晶閘管觸發裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術晶閘管觸發裝置屬于電學領域，特別是一種適合于交流電網中應用的晶閘管觸發裝置，其包括一限流元件、一單向導通器件、一電容、一半導體開關、一穩壓器件，限流元件、單向導通器件、電容串聯而成一串聯電路，串聯電路的一端與所需驅動的晶閘管的第一端連接，串聯電路的另一端用于與相對于第一端的另一相電源或中性線連接，電容通過半導體開關、晶閘管的第二端、第一端形成放電回路，電容與穩壓器件并聯或電容與單向導通器件串聯而成的串聯電路與穩壓器件并聯，本發明專利技術晶閘管觸發裝置具有無需變壓器觸發、無需高壓電子開關、可靠性高的優點。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術晶閘管觸發裝置屬于電學領域，特別是一種適合于交流電網中應用的晶閘管觸發裝置。
技術介紹
目前在交流電網中，晶閘管的應用越來越廣泛，如復合開關(采用晶閘管與機械開關并聯的運行方式)，其晶閘管觸發裝置采用變壓器隔離觸發或高壓電子開關觸發，其存在以下缺點：1.變壓器隔離觸發：晶閘管觸發信號由變壓器提供，需要脈沖信號發生電路、變壓器驅動電路、變壓器、整流電路，存在脈沖占空比帶來的觸發盲區導致的電容負載接通涌流大、高頻污染、性價比低、占用空間大的缺點。2.高壓電子開關觸發：晶閘管觸發信號由晶閘管的主回路通過電阻、高壓電子開關(如MOC3083等高壓光電耦合器)到晶閘管的觸發極，高壓電子開關承受較高電壓，并且大部分工況需要多個串聯使用，存在可靠性差、容易擊穿的缺點，另外由于觸發回路的電阻、高壓電子開關存在較大的電壓降，需晶閘管的主回路兩端電壓較高時才能觸發晶閘管導通，存在電容負載接通涌流大、晶閘管容易損壞等缺點。
技術實現思路
本專利技術的目的在于針對現有晶閘管觸發裝置的不足之處而提供一種無需變壓器、無需高壓電子開關、電路簡單、性價比高、瞬間觸發電流大、可靠性高、能耗低的晶閘管觸發裝置。實現本專利技術的目的是通過以下技術方案來達到的：一種晶閘管觸發裝置，其包括一限流元件、一單向導通器件、一電容、一半導體開關、一穩壓器件，所述限流元件、所述單向導通器件、所述電容串聯而成一串聯電路，所述串聯電路的一端與所需驅動的晶閘管的第一端連接，所述串聯電路的另一端用于與相對于所述第一端的另一相電源或中性線連接，所述電容通過所述半導體開關、所述晶閘管的第二端、所述第一端形成放電回路，所述電容與所述穩壓器件并聯或所述電容與所述單向導通器件串聯而成的串聯電路與所述穩壓器件并聯。一種晶閘管觸發裝置，所述電容通過所述半導體開關與所述第二端、所述第一端并聯。一種晶閘管觸發裝置，通過所述限流元件的電流小于觸發所述晶閘管導通所需的最小觸發電流。一種晶閘管觸發裝置，所述穩壓器件為一穩壓二極管，所述單向導通器件為一二極管，所述限流元件為一電阻。一種晶閘管觸發裝置，所述半導體開關為一三極管、一光電耦合器或一光電耦合器驅動晶體管電路。一種晶閘管觸發裝置，所述電容的放電回路串聯第二電阻。一種晶閘管觸發裝置，所述晶閘管為雙向晶閘管，所述第一端為所述雙向晶閘管的第一陽極，所述第二端為所述雙向晶閘管的觸發極。一種晶閘管觸發裝置，所述限流元件與所述單向導通器件連接，所述另一相電源或所述中性線通過所述限流元件、所述單向導通器件對所述電容負向充電，所述電容的負向充電端通過所述半導體開關與所述觸發極連接，所述電容的另一端與所述雙向晶閘管的第一陽極連接。一種晶閘管觸發裝置，所述電容的負向充電端與所述單向導通器件的陽極連接，所述電容的另一端與所述限流元件的一端連接，所述限流元件的另一端用于與所述另一相電源或所述中性線連接，所述單向導通器件的陰極與所述雙向晶閘管的第一陽極連接，所述電容的負向充電端與所述觸發極連接，所述電容與所述單向導通器件串聯而成的串聯電路與所述半導體開關并聯。一種晶閘管觸發裝置，所述第一陽極為電源輸入端，所述雙向晶閘管的第二陽極為負載端。一種晶閘管觸發裝置，所述晶閘管為單向晶閘管，所述第一端為所述單向晶閘管的陰極，所述第二端為所述單向晶閘管的觸發極。一種晶閘管觸發裝置，所述另一相電源或所述中性線通過所述限流元件、所述單向導通器件對所述電容正向充電，所述電容的正向充電端通過所述半導體開關與所述觸發極連接，所述電容的另一端與所述單向晶閘管的陰極連接。一種晶閘管觸發裝置，所述電容的正向充電端與所述單向導通器件的陰極連接，所述電容的另一端與所述限流元件的一端連接，所述限流元件的另一端用于與所述另一相電源或所述中性線連接，所述單向導通器件的陽極與所述單向晶閘管的陰極連接，所述電容的正向充電端與所述觸發極連接，所述電容與所述單向導通器件串聯而成的串聯電路與所述半導體開關并聯。一種晶閘管觸發裝置，所述單向晶閘管的陰極為電源輸入端，所述單向晶閘管的陽極為負載端。一種晶閘管觸發裝置，所述晶閘管與一機械開關并聯，所述晶閘管用于所述機械開關滅弧或無涌流接通。