晶體管振蕩器制造技術(shù)

本實用新型專利技術(shù)公開了晶體管振蕩器，其特征在于，包括晶體管Q1、第一電阻R1,第二電阻R2、第三電阻R3、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、電感器L1、電源端、信號輸出端、地端；所述晶體管Q1的集電極接電源端，所述晶體管Q1的集電極還通過第四電容C4接地端；所述晶體管Q1的基極通過第一電阻R1接地端，所述晶體管Q1的基極還通過第二電阻R2接電源端，所述晶體管Q1的基極還通過電感器L1和第一電容C1接地端，所述晶體管Q1的基極還通過第二電容C2連接到所述晶體管Q1的發(fā)射極。本實用新型專利技術(shù)無需晶振，采用晶體管作為振蕩器的核心元器件，使得產(chǎn)生的正弦波信號穩(wěn)定；無需倍頻電路，后續(xù)維護方便，出現(xiàn)錯誤的時候容易查找原因。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及信號源領(lǐng)域，具體地講，是涉及無晶振的信號源。
技術(shù)介紹
現(xiàn)代電子電路中，信號源是必不可少的電路之一。信號源提供給電路必須的參考信號，以達到符合信號處理的要求的信號。現(xiàn)在的信號源往往會用到晶振，用以產(chǎn)生所需的頻率的信號，但是，晶振頻率固定，且由于物理原因，不能隨便更改震蕩頻率，因此，在使用中受到很大的限制。并且，晶振產(chǎn)生的頻率往往不是所需頻率，需要各種倍頻或者其他變頻工作電路處理后，才能送給信號處理電路，增加了電路的復(fù)雜性。
技術(shù)實現(xiàn)思路
為克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題，本技術(shù)提供一種設(shè)計巧妙、結(jié)構(gòu)簡單的晶體管振蕩器。為了實現(xiàn)上述目的，本技術(shù)采用的技術(shù)方案如下：晶體管振蕩器，包括晶體管Q1、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、電感器L1、電源端、信號輸出端、地端；所述晶體管Q1的集電極接電源端，所述晶體管Q1的集電極還通過第四電容C4接地端；所述晶體管Q1的基極通過第一電阻R1接地端，所述晶體管Q1的基極還通過第二電阻R2接電源端，所述晶體管Q1的基極還通過電感器L1和第一電容C1接地端，所述晶體管Q1的基極還通過第二電容C2連接到所述晶體管Q1的發(fā)射極；所述晶體管Q1的發(fā)射極通過并聯(lián)的第三電容C3、第三電阻R3連接到地端，所述晶體管Q1的發(fā)射極還通過第五電容C5連接到輸出端。具體地，所述晶體管Q1為NPN管。具體的，所述第一電阻R1的阻值為10千歐姆，所述第二電阻R2的阻值為2千歐姆，所述第三電阻R3的阻值為4.7千歐姆；所述第一電容C1的容值為100pF，所述第二電容C2的容值為100pF，所述第三電容C3的容值為100pF，所述第四電容C4的容值為10uF，所述第五電容C5的容值為470pF。具體的，所述第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5均為電解電容。具體的，所述電源端的供電電壓為正9伏；所述輸出端的輸出為頻率100KHz的正弦波。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)具有以下有益效果：本技術(shù)采用晶體管作為振蕩器的核心部件，不使用晶振。所得到的信號為100KHz的正弦信號。由于該電路沒有晶振，所以無需倍頻電路，使得該振蕩器構(gòu)成元件少，便于維護。附圖說明圖1為本技術(shù)的連接示意圖。具體實施方式下面結(jié)合附圖和實施例對本技術(shù)作進一步說明，本技術(shù)的實施方式包括但不限于下列實施例。實施例如圖1所示，晶體管振蕩器，包括晶體管Q1、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、電感器L1、電源端、信號輸出端、地端；所述晶體管Q1的集電極接電源端，所述晶體管Q1的集電極還通過第四電容C4接地端；所述晶體管Q1的基極通過第一電阻R1接地端，所述晶體管Q1的基極還通過第二電阻R2接電源端，所述晶體管Q1的基極還通過電感器L1和第一電容C1接地端，所述晶體管Q1的基極還通過第二電容C2連接到所述晶體管Q1的發(fā)射極；所述晶體管Q1的發(fā)射極通過并聯(lián)的第三電容C3、第三電阻R3連接到地端，所述晶體管Q1的發(fā)射極還通過第五電容C5連接到輸出端。所述晶體管Q1為NPN管。所述第一電阻R1的阻值為10千歐姆，所述第二電阻R2的阻值為2千歐姆，所述第三電阻R3的阻值為4.7千歐姆；所述第一電容C1的容值為100pF，所述第二電容C2的容值為100pF，所述第三電容C3的容值為100pF，所述第四電容C4的容值為10uF，所述第五電容C5的容值為470pF。所述第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5均為電解電容。所述電源端的供電電壓為正9伏；所述晶體管振蕩器產(chǎn)生正弦波信號，所述正弦波信號振蕩頻率為100KHz。上述實施例僅為本技術(shù)的優(yōu)選實施例，并非對本技術(shù)保護范圍的限制，但凡采用本技術(shù)的設(shè)計原理，以及在此基礎(chǔ)上進行非創(chuàng)造性勞動而作出的變化，均應(yīng)屬于本技術(shù)的保護范圍之內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
晶體管振蕩器，其特征在于，包括晶體管Q1、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、電感器L1、電源端、信號輸出端、地端；所述晶體管Q1的集電極接電源端，所述晶體管Q1的集電極還通過第四電容C4接地端；所述晶體管Q1的基極通過第一電阻R1接地端，所述晶體管Q1的基極還通過第二電阻R2接電源端，所述晶體管Q1的基極還通過電感器L1和第一電容C1接地端，所述晶體管Q1的基極還通過第二電容C2連接到所述晶體管Q1的發(fā)射極；所述晶體管Q1的發(fā)射極通過并聯(lián)的第三電容C3、第三電阻R3連接到地端，所述晶體管Q1的發(fā)射極還通過第五電容C5連接到輸出端。

【技術(shù)特征摘要】
1.晶體管振蕩器，其特征在于，包括晶體管Q1、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、電感器L1、電源端、信號輸出端、地端；所述晶體管Q1的集電極接電源端，所述晶體管Q1的集電極還通過第四電容C4接地端；所述晶體管Q1的基極通過第一電阻R1接地端，所述晶體管Q1的基極還通過第二電阻R2接電源端，所述晶體管Q1的基極還通過電感器L1和第一電容C1接地端，所述晶體管Q1的基極還通過第二電容C2連接到所述晶體管Q1的發(fā)射極；所述晶體管Q1的發(fā)射極通過并聯(lián)的第三電容C3、第三電阻R3連接到地端，所述晶體管Q1的發(fā)射極還通過第五電容C5連接到輸出端。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管振蕩器...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張復(fù)祥，
申請(專利權(quán))人：張復(fù)祥，
類型：新型
國別省市：四川;51