一種兩級儲能供電電路制造技術

本實用新型專利技術公開了一種兩級儲能供電電路，包括依次連接的電源、一級儲能電容、電流檢測與調制電路和二級儲能電容，所述電流檢測與調制電路用于根據電路中的電壓進行延時設定，并在延時時間完成之后斷開一級儲能電容與所述二級儲能電容的連接；電源在開機階段給一級儲能電容和二級儲能電容進行充電，而當雷達處于發射狀態時，由所述電源和一級儲能電容為雷達發射信號提供所需的峰值功率，在延時時間完成后，通過電流檢測與調制電路斷開一級儲能電容與二級儲能電容的連接，由二級儲能電容單獨為雷達的信號發射提供所需的峰值功率，目的在于提供一種瞬時功率較大、平均功率較小且輸出供電允許一定跌落的兩級儲能供電電路。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種供電電路，特別是一種兩級儲能供電電路。
技術介紹
有源相控陣雷達技術是近年來正在發展的新技術，具有比傳統火控雷達更多的優勢。有源相控陣雷達系統具在瞬時發射的瞬時峰值功率較高，但接收功率較低，且整個工作周期內平均功率較低的特點?，F有有源相控陣雷達系統的供電電路中采用較多數量的儲能電容進行供電，造成供電電路較為復雜且常常也不能達到雷達瞬時發射時的峰值功率要求，因而急需一種電路結構簡單且能安全穩定的為雷達提供電源的供電電路。
技術實現思路
本技術的目的在于克服現有有源相控陣雷達系統的供電電路中采用較多數量的儲能電容進行供電，造成供電電路較為復雜且常常也不能達到雷達瞬時發射時的峰值功率要求的問題，提供一種瞬時功率較大、平均功率較小且輸出供電允許一定跌落的兩級儲能供電電路。為了實現上述目的，本技術采用的技術方案為：一種兩級儲能供電電路，包括：依次連接的電源、一級儲能電容、電流檢測與調制電路和二級儲能電容，所述電流檢測與調制電路用于根據電路中的電壓進行延時設定，并在延時時間完成之后斷開所述一級儲能電容與所述二級儲能電容的連接；所述電源在雷達未處于發射狀態時對所述一級儲能電容和二級儲能電容進行充電；在雷達處于發射狀態時，所述電源與所述一級儲能電容在所述延時時間內為雷達發射信號提供所需的峰值功率，在延時時間完成后通過所述電流檢測與調制電路斷開所述一級儲能電容與所述二級儲能電容的連接，此時由所述二級儲能電容單獨為雷達發射信號提供所需的峰值功率；其中，電源在開機階段給一級儲能電容和二級儲能電容進行充電，而當相控陣雷達開始工作，即雷達處于發射狀態時，此時由所述電源和一級儲能電容為雷達發射信號提供所需的峰值功率，由于電源和一級儲能電容長時間提供峰值功率，會導致電源進入電流保護點，因此通過設定延時，使電源在不進入電流保護點的情況下和所述一級儲能電容在所述延時時間的安全范圍內，為雷達的信號發射提供峰值功率，而在延時時間完成后，則通過所述電流檢測與調制電路斷開一級儲能電容與所述二級儲能電容的連接，此時由所述二級儲能電容單獨為雷達的信號發射提供所需的峰值功率，從而保護電源不進入電流保護點，同時也實現了以較小功率等級的電源可以瞬時提供高于自身額定功率的能量而不損壞或者進入保護模式；其中，還可通過使用不同容量的一級儲能電容，從而根據實際需求調整所述延時時間，從而調整峰值功率的持續時間，以適應不同的峰值功率要求；所述雷達停止發射信號后，此時電路中不再需要提供峰值功率，此時，所述二級儲能電容停止向雷達提供峰值功率，此時所述二級儲能電容也電壓跌落到一定值，而采樣電阻采集到電路中的電壓跌落，此時可通過電流檢測與調制電路進行延時設定，在延時時間完成后重新連通所述一級儲能電容和二級儲能電容，使電源為所述二級儲能電容充電，為下一次雷達信號發射所需的峰值功率做準備。其中，同樣的還可以通過使用不同容量的二級儲能電容值，可以調整所述二級儲能電容的電壓跌落值，以適應不同的峰值功率要求；通過使用不同容量的一級儲能電容和二級儲能電容，還使得所述電源電流保護點得以調整，因而整個電路的峰值功率持續時間、電源電流保護點以及允許的最大電壓跌落均可以獨自進行調整。作為本技術的優選方案，所述電流檢測與調制電路包括依次連接的采樣電阻和MOSFET，所述采樣電阻一端連接所述一級儲能電容，另一端連接所述MOSFET，所述MOSFET一端連接所述采樣電阻后，另一端還連接所述二級儲能電容；在所述采樣電阻兩端還連接有差分放大電路，所述差分放大電路后級還依次連接有延時比較電路、門限比較與滯環電路和MOSFET驅動電路，所述MOSFET驅動電路還與所述MOSFET連接；所述差分放大電路用于對所述采樣電阻上的電壓進行差分放大，經過差分放大之后的第一差分放大信號被送入所述延時比較電路進行延時處理為第二差分放大信號；所述延時比較電路在延時時間完成后，將所述第二差分放大信號送入所述門限比較與滯環電路，所述門限比較與滯環電路用于將所述第二差分放大信號進行回差處理，并輸出回差信號；所述MOSFET驅動電路接收并根據所述回差信號開啟或關閉所述MOSFET；其中，所述回差信號用于避免MOSFET驅動電路頻繁開啟所述MOSFT而造成電源損壞。。作為本技術的優選方案，所述MOSFET驅動電路連接所述MOSFET的柵極，所述采樣電阻和二級儲能電容分別連接所述MOSFET的源極或漏極。綜上所述，由于采用了上述技術方案，本技術的有益效果是：1、以較小功率等級的電源，瞬時提供高于自身額定功率的能量而不損壞或者進入保護模式；2、峰值功率持續時間、電源電流保護點以及允許的最大電壓跌落均可以獨自進行調整。附圖說明圖1為實施例中兩級儲能供電電路結構示意框圖。圖2為實施例中兩級儲能供電電路內部電路連接示意圖。圖中標記：1-電源，2-一級儲能電容，3-電流檢測與調制電路，30-MOSFET，31-采樣電阻，32-差分放大電路，33-延時比較電路，34-門限比較與滯環電路，35-MOSFET驅動電路，4-二級儲能電容。具體實施方式下面結合附圖，對本技術作詳細的說明。為了使本技術的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本技術進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本技術，并不用于限定本技術。實施例一種兩級儲能供電電路，包括：依次連接的電源1、一級儲能電容2、電流檢測與調制電路3和二級儲能電容4，所述電流檢測與調制電路3用于根據電路中的電壓進行延時設定，并在延時時間完成之后斷開所述一級儲能電容2與所述二級儲能電容4的連接。所述電源在雷達未處于發射狀態時對所述一級儲能電容2和二級儲能電容4進行充電；在雷達處于發射狀態時，所述電源1與所述一級儲能電容2在所述延時時間內為雷達發射信號提供所需的峰值功率，在延時時間完成后通過所述電流檢測與調制電路3斷開所述一級儲能電容2與所述二級儲能電容4的連接，此時由所述二級儲能電容4單獨為雷達發射信號提供所需的峰值功率。具體的，所述電流檢測與調制電路3包括依次連接的采樣電阻31和MOSFET（標記30所示），所述采樣電阻31一端連接所述一級儲能電容2，另一端連接所述MOSFET（標記30所示）的源極或漏極，所述MOSFET（標記30所示）一端連接所述采樣電阻31后，另一端還連接所述二級儲能電容4。在所述采樣電阻31兩端還連接有差分放大電路32，所述差分放大電路32后級還依次連接有延時比較電路33、門限比較與滯環電路34和MOSFET驅動電路35，所述MOSFET驅動電路35還至所述MOSFET（標記30所示）的柵極。所述差分放大電路32用于對所述采樣電阻31上的電壓進行差分放大，經過差分放大之后的第一差分放大信號被送入所述延時比較電路33進行延時處理為第二差分放大信號；所述延時比較電路33在延時時間完成后，將所述第二差分放大信號送入所述門限本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種兩級儲能供電電路，其特征在于，包括：依次連接的電源、一級儲能電容、電流檢測與調制電路和二級儲能電容，所述電流檢測與調制電路用于根據電路中的電壓進行延時設定，并在延時時間完成之后斷開所述一級儲能電容與所述二級儲能電容的連接；所述電源在雷達未處于發射狀態時對所述一級儲能電容和二級儲能電容進行充電；在雷達處于發射狀態時，所述電源與所述一級儲能電容在所述延時時間內為雷達發射信號提供所需的峰值功率，在延時時間完成后通過所述電流檢測與調制電路斷開所述一級儲能電容與所述二級儲能電容的連接，此時由所述二級儲能電容單獨為雷達發射信號提供所需的峰值功率。

