一種泡桐優良單株的無性組培快繁方法技術

本發明專利技術公開了一種泡桐優良單株的無性組培快繁方法，采用以芽繁芽的方式，經消毒獲得無菌芽后，優化調整培養基的成分及比例，篩選得到初始芽誘導、繼代增殖、生根培養等組培繁育階段的培養基配方，再輔以適宜的溫度和光照，建立泡桐優良單株的組培快繁體系。本方法以泡桐優良單株帶有腋芽的莖段為外植體，在最大程度上保存了單株的優良特性；在采集外植體前噴施消毒液，有效降低外植體消毒的污染率，污染率最低為2.3%；繼代增殖培養基增殖效果顯著，增殖系數達13.2～15.8；生根培養周期短，生根培養6～8天開始萌發出根系，生根率達到98.5～100%，繼續培養至15天后統計，生根率均可達到100%，具有很好的經濟效益、生態效益和社會效益。

Asexual tissue culture and rapid propagation method for Paulownia superior individual plant

The invention discloses a good plant tissue culture clones of Paulownia micropropagation method used by bud proliferation method, after disinfection to obtain sterile buds, composition and proportion of adjustment and optimization of culture medium, obtained initial bud induction, following the medium generation proliferation, rooting and tissue breeding stage, supplemented by appropriate the temperature and light, the establishment of tissue culture and rapid propagation system of Paulownia fine plant. This method stems with Paulownia fine plant with axillary bud as explants, the maximum extent to save the excellent properties of plants; in explants collected before spraying disinfectant, effectively reduce the contamination rate of explant, the lowest contamination rate was 2.3%; subculture medium proliferation effect significantly, the proliferation coefficient was 13.2. ~ 15.8; short period of cultivation rooting, rooting from 6 to 8 days to start a adorable root, the rooting rate reached 98.5 ~ 100%, continue to raise to 15 days after the statistics, the rooting rate could reach 100%, and has good economic benefit, ecological benefit and social benefit.

【技術實現步驟摘要】
一種泡桐優良單株的無性組培快繁方法
本專利技術屬于植物無性快繁
，涉及一種泡桐優良單株的無性組培快繁方法。
技術介紹
泡桐（拉丁文名：Paulownia.），別名：白花泡桐、大果泡桐，空桐木等，屬落葉喬木，生長快，抗性強，應范圍廣，材質優良，木材紋理通直，花紋美觀，色澤悅目，材質輕軟，密度低，尺寸穩定，不翹不裂，具有制作膠合板、拼板、集成材的優良材質特性；泡桐材保溫隔熱絕緣性能優良，共振性能好，輻射阻尼高，內摩擦小，是優良的弦樂器用材；泡桐材的木纖維高，是刨花板、纖維板、造紙等的優良原料用材，產品供不應求，市場前景廣闊，是我國中東部地區的重要速生造林樹種。我國泡桐種質資源豐富，經科研人員多年選育研究，已經獲得很多優良品種。目前，泡桐的培育基本處于野生或半野生狀態，而常規的扦插繁殖，難生根；埋根繁殖萌發率低，且根段采集不易；嫁接繁殖在后期的親和性方面留下隱患，同時影響無性系測定以及在造林生產中優良性狀不能得以充分表達。因此選擇泡桐優良無性系作為繁殖材料，采用組培繁殖方法有利于建立泡桐的高效繁殖體系，為泡桐優質種苗專業化和規模化生產奠定了良好的物質基礎和技術基礎。