一種晶閘管觸發裝置，其觸發復合開關的所述晶閘管。本專利技術設計合理，其利用電網電源通過限流元件、單向導通器件對電容充電儲能，由穩壓器件對電容充電電壓進行限壓，電容的電荷通過半導體開關觸發晶閘管導通，具有無需變壓器隔離觸發、無需高壓電子開關、電路簡單、性價比高、可靠性高的優點。附圖說明圖1是本專利技術晶閘管觸發裝置的實施例一電路原理圖。圖2是本專利技術晶閘管觸發裝置的實施例二電路原理圖。圖3是本專利技術晶閘管觸發裝置的實施例三電路原理圖。圖4是本專利技術晶閘管觸發裝置的實施例四電路原理圖。圖5是一光電耦合器驅動晶體管電路的電路圖。具體實施方式本專利技術晶閘管觸發裝置的實施例一，如圖1所示：一種晶閘管觸發裝置，其包括限流元件R1(一電阻)、單向導通器件D1(一二極管)、電容C1、半導體開關OPT1(一光電耦合器)、穩壓器件Z1(一穩壓二極管)、第二電阻R2，限流元件R1、單向導通器件D1、電容C1串聯而成串聯電路，該串聯電路的一端J1與所需觸發的雙向晶閘管TR1的第一陽極(晶閘管的第一端)連接，該串聯電路的另一端J3用于與中性線連接(也可以用于與相對于雙向晶閘管TR1的第一陽極的另一相電源連接)，限流元件R1與單向導通器件D1連接，J3端電源通過限流元件R1、單向導通器件D1對電容C1負向充電，電容C1的負向充電端通過第二電阻R2、半導體開關OPT1與雙向晶閘管TR1的觸發極連接，電容C1的另一端與雙向晶閘管TR1的第一陽極連接，電容C1通過第二電阻R2、半導體開關OPT1、雙向晶閘管TR1的觸發極(晶閘管的第二端)、雙向晶閘管TR1的第一陽極形成放電回路，電容C1與穩壓器件Z1并聯(也可以為電容C1與單向導通器件D1串聯而成的串聯電路與穩壓器件Z1并聯，這樣單向導通器件D1耐壓要求降低，但限流元件R1的功耗要大一倍)，即電容C1通過第二電阻R2、半導體開關OPT1與雙向晶閘管TR1的觸發極、雙向晶閘管TR1的第一陽極并聯。單相復合開關使用時，雙向晶閘管TR1的第一陽極為電源輸入端，雙向晶閘管TR1的第二陽極為負載端。注：電容C1的放電回路串聯的第二電阻R2用于減小放電電流，在半導體開關OPT1為一恒流電路或雙向晶閘管TR1的觸發極帶限流電阻本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶閘管觸發裝置，其包括一限流元件、一單向導通器件、一電容、一半導體開關、一穩壓器件，所述限流元件、所述單向導通器件、所述電容串聯而成一串聯電路，所述串聯電路的一端與所需驅動的晶閘管的第一端連接，所述串聯電路的另一端用于與相對于所述第一端的另一相電源或中性線連接，所述電容通過所述半導體開關、所述晶閘管的第二端、所述第一端形成放電回路，所述電容與所述穩壓器件并聯或所述電容與所述單向導通器件串聯而成的串聯電路與所述穩壓器件并聯。

【技術特征摘要】
2015.02.27 CN 2015100954048;2015.10.21 CN 201510711.一種晶閘管觸發裝置，其包括一限流元件、一單向導通器件、一電容、一半導體開關、一
穩壓器件，所述限流元件、所述單向導通器件、所述電容串聯而成一串聯電路，所述串聯電
路的一端與所需驅動的晶閘管的第一端連接，所述串聯電路的另一端用于與相對于所述第一
端的另一相電源或中性線連接，所述電容通過所述半導體開關、所述晶閘管的第二端、所述
第一端形成放電回路，所述電容與所述穩壓器件并聯或所述電容與所述單向導通器件串聯而
成的串聯電路與所述穩壓器件并聯。
2.根據權利要求1所述的晶閘管觸發裝置，其特征是：所述電容通過所述半導體開關與所述
第二端、所述第一端并聯。
3.根據權利要求1所述的晶閘管觸發裝置，其特征是：通過所述限流元件的電流小于觸發所
述晶閘管導通所需的最小觸發電流。
4.根據權利要求1所述的晶閘管觸發裝置，其特征是：所述穩壓器件為一穩壓二極管，所述
單向導通器件為一二極管，所述限流元件為一電阻。
5.根據權利要求1所述的晶閘管觸發裝置，其特征是：所述半導體開關為一三極管、一光電
耦合器或一光電耦合器驅動晶體管電路。
6.根據權利要求5所述的晶閘管觸發裝置，其特征是：還包括第二電阻，所述第二電阻串聯
在所述電容的放電回路中。
7.根據權利要求1所述的晶閘管觸發裝置，其特征是：所述晶閘管為雙向晶閘管，所述第一
端為所述雙向晶閘管的第一陽極，所述第二端為所述雙向晶閘管的觸發極。
8.根據權利要求7所述的晶閘管觸發裝置，其特征是：所述限流元件與所述單向導通器件連
接，所述另一相電源或所述中性線通過所述限流元件、所述單向導通器件對所述電容負向充
電，所述電容的負向充電端通過所述半導體開關與所述觸發極連接，所述電容的另一端與所
述雙向晶閘管...

【專利技術屬性】
技術研發人員：郭橋石，
申請(專利權)人：廣州市金矢電子有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44