件公開了采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器，用于提供一種采用標準CMOS工藝實現高性能2G手機射頻前端功率放大器的方法，并提出將射頻前端功放芯片與射頻收發器集成在一顆晶圓的架構，但是，其不能夠根據需要進行放大系數的調整，導致使用范圍有限，使用不方便。
技術實現思路
基于
技術介紹
存在的技術問題，本技術提出了一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器。本技術提出的一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器，包括輸入電路、第一放大電路、第二放大電路、第三放大電路、第一開關電路、第二開關電路、第三開關電路、第四開關電路、第五開關電路和輸出電路，所述輸入電路的輸出端與第一放大電路的輸入端連接，且第一放大電路的輸出端分別與第四開關電路、第三開關電路和第一開關電路的一端連接，所述第四開關電路的另一端與輸出電路連接，且第三開關電路的另一端與第三放大電路的輸入端連接，所述第三放大電路的輸出端與輸出電路連接，所述第一開關電路的另一端與第二放大電路的輸入端連接，且第二放大電路的輸出端分別與第五開關電路和第二開關電路的一端連接，所述第五開關電路的另一端與輸出電路連接，且第二開關電路的另一端與第三放大電路的輸入端連接。優選地，所述第一放大電路包括兩個反相器和兩個CMOS晶體管，兩個反相器級聯，構成第一反相器組，兩個CMOS晶體管層疊相連，構成第一CMOS晶體管組，第一反相器組與第一CMOS晶體管組連接，第一反相器組用于驅動第一CMOS晶體管組。優選地，所述第二放大電路包括三個反相器和三個CMOS晶體管，三個反相器級聯，構成第二反相器組，三個CMOS晶體管層疊相連，構成第二CMOS晶體管組，第二反相器組與第二CMOS晶體管組連接，第二反相器組用于驅動第二CMOS晶體管組。優選地，所述第三放大電路包括四個反相器和四個CMOS晶體管，四個反相器級聯，構成第三反相器組，四個CMOS晶體管層疊相連，構成第三CMOS晶體管組，第三反相器組與第三CMOS晶體管組連接，第三反相器組用于驅動第三CMOS晶體管組。優選地，每個反相器的輸入端與輸出端之間連接有偏壓電阻。優選地，每個CMOS晶體管的襯底與源極之間連接有偏壓電阻。優選地，所述第一開關電路、第二開關電路、第三開關電路、第四開關電路和第五開關電路均連接有控制芯片，且控制芯片為型號為AT89C51的單片機。本技術中，所述一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器通過第一開關電路、第二開關電路、第三開關電路、第四開關電路和第五開關電路的閉合與斷開能夠自由組合第一放大電路、第二放大電路和第三放大電路，從而對輸入電路和輸出電路之間接入的放大系數進行調整，本技術能夠根據需要進行放大系數的調整，使用范圍廣，結構簡單，使用方便，成本低。附圖說明圖1為本技術提出的一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器的工作原理框圖；圖2為本技術提出的一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器的第一放大電路的電路原理示意圖；圖3為本技術提出的一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器的第二放大電路的電路原理示意圖；圖4為本技術提出的一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器的第三放大電路的電路原理示意圖。具體實施方式下面結合具體實施例對本技術作進一步解說。實施例參照圖1-4，本實施例提出了一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器，包括輸入電路、第一放大電路、第二放大電路、第三放大電路、第一開關電路、第二開關電路、第三開關電路、第四開關電路、第五開關電路和輸出電路，輸入電路的輸出端與第一放大電路的輸入端連接，且第一放大電路的輸出端分別與第四開關電路、第三開關電路和第一開關電路的一端連接，第四開關電路的另一端與輸出電路連接，且第三開關電路的另一端與第三放大電路的輸入端連接，第三放大電路的輸出端與輸出電路連接，第一開關電路的另一端與第二放大電路的輸入端連接，且第二放大電路的輸出端分別與第五開關電路和第二開關電路的一端連接，第五開關電路的另一端與輸出電路連接，且第二開關電路的另一端與第三放大電路的輸入端連接，一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器通過第一開關電路、第二開關電路、第三開關電路、第四開關電路和第五開關電路的閉合與斷開能夠自由組合第一放大電路、第二放大電路和第三放大電路，從而對輸入電路和輸出電路之間接入的放大系數進行調整，本技術能夠根據需要進行放大系數的調整，使用范圍廣，結構簡單，使用方便，成本低。