技術實現思路
本專利技術采用以芽繁芽的方式，提供了一種生長效果好、擴繁快，并能最大程度保存單株的優良特性的泡桐優良單株的無性組培快繁方法。為了實現上述專利技術目的，本專利技術的技術方案如下：一種泡桐優良單株的無性組培快繁方法，包括外植體選擇、外植體處理、初始芽誘導培養、增殖培養、壯芽培養和生根培養工序，采集泡桐優良單株當年生的半木質化枝條，在采集前一天，用消毒液對待采集的枝條進行噴霧消毒，對枝條進行修剪成莖段作為外植體，對外植體滅菌消毒處理后接種于初始芽誘導培養基中獲取初始芽，再將初始芽接種于增殖培養基中經過10～15d增殖培養，形成叢芽，將叢生芽接入壯芽培養基中培養，最后將長≥5cm的單芽的上部剪下后插入生根培養基中誘導生根；主要操作步驟如下：（1）外植體選擇：采集泡桐優良單株當年生的半木質化枝條，在采集前一天，用消毒液對待采集的枝條進行噴霧消毒；將采集到的枝條裁剪為長5.0～6.0cm、帶有腋芽的莖段作為外植體；（2）外植體處理：用流水洗去外植體表面污垢，再用軟毛刷沾取家用洗衣粉輕輕刷洗，置于流水下沖洗10min后，用體積濃度為75%酒精對洗凈的外植體浸泡消毒30～60s，浸泡期間按常規方法定時攪拌；然后用無菌水沖洗外植體3～4次，放置于無菌容器中，轉入超凈臺中后，用體積濃度0.1%氯化汞對外植體浸泡消毒6～8min，期間按常規方法定時攪拌；最后用無菌水沖洗外植體3～4次，并用剪刀剪掉切口0.5cm處莖段，余下部分外植體，備用；（3）初始芽誘導培養：將步驟（2）處理后的外植體以直插式接種到初始芽誘導培養基上進行誘導培養；初始芽誘導培養條件為：溫度25±2℃～28±2℃，光照500～1000lx，光照8～12h/d；接種后跟蹤觀察，去除被污染的莖段；接種4～6d后，初始芽萌發、生長；（4）增殖培養：將長2～3cm的初始芽接入增殖培養基中進行增殖培養，增殖培養條件為：溫度28±2℃～30±2℃，光照1000～2000lx，光照10～12h/d；經10～15d培養后行成叢芽；（5）壯芽培養：將步驟（4）得到的芽高為1.8～2.2cm叢生芽進行切割分從，1顆芽/叢，插入壯芽培養基中培養，壯芽培養條件為：溫度28±2℃～30±2℃，光照2000～5000lx，光照12～16h/d；培養10～15天后形成壯芽；（6）生根培養：將步驟（5）得到的長≥5cm的單芽取上部3.0～4.0cm剪下，轉入生根培育基中，生根培養條件為：溫度28±2℃～30±2℃，光照1500～3000lx，光照12～16h/d；余下的單芽下部和從芽基部分別接種至步驟（4）的增殖培養基中繼續增殖，然后再重復步驟（5），循環往復，獲得大量壯芽。以上步驟（1）所述的消毒液為體積濃度2～5%的苯扎氯銨溶液。以上所述的初始芽誘導培養基的配方為：3/5～5/5改良WPM培養基+6-BA1.0～2.0mg/L+NAA0.1～0.5mg/L+蔗糖30.0g/L+瓊脂6.0g/L。以上所述的增殖培養基配方為：3/5～5/5改良WPM培養基+6-BA6.0～8.0mg/L+NAA0.5～1.5mg/L+蔗糖30.0g/L+瓊脂6.0g/L。以上所述的壯芽培養基配方為：3/5～5/5改良WPM培養基+6-BA2.0～5.0mg/L+NAA1.0～2.5mg/L+蔗糖30.0g/L+瓊脂6.0g/L。以上所述的生根培養基配方為：1/5～3/5改良WPM培養基+ABT1#1.0～3.5mg/L+NAA0.5～2.0mg/L+蔗糖15.0g/L+瓊脂6.0g/L。以上所述的改良WPM培養基組分和體積重量比為：NH4NO3550mg/L，CaCl2·2H2O192mg/L，MgSO4·7H20370mg/L，KH2PO4170mg/L，Ca(NO3)2·4H2O180mg/L，KI0.83mg/L，H3BO36.2mg/L，MnSO4·H2O22.4mg/L，ZnSO4·7H2O8.6mg/L，Na2MoO4·2H2O0.25mg/L，CuSO4·5H2O0.25mg/L，Na2·EDTA37.3mg/L，FeSO4·7H2O27.8mg/L，肌醇100mg/L，煙酸1.0mg/L，鹽酸吡哆醇1.0mg/L，鹽酸硫胺素2.0mg/L，甘氨酸2.0mg/L。