一種降低患者漏電流的平板探測器電路實現方法技術

本發明專利技術提供一種降低患者漏電流的平板探測器電路實現方法，包括在平板探測器的電源輸入接口與電池電路之間加入患者漏電流保護電路。當電源輸入接口外接電源適配器時，平板探測器可以直接利用外接電源供電或者對電池進行充電，而當平板探測器不外接電源適配器而是直接利用內部電池供電時，患者若接觸到電源輸入接口對地形成回路，患者漏電流保護電路就能控制回路電流，從而降低患者漏電流，保證X光平板探測器滿足B型應用部分的要求。另外，本發明專利技術方法中的電路不影響電池正常充電。

【技術實現步驟摘要】
一種降低患者漏電流的平板探測器電路實現方法
本專利技術涉及醫用X射線平板探測器領域，特別是涉及一種降低患者漏電流的平板探測器電路實現方法。
技術介紹
近年來，照相平板印刷和微電子
的不斷進步，使集成基于TFT陣列讀出裝置的大面積X射線探測器的應用越來越普及?；赥FT的平板系統的電荷收集和讀出電子元件緊貼與X射線發生交互作用的材料層，使X光的探測器的結構緊湊，并能實時轉化為數字影像，因此X射線探測器正成為醫療輻射成像，工業探傷和安檢的中堅力量。X射線平板探測器的成像過程需要經歷X射線到可見光，然后電荷圖像到數字圖像的成像轉換過程，通常也被稱作間接轉換型平板探測器，是一種以非晶硅光電二極管陣列為核心的X射線影像探測器。在X射線照射下探測器的閃爍體或熒光體層將X射線光子轉換為可見光，而后由具有光電二極管作用的非晶硅陣列變為圖像電信號，通過外圍電路積分讀出及A/D變換，從而獲得數字化圖像。非晶硅平板探測器具有成像速度快，良好的空間及密度分辨率，高信噪比，直接數字輸出等顯著優點。目前，X射線平板探測器的電源輸入接口直接與電池電路模塊相連，當平板探測器利用內部電池供電時，患者接觸到電源輸入接口形成回路時，存在從電源接口經患者流入地的電流。因此存在患者安全隱患問題，不能滿足B型應用部分要求。因此，提供一種降低患者漏電流的平板探測器電路實現方法是本領域技術人員需要解決的課題。
技術實現思路
鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供一種降低患者漏電流的平板探測器電路實現方法，用于解決現有技術中平板探測器利用內部電池供電時，患者漏電流過大的問題。為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術提供一種降低患者漏電流的平板探測器電路實現方法，所述實現方法包括：在平板探測器的電源輸入接口與電池電路之間加入患者漏電流保護電路。優選地，所述患者漏電流保護電路包括：第一級MOS管開關、第一級控制電路、第一級電阻、第二級MOS管開關、第二級控制電路、第二級電阻；所述第一級MOS管開關的漏極和第一級控制電路的第一控制端均與所述電源輸入接口相連；所述第一級MOS管開關的源極和第一級控制電路的第二控制端均與所述第二級MOS管開關的漏極相連；所述第一級MOS管開關的柵極與所述第一級控制電路的第三控制端相連；所述第二級控制電路的第一控制端與所述第二級MOS管開關的漏極相連；所述第二級MOS管開關的源極和第二級控制電路的第二控制端均與所述電池電路相連；所述第二級MOS管開關的柵極與所述第二級控制電路的第三控制端相連；所述電源輸入接口與所述第一級MOS管開關的漏極之間通過第一級電阻接地；所述第一級MOS管開關的源極和第二級MOS管開關的漏極之間通過第二級電阻接地。優選地，所述患者漏電流保護電路包括：從所述電源輸入接口到電池電路依次串聯第一級二極管和第二級二極管；其中，所述第一級二極管的正極接所述電源輸入接口，負極接所述第二級二極管的正極，所述第二級二極管的負極接所述電池電路；所述電源輸入接口與所述第一級二極管之間通過第一級電阻接地；所述第一級二極管和第二級二極管之間通過第二級電阻接地。優選地，所述第一級電阻和第二級電阻的阻值范圍為20～50KΩ。優選地，當平板探測器利用所述電池電路進行供電時，所述第一級控制電路控制所述第一級MOS管開關的柵源極電壓，使所述第一級MOS管開關關斷，所述第二級控制電路控制所述第二級MOS管開關的柵源極電壓，使所述第二級MOS管開關關斷，利用所述第一級MOS管開關和第二級MOS管開關的關斷阻抗，抑制所述電池電路反向流經患者的電流。優選地，當平板探測器利用所述電池電路進行供電時，所述第一級二極管和所述第二級二極管反向截止，利用所述第一級二極管和第二級二極管截止阻抗，來抑制所述電池電路反向流經患者的電流。優選地，所述平板探測器還包括：X射線傳感器、采集電路、主CPU控制處理單元以及顯示單元；所述采集電路與所述X射線傳感器相連，用于采集所述X射線傳感器的圖像光電信號并將所述圖像光電信號轉換為數字信號；所述主CPU控制處理單元與所述采集電路、所述電池電路及所述顯示單元相連，用于控制所述采集電路進行圖像光電信號的采集與轉換輸出，同時控制所述電池電路的放電與充電，并控制所述顯示單元進行數字圖像數據的顯示，對所述平板探測器整個工作流進行控制及圖像數據的處理；所述顯示單元與所述主CPU控制處理單元相連，用于所述平板探測器的數字圖像數據的顯示；所述電池電路與所述采集電路、所述主CPU控制處理單元相連，對所述平板探測器內所有器件模塊進行供電。如上所述，本專利技術的降低患者漏電流的平板探測器電路實現方法，包括在平板探測器的電源輸入接口與電池電路之間加入患者漏電流保護電路。當電源輸入接口外接電源適配器時，平板探測器可以直接利用外接電源供電或者對電池進行充電，而當平板探測器不外接電源適配器而是直接利用內部電池供電時，患者若接觸到電源輸入接口對地形成回路，患者漏電流保護電路就能控制回路電流，從而降低患者漏電流，保證X光平板探測器滿足B型應用部分的要求。另外，本專利技術方法中的電路不影響電池正常充電。附圖說明圖1為本專利技術降低患者漏電流的平板探測器電路實現方法的整體結構示意圖。圖2為本專利技術實施例一中的患者漏電流保護電路示意圖。圖3為本專利技術實施例二中的患者漏電流保護電路示意圖。元件標號說明1X射線傳感器2采集電路3主CPU控制處理單元4電池電路5顯示單元6電源輸入接口7患者漏電流保護電路Q1第一級MOS管開關、第一級二極管Q2第二級MOS管開關、第二級二極管U1第一級控制電路U2第二級控制電路R1第一級電阻R2第二級電阻具體實施方式以下通過特定的具體實例說明本專利技術的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本專利技術的其他優點與功效。本專利技術還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應用，本說明書中的各項細節也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本專利技術的精神下進行各種修飾或改變。請參閱附圖。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本專利技術的基本構想，遂圖式中僅顯示與本專利技術中有關的組件而非按照實際實施時的組件數目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態、數量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態也可能更為復雜。實施例一如圖1和圖2所示，本實施例提供一種降低患者漏電流的平板探測器電路實現方法，所述方法包括在平板探測器的電源輸入接口6與電池電路4之間加入患者漏電流保護電路7。本實施例中，所述患者漏電流保護電路主要由控制電路模塊和MOS管開關模塊組成，電路通過二級控制電路U1、U2分別控制對應的MOS管開關Q1、Q2的導通與關斷，實現降低患者漏電流的目的。具體地，所述患者漏電流保護電路7包括：第一級MOS管開關Q1、第一級控制電路U1、第一級電阻R1、第二級MOS管開關Q2、第二級控制電路U2、第二級電阻R1。所述第一級MOS管開關Q1的漏極D和第一級控制電路U1的第一控制端均與所述電源輸入接口6相連；所述第一級MOS管開關Q1的源極S和第一級控制電路U1的第二控制端均與所述第二級MOS管開關Q2的漏極D相連；所述第一級MOS管開關Q1的柵極G與所述第一級控制電路U1的第三控制端相連；所述第二級控制電路U2的第一控制端與所述第二級MO本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種降低患者漏電流的平板探測器電路實現方法，其特征在于，所述實現方法包括：在平板探測器的電源輸入接口與電池電路之間加入患者漏電流保護電路。

