正裝芯片級白光LED燈絲光源制造技術

本實用新型專利技術公開了一種正裝芯片級白光LED燈絲光源，其包括透明基板、多個外延芯片及熒光粉膜，所述透明基板上設置有線路焊盤，在該透明基板對應外延芯片大小的線路焊盤上設置有多個導電層，所述多個外延芯片覆晶在相應對位的該透明基板的多個導電層上，且每個正裝芯片上均貼覆壓合有所述熒光粉膜。本實用新型專利技術利用特別設計的加大電極及把另一有電極高度差的一端電極進行電極化鍍金，讓外延芯片電極具有較大的面積及同一高度，增加制程簡易化，且直接貼覆壓合熒光粉膜，形成可直接發白光的白光芯片，可解決熒光粉膠應用過程中的沉淀問題，增加燈絲產品的利用率。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及LED照明的
，特別是指一種正裝芯片級白光LED燈絲光源。
技術介紹
傳統照明燈具的燈絲一般由鎢絲等可直接發光的金屬絲構成，這類燈絲普遍存在著壽命短、功耗大等缺陷，且一般僅能發出黃色光，顯色性較差。由于LED具有節能、高壽命、高光效、環保、固態封裝等特點，LED照明市場將逐漸取代傳統的照明燈具而進入各種應用領域。因此，市面上出現了一系列類似鎢絲設計的LED光源燈絲，用來組裝成LED球泡燈和蠟燭燈后，效果非常不錯。但現有燈絲光源需要進行固晶，焊線，封膠的過程。其中的焊線部分由于需打上金線進行導通，造成芯片出通的遮擋，亮度會降低。另外后制程的封膠，需要先進行熒光膠的預置備，用點膠方式進行涂布時間較長，膠中的熒光粉將會沉淀，造成封裝好后的燈絲色溫變動過大，可用的成品率過低。有鑒于此，本設計人針對上述LED燈絲光源結構設計上未臻完善所導致的諸多缺失及不便，而深入構思，且積極研究改良試做而開發設計出本技術。
技術實現思路
本技術的目的在于解決現有技術中熒光粉沉淀導致封裝好后的燈絲色溫變動過大，可用的成品率低，以及由于金線遮擋，導致芯片亮度降低等問題，而提供一種正裝芯片級白光LED燈絲光源。為了達成上述目的，本技術的解決方案是：一種正裝芯片級白光LED燈絲光源，其包括透明基板、多個外延芯片及熒光粉膜，所述透明基板上設置有線路焊盤，各外延芯片包括襯底、N電子層、P電子層、及保護層；N電子層設于襯底的一面上，該N電子層具有高端及低端，所述P電子層設于該N電子層的高端上，該P電子層上設有P電極，N電子層的低端上設有N電極，該P電極的頂端與N電極的頂端平齊，所述保護層包覆在P電極及N電極的外側，所述P電極及所述N電極的面積分別占該外延芯片面積的1/8-1/3，在該透明基板對應外延芯片大小的線路焊盤上設置有多個與該外延芯片的P電極及N電極對應的導電層，所述各外延芯片的P電極及N電極覆晶在透明基板的導電層上，所述熒光粉膜貼覆壓合在各外延芯片的襯底另一面及該外延芯片的四個側面上。所述導電層為金、銀、錫、鎳及對應的合金中的任意一種。所述各外延芯片位于透明基板的線路焊盤的不同位置，外延芯片大則與相鄰外延芯片的相對位置間距大，芯片小則與相鄰外延芯片的相對位置間距小，間距比例為外延芯片大小的1至5倍。所述各外延芯片的P電極與N電極呈對角線對稱或呈水平邊對稱。所述各外延芯片的P電極及N電極的面積相等。所述外延芯片的P電極及N電極的面積為一大一小。采用上述結構后，本技術正裝芯片級白光LED燈絲光源是利用預先制備好電極特別設計的加大電極的正裝外延芯片，及把外延芯片另一有電極高度差的一端電極進行電極化鍍金制程，讓各外延芯片具有較大的面積及同一高度，如此可增加制程簡易化，且增大電極面積可使導熱更好，并可提高生產良率，將預先制作好的薄層熒光粉膜，直接貼覆壓合在外延芯片上，形成可直接可發白光的芯片級芯片，具有良好穩定色溫的熒光粉膜，可解決熒光粉膠應用過程中的沉淀問題。同時，本技術不需要金線的焊接，利用直接印刷或涂布錫膏或銀膠進行導通，縮短制程時間，減低焊接的虛焊斷路產生的不良率，直接熒光粉膜貼覆壓合，減低因為熒光粉沉淀的光學特性變動不良，增加燈絲產品的可用率。與現有LED燈絲光源相較，本技術與現有結構功能不同:本技術為不需進行金線焊接，該燈絲光源的各外延芯片為五面發光，外延芯片有效發光面完全覆蓋，發光范圍更大，且熒光粉膜直接貼覆不需進行配膠，點膠，發光均勻，不易漏藍光，避免熒光粉沉淀。本技術與現有結構結構不同:直接進行支架貼合，無須后續獨立的支架貼合或像目前的燈絲支架基板先切割成小片再貼合在支架上的不連續性。本技術工藝簡單，可以免貼片，可以有效的降低成本。附圖說明圖1為本技術正裝芯片級白光LED燈絲光源的側視圖。圖2為本技術外延芯片的正視圖。圖3為本技術外延芯片的側視圖。