相比于現有技術，本專利技術具有的優點及有益效果如下：1、現有的泡桐組培技術大多采用種子、葉柄或葉片做為外植體，然而，種子與母本之間自然存在的性狀分化，葉柄或葉片在誘導脫分化、再分化的過程中潛在的變異概率，對優良單株的性狀保存極為不利，本專利技術采用以芽繁芽的方式，以泡桐優良單株帶有腋芽的莖段為外植體，在最大程度上保存了單株的優良特性，并可穩定遺傳。2、本專利技術在外植體采集之前先用消毒液對枝條進行表面消毒，有效降低外植體消毒的污染率，污染率最低為2.3%。3、本專利技術采用的增殖培養基增殖效果顯著，在10～15天的培養周期內，可由單芽萌發至叢芽，增殖系數達13.2～15.8，并且在生根取芽時剩余的單芽下半部和叢芽基部均可繼續進入增殖培養，使得材料能夠多次繼代，實現大量增殖，規模化生產壯芽，實現泡桐優良單株的擴繁。4、本專利技術采用的壯芽培養基可有效促進叢芽伸長，在在10～15天的培養周期內，單芽可伸長5～8cm，滿足生根條件。5、本專利技術生根培養周期短，生根培養6～8天開始萌發出根系，生根率達到98.5～100%，繼續培養至15天后統計，生根率均可達到100%。6、本專利技術對WPM基本培養基進行了改良，同時重點調整了與泡桐出芽壯芽相關的微量元素和有機成分，使得培養基更科學，更有針對性，更易促使泡桐芽誘導的發生、增殖和壯芽，效果顯著。7、本專利技術操作過程簡便，培養周期短，繼代芽產量大,并且質量優，增殖系數高，達到組培苗產業化技術要求，并在最大程度上保存了單株的優良特性，極大的推動了泡桐優良種苗繁育的規模化發展，具有很好的經濟效益、生態效益和社會效益。具體實施方式下面結合具體實施例對本專利技術作進一步說明。實施例1：一種泡桐優良單株的無性組培快繁方法，采集泡桐優良單株當年生的半木質化枝條，在采本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種泡桐優良單株的無性組培快繁方法，其特征在于：包括外植體選擇、外植體處理、初始芽誘導培養、增殖培養、壯芽培養和生根培養工序，采集泡桐優良單株當年生的半木質化枝條，在采集前一天，用消毒液對待采集的枝條進行噴霧消毒，對枝條進行修剪成莖段作為外植體，對外植體滅菌消毒處理后接種于初始芽誘導培養基中獲取初始芽，再將初始芽接種于增殖培養基中經過10～15d增殖培養，形成叢芽，將叢生芽接入壯芽培養基中培養，最后將長≥5cm的單芽的上部剪下后插入生根培養基中誘導生根；主要操作步驟如下：（1）外植體選擇：采集泡桐優良單株當年生的半木質化枝條，在采集前一天，用消毒液對待采集的枝條進行噴霧消毒；將采集到的枝條裁剪為長5.0～6.0?cm、帶有腋芽的莖段作為外植體；（2）外植體處理：用流水洗去外植體表面污垢，再用軟毛刷沾取家用洗衣粉輕輕刷洗，置于流水下沖洗10?min后，用體積濃度為75%酒精對洗凈的外植體浸泡消毒30～60s，浸泡期間按常規方法定時攪拌；然后用無菌水沖洗外植體3～4次，放置于無菌容器中，轉入超凈臺中后，用體積濃度0.1%氯化汞對外植體浸泡消毒6～8min，期間按常規方法定時攪拌；最后用無菌水沖洗外植體3～4次，并用剪刀剪掉切口0.5cm處莖段，余下部分外植體，備用；（3）初始芽誘導培養：將步驟（2）處理后的外植體以直插式接種到初始芽誘導培養基上進行誘導培養；初始芽誘導培養條件為：溫度25±2℃～28±2℃，光照500～1000?lx，光照8～12h/d；接種后跟蹤觀察，去除被污染的莖段；接種4～6d后，初始芽萌發、生長；（4）增殖培養：將長2～3cm的初始芽接入增殖培養基中進行增殖培養，增殖培養條件為：溫度28±2℃～30±2℃，光照1000～2000?lx，光照10～12h/d；經10～15d培養后行成叢芽；（5）壯芽培養：將步驟（4）得到的芽高為1.8～2.2cm叢生芽進行切割分從，1顆芽/叢，插入壯芽培養基中培養，壯芽培養條件為：溫度28±2℃～30±2℃，光照2000～5000?lx，光照12～16h/d；培養10～15天后形成壯芽；（6）生根培養：將步驟（5）得到的長≥5cm的單芽取上部3.0～4.0cm剪下，轉入生根培育基中，生根培養條件為：溫度28±2℃～30±2℃，光照1500～3000?lx，光照12～16h/d；余下的單芽下部和從芽基部分別接種至步驟（4）的增殖培養基中繼續增殖，然后再重復步驟（5），循環往復，獲得大量壯芽。...