【技術特征摘要】
1.一種降低患者漏電流的平板探測器電路實現方法，其特征在于，所述實現方法包括：在平板探測器的電源輸入接口與電池電路之間加入患者漏電流保護電路。2.根據權利要求1所述的降低患者漏電流的平板探測器電路實現方法，其特征在于：所述患者漏電流保護電路包括：第一級MOS管開關、第一級控制電路、第一級電阻、第二級MOS管開關、第二級控制電路、第二級電阻；所述第一級MOS管開關的漏極和第一級控制電路的第一控制端均與所述電源輸入接口相連；所述第一級MOS管開關的源極和第一級控制電路的第二控制端均與所述第二級MOS管開關的漏極相連；所述第一級MOS管開關的柵極與所述第一級控制電路的第三控制端相連；所述第二級控制電路的第一控制端與所述第二級MOS管開關的漏極相連；所述第二級MOS管開關的源極和第二級控制電路的第二控制端均與所述電池電路相連；所述第二級MOS管開關的柵極與所述第二級控制電路的第三控制端相連；所述電源輸入接口與所述第一級MOS管開關的漏極之間通過第一級電阻接地；所述第一級MOS管開關的源極和第二級MOS管開關的漏極之間通過第二級電阻接地。3.根據權利要求1所述的降低患者漏電流的平板探測器電路實現方法，其特征在于：所述患者漏電流保護電路包括：從所述電源輸入接口到電池電路依次串聯第一級二極管和第二級二極管；其中，所述第一級二極管的正極接所述電源輸入接口，負極接所述第二級二極管的正極，所述第二級二極管的負極接所述電池電路；所述電源輸入接口與所述第一級二極管之間通過第一級電阻接地；所述第一級二極管和第二級二極管之間通過第二級電阻接地。4.根據權利要求2或3所述的降低患者漏電流的平板探測器電路實現方...

【專利技術屬性】
技術研發人員：姜婷，馬揚喜，
申請(專利權)人：上海奕瑞光電子科技有限公司，
類型：發明
國別省市：上海,31