圖4為本技術外延芯片貼覆熒光粉膜形成白光芯片的側視圖。圖5為本技術外延芯片貼覆熒光粉膜形成白光芯片的正視圖。圖6為本技術透明基板未切割狀態的俯視圖。圖7為本技術正裝芯片級白光LED燈絲光源未切割狀態的局部俯視圖。具體實施方式為了進一步解釋本技術的技術方案，下面通過具體實施例來對本技術進行詳細闡述。如圖1至圖7所示，本技術揭示了一種正裝芯片級白光LED燈絲光源，其包括透明基板10、多個外延芯片20及熒光粉膜30，所述透明基板10上設置有線路焊盤11，各外延芯片20包括襯底21、N電子層22、P電子層23、及保護層24；N電子層22設于襯底21的一面上，該N電子層22具有高端及低端，所述P電子層23設于該N電子層22的高端上，該P電子層23上設有P電極231，N電子層22的低端上設有N電極221，該P電極231的頂端與N電極221的頂端平齊，所述保護層24包覆在P電極231及N電極221的外側，所述P電極231及所述N電極221的面積分別占該外延芯片20面積的1/8-1/3，在該透明基板10對應外延芯片20大小的線路焊盤上設置有多個與該外延芯片20的P電極231及N電極221對應的導電層40，所述導電層可為錫膏或者銀膠，所述各外延芯片20的P電極231及N電極221覆晶在透明基板10的導電層40上，所述熒光粉膜30貼覆壓合在各外延芯片20的襯底21另一面及該外延芯片20的四個側面上。所述各外延芯片20位于透明基板10的線路焊盤11的不同位置，外延芯片20大則與相鄰外延芯片20的相對位置間距大，外延芯片20小則與相鄰外延芯片20的相對位置間距小，間距比例為外延芯片20大小的1至5倍。所述各外延芯片20的P電極231與N電極221呈對角線對稱或呈水平邊對稱。所述各外延芯片20的P電極231及N電極221的面積可以為相等，也可為一大一小。本技術正裝芯片級白光LED燈絲光源是利用預先制備好電極特別設計的加大電極的正裝外延芯片20，及把外延芯片20另一有電極高度差的一端電極進行電極化鍍金制程，讓各外延芯片20具有較大的面積及同一高度，如此可增加制程簡易化，且增大電極面積可使導熱更好，并可提高生產良率，將預先制作好的薄層熒光粉膜30，直接貼覆壓合在外延芯片上，形成可直接可發白光的芯片級芯片，具有良好穩定色溫的熒光粉膜，可解決熒光粉膠應用過程中的沉淀問題。同時，本技術不需要金線的焊接，利用直接印刷或涂布錫膏或銀膠進行導通，縮短制程時間，減低焊接的虛焊斷路產生的不良率，直接熒光粉膜貼覆壓合，減低因為熒光粉沉淀的光學特性變動不良，增加燈絲產品的可用率。上述實施例和圖式并非限定本技術的產品形態和式樣，任何所屬
的普通技術人員對其所做的適當變化或修飾，皆應視為不脫離本技術的專利范疇。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種正裝芯片級白光LED燈絲光源，其特征在于，包括：透明基板、多個外延芯片及熒光粉膜，所述透明基板上設置有線路焊盤，各外延芯片包括襯底、N電子層、P電子層、及保護層；N電子層設于襯底的一面上，該N電子層具有高端及低端，所述P電子層設于該N電子層的高端上，該P電子層上設有P電極，N電子層的低端上設有N電極，該P電極的頂端與N電極的頂端平齊，所述保護層包覆在P電極及N電極的外側，所述P電極及所述N電極的面積分別占該外延芯片面積的1/8?1/3，在該透明基板對應外延芯片大小的線路焊盤上設置有多個與該外延芯片的P電極及N電極對應的導電層，所述各外延芯片的P電極及N電極覆晶在透明基板的導電層上，所述熒光粉膜貼覆壓合在各外延芯片的襯底另一面及該外延芯片的四個側面上。

【技術特征摘要】
1.一種正裝芯片級白光LED燈絲光源，其特征在于，包括：透明基板、多個外延芯片及熒光粉膜，所述透明基板上設置有線路焊盤，各外延芯片包括襯底、N電子層、P電子層、及保護層；N電子層設于襯底的一面上，該N電子層具有高端及低端，所述P電子層設于該N電子層的高端上，該P電子層上設有P電極，N電子層的低端上設有N電極，該P電極的頂端與N電極的頂端平齊，所述保護層包覆在P電極及N電極的外側，所述P電極及所述N電極的面積分別占該外延芯片面積的1/8-1/3，在該透明基板對應外延芯片大小的線路焊盤上設置有多個與該外延芯片的P電極及N電極對應的導電層，所述各外延芯片的P電極及N電極覆晶在透明基板的導電層上，所述熒光粉膜貼覆壓合在各外延芯片的襯底另一面及該外延芯片的四個側面上。2.如...

【專利技術屬性】
技術研發人員：鄭敏，
申請(專利權)人：廈門忠信達工貿有限公司，
類型：新型
國別省市：福建;35