【技術特征摘要】
1.一種泡桐優良單株的無性組培快繁方法，其特征在于：包括外植體選擇、外植體處理、初始芽誘導培養、增殖培養、壯芽培養和生根培養工序，采集泡桐優良單株當年生的半木質化枝條，在采集前一天，用消毒液對待采集的枝條進行噴霧消毒，對枝條進行修剪成莖段作為外植體，對外植體滅菌消毒處理后接種于初始芽誘導培養基中獲取初始芽，再將初始芽接種于增殖培養基中經過10～15d增殖培養，形成叢芽，將叢生芽接入壯芽培養基中培養，最后將長≥5cm的單芽的上部剪下后插入生根培養基中誘導生根；主要操作步驟如下：（1）外植體選擇：采集泡桐優良單株當年生的半木質化枝條，在采集前一天，用消毒液對待采集的枝條進行噴霧消毒；將采集到的枝條裁剪為長5.0～6.0cm、帶有腋芽的莖段作為外植體；（2）外植體處理：用流水洗去外植體表面污垢，再用軟毛刷沾取家用洗衣粉輕輕刷洗，置于流水下沖洗10min后，用體積濃度為75%酒精對洗凈的外植體浸泡消毒30～60s，浸泡期間按常規方法定時攪拌；然后用無菌水沖洗外植體3～4次，放置于無菌容器中，轉入超凈臺中后，用體積濃度0.1%氯化汞對外植體浸泡消毒6～8min，期間按常規方法定時攪拌；最后用無菌水沖洗外植體3～4次，并用剪刀剪掉切口0.5cm處莖段，余下部分外植體，備用；（3）初始芽誘導培養：將步驟（2）處理后的外植體以直插式接種到初始芽誘導培養基上進行誘導培養；初始芽誘導培養條件為：溫度25±2℃～28±2℃，光照500～1000lx，光照8～12h/d；接種后跟蹤觀察，去除被污染的莖段；接種4～6d后，初始芽萌發、生長；（4）增殖培養：將長2～3cm的初始芽接入增殖培養基中進行增殖培養，增殖培養條件為：溫度28±2℃～30±2℃，光照1000～2000lx，光照10～12h/d；經10～15d培養后行成叢芽；（5）壯芽培養：將步驟（4）得到的芽高為1.8～2.2cm叢生芽進行切割分從，1顆芽/叢，插入壯芽培養基中培養，壯芽培養條件為：溫度28±2℃～30±2℃，光照2000～5000lx，光照12～16h/d；培養10～15天后形成壯芽；（6）生根培養：將步驟（5）得到的長≥5cm的單芽取上部3.0～4.0cm剪下，轉入生根培育基中，生根培養條件為：溫度28±2℃～30±...

【專利技術屬性】
技術研發人員：鄭興華，鄭正練，劉海龍，覃子海，陳博雯，丁慧，肖少華，
申請(專利權)人：廣西福桐林業科技有限公司，
類型：發明
國別省市：廣西,45