本實施例中，第一放大電路包括兩個反相器和兩個CMOS晶體管，兩個反相器級聯，構成第一反相器組，兩個CMOS晶體管層疊相連，構成第一CMOS晶體管組，第一反相器組與第一CMOS晶體管組連接，第一反相器組用于驅動第一CMOS晶體管組，第二放大電路包括三個反相器和三個CMOS晶體管，三個反相器級聯，構成第二反相器組，三個CMOS晶體管層疊相連，構成第二CMOS晶體管組，第二反相器組與第二CMOS晶體管組連接，第二反相器組用于驅動第二CMOS晶體管組，第三放大電路包括四個反相器和四個CMOS晶體管，四個反相器級聯，構成第三反相器組，四個CMOS晶體管層疊相連，構成第三CMOS晶體管組，第三反相器組與第三CMOS晶體管組連接，第三反相器組用于驅動第三CMOS晶體管組，每個反相器的輸入端與輸出端之間連接有偏壓電阻，每個CMOS晶體管的襯底與源極之間連接有偏壓電阻，第一開關電路、第二開關電路、第三開關電路、第四開關電路和第五開關電路均連接有控制芯片，且控制芯片為型號為AT89C51的單片機，一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器通過第一開關電路、第二開關電路、第三開關電路、第四開關電路和第五開關電路的閉合與斷開能夠自由組合第一放大電路、第二放大電路和第三放大電路，從而對輸入電路和輸出電路之間接入的放大系數進行調整，本技術能夠根據需要進行放大系數的調整，使用范圍廣，結構簡單，使用方便，成本低。本實施例中，用控制芯片控制第一開關電路和第三開關電路斷開，且控制第四開關電路閉合，則第一放大電路接入輸入電路和輸出電路之間，用控制芯片控制第四開關電路、第三開關電路和第二開關電路斷開，且控制第一開關電路和第五開關電路閉合，則第一放大電路和第二放大電路接入輸入電路和輸出電路之間，用控制芯片控制第四開關電路和第一開關電路斷開，且控制第三開關電路閉合，則第一放大電路和第三放大電路接入輸入電路和輸出電路之間，用控制芯片控制第四開關電路、第三開關電路和第五開關電路斷開，且控制第一開關電路和第二開關電路閉合，則第一放大電路、第二放大電路和第三放大電路均接入輸入電路和輸出電路之間。以上所述，僅為本技術較佳的具體實施方式，但本技術的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器，包括輸入電路、第一放大電路、第二放大電路、第三放大電路、第一開關電路、第二開關電路、第三開關電路、第四開關電路、第五開關電路和輸出電路，其特征在于，所述輸入電路的輸出端與第一放大電路的輸入端連接，且第一放大電路的輸出端分別與第四開關電路、第三開關電路和第一開關電路的一端連接，所述第四開關電路的另一端與輸出電路連接，且第三開關電路的另一端與第三放大電路的輸入端連接，所述第三放大電路的輸出端與輸出電路連接，所述第一開關電路的另一端與第二放大電路的輸入端連接，且第二放大電路的輸出端分別與第五開關電路和第二開關電路的一端連接，所述第五開關電路的另一端與輸出電路連接，且第二開關電路的另一端與第三放大電路的輸入端連接。

【技術特征摘要】
1.一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器，包括輸入電路、第一放大電路、第二放大電路、第三放大電路、第一開關電路、第二開關電路、第三開關電路、第四開關電路、第五開關電路和輸出電路，其特征在于，所述輸入電路的輸出端與第一放大電路的輸入端連接，且第一放大電路的輸出端分別與第四開關電路、第三開關電路和第一開關電路的一端連接，所述第四開關電路的另一端與輸出電路連接，且第三開關電路的另一端與第三放大電路的輸入端連接，所述第三放大電路的輸出端與輸出電路連接，所述第一開關電路的另一端與第二放大電路的輸入端連接，且第二放大電路的輸出端分別與第五開關電路和第二開關電路的一端連接，所述第五開關電路的另一端與輸出電路連接，且第二開關電路的另一端與第三放大電路的輸入端連接。2.根據權利要求1所述的一種采用CMOS工藝實現的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一放大電路包括兩個反相器和兩個CMOS晶體管，兩個反相器級聯，構成第一反相器組，兩個CMOS晶體管層疊相連，構成第一CMOS晶體管組，第一反相器組與第一CMOS晶體管組連接，第一反相器組用于驅動第一CMOS晶體管組。3.根據權利要求1所述的一種采用CMOS工藝實現的射頻功率...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李銳敏，龔亮，鄒華英，
申請(專利權)人：湖南工程職業技術學院，
類型：新型
國別省市：湖南,43