【技術特征摘要】
1.一種兩級儲能供電電路，其特征在于，包括：依次連接的電源、一級儲能電容、電流檢測與調制電路和二級儲能電容，所述電流檢測與調制電路用于根據電路中的電壓進行延時設定，并在延時時間完成之后斷開所述一級儲能電容與所述二級儲能電容的連接；
所述電源在雷達未處于發射狀態時對所述一級儲能電容和二級儲能電容進行充電；在雷達處于發射狀態時，所述電源與所述一級儲能電容在所述延時時間內為雷達發射信號提供所需的峰值功率，在延時時間完成后通過所述電流檢測與調制電路斷開所述一級儲能電容與所述二級儲能電容的連接，此時由所述二級儲能電容單獨為雷達發射信號提供所需的峰值功率。
2.根據權利要求1所述兩級儲能供電電路，其特征在于，所述電流檢測與調制電路包括依次連接的采樣電阻和MOSFET，所述采樣電阻一端連接所述一級儲能電容，另一端連接所述MOSFET，所述MOSFET一端連接所述采樣電阻后，另一端還連接所述二級儲能電容；在所述采樣電...

【專利技術屬性】
技術研發人員：艾建，李燦，管玉靜，吳鳳鼎，
申請(專利權)人：成都雷電微力科技有限公司，
類型：新型
國別省市：四川;51