用于感測光刻設備的液體泄漏的設備和方法技術

本發明專利技術提供一種用于感測光刻設備的液體泄漏的設備和方法，其可通過對提供給極紫外光產生設備的收集鏡的冷卻水的泄漏進行感測來防止收集鏡受到污染。所述液體泄漏感測設備包括收集鏡模塊、配置為向所述收集鏡模塊的一個表面提供冷卻水的冷卻單元、配置為向所述冷卻單元提供水溶性氣體的氣體供應單元以及配置為對泄漏到所述冷卻單元外部的水溶性氣體進行感測的感測單元。

【技術實現步驟摘要】
相關申請的交叉引用本申請要求于2014年11月27日提交至韓國知識產權局的韓國專利申請No.10-2014-0167105的優先權，該申請的全部內容以引用方式并入本文中。
本專利技術構思涉及用于感測光刻設備的液體泄漏的設備和方法。
技術介紹
近來，為了實現半導體器件的微加工，已經提出了一種利用極紫外(EUV)輻射的光刻工藝。在所述光刻工藝中，光(也被稱為光束)可穿過具有電路圖案的掩模投影到硅襯底上，從而通過對光刻膠材料進行曝光而形成電子電路。由光刻所形成的電路的最小工藝尺寸通常取決于光源的波長。因此，為了生產具有更小幾何排列(geometry)的電路，可在用于光刻工藝的光源中使用具有更短波長的光。作為下一代光刻光源，EUV光源適合使用。極紫外(EUV)輻射具有約1nm至100nm的波長。由于該范圍內的光關于多種材料具有較高的吸收率，因此不可使用透射性光學系統(例如透鏡)，但是可使用反射性光學系統。為了產生EUV輻射，可使用激光產生等離子體(LPP)的技術以及由脈沖功率驅動的放電產生等離子體(DPP)的技術。
技術實現思路
本專利技術構思提供一種液體泄漏感測設備，所述液體泄漏感測設備可通過對提供給極紫外(EUV)光產生設備的收集鏡的冷卻水的泄漏進行感測來防止所述收集鏡受到污染。這里，水溶性氣體用于感測冷卻水的泄漏。本專利技術構思還提供一種液體泄漏感測方法，所述液體泄漏感測方法可通過對提供給極紫外(EUV)光產生設備的收集鏡的冷卻水的泄漏進行感測來防止收集鏡受到污染。通過以下各優選實施例的描述，本專利技術構思的這些及其他方面將變得清楚，或者將在以下各優選實施例的描述中對本專利技術構思的這些及其他方面進行描述。根據本專利技術構思的一個方面，提供一種液體泄漏感測設備，其包括收集鏡模塊、配置為向所述收集鏡模塊的一個表面提供冷卻水的冷卻單元、配置為向所述冷卻單元提供水溶性氣體的氣體供應單元以及配置為對泄漏到所述冷卻單元外部的水溶性氣體進行感測的感測單元。根據本專利技術構思的另一方面，提供一種液體泄漏感測設備，其包括容器、配置為向所述容器提供源光的光源、配置為產生微滴(droplet)的微滴產生器、布置在所述容器中并配置為收集和反射通過所述源光與所述微滴之間的相互反應而產生的EUV光的收集鏡、布置在所述收集鏡的一側并配置為向所述收集鏡的一個表面提供冷卻水以調節所述收集鏡的溫度的冷卻單元、向所述冷卻單元提供水溶性氣體的氣體供應單元以及對水溶性氣體是否泄漏到冷卻單元外部進行感測的感測單元。根據本專利技術構思的又一方面，提供一種液體泄漏感測設備，其包括物體、配置為向形成為與所述物體的一個表面接觸的液體接收空間提供工藝液體的液體供應單元、配置為向所述液體供應單元提供水溶性氣體的氣體供應單元以及配置為感測泄漏到液體接收空間外部的水溶性氣體的感測單元。根據本專利技術構思的又一方面，提供一種液體泄漏感測設備，其包括源光與微滴在其中發生反應以產生EUV光的容器、配置為向所述容器內部提供冷卻水的冷卻單元、配置為向所述冷卻單元提供水溶性氣體的氣體供應單元以及配置為感測容器中是否存在泄漏到所述冷卻單元外部的水溶性氣體的感測單元。根據本專利技術構思的又一方面，提供一種液體泄漏感測方法，其包括步驟：向容器中的物體提供包括有水溶性氣體的冷卻水；以及對所述容器中是否存在泄漏到所述物體外部的水溶性氣體進行感測，其中所述感測包括測量所述水溶性氣體的分壓。附圖說明通過參照附圖詳細描述本專利技術的優選實施例，本專利技術構思的以上及其他特征和優點將變得更加明顯，其中：圖1示意性示出了極紫外(EUV)光產生設備；圖2示意性示出了根據本專利技術構思的實施例的液體泄漏感測設備；圖3為圖2所示的液體泄漏感測設備的框圖；圖4示出了圖2所示的液體泄漏感測設備的操作；圖5是根據本專利技術構思的另一實施例的液體泄漏感測設備的框圖；圖6示意性示出了圖5所示的示例性設備；圖7是根據本專利技術構思的又一實施例的液體泄漏感測設備的示意性框圖；圖8是示出圖7所示的容器的內部電路的示意性框圖；圖9是根據本專利技術構思的又一實施例的液體泄漏感測設備的示意性示圖；圖10是根據本專利技術構思的又一實施例的液體泄漏感測設備的示意性框圖；圖11是順序示出根據本專利技術構思的實施例的液體泄漏感測方法的流程圖；圖12是順序示出根據本專利技術構思的另一實施例的液體泄漏感測方法的流程圖；圖13是包括了利用根據本專利技術構思的光刻設備制造的半導體器件的電子系統的框圖；以及圖14和圖15示出了可對其應用利用根據本專利技術構思的光刻設備制造的半導體器件的示例性半導體系統。具體實施方式下面將參照示出了本專利技術優選實施例的附圖對本專利技術進行更加全面的描述。然而，本專利技術可實現為不同的形式，并且不應理解為限于本文所闡述的實施例。相反，提供這些實施例是為了使得本專利技術將是徹底和完整的，并且將向本領域技術人員全面傳達本專利技術的范圍。在本說明書中，相同的附圖標記始終表示相同的部件。為清楚起見，在附圖中放大了層與區域的厚度。應當理解，當一層被稱作“位于”另一層或襯底“之上”時，所述層可以直接位于另一層或襯底之上，或者也可存在中間層。相反，當一個元件被稱作“直接位于”另一元件“之上”時，不存在中間元件。為了便于描述，本文中可使用空間相對術語，例如“位于……下方”、“之下”、“下部”、“位于……之下”、“之上”、“上部”等，來描述附圖所示的一個元件或特征與另一個(一些)元件或特征的關系。應當理解，空間相對術語旨在涵蓋在使用或操作中的器件的除附圖所示的指向之外的不同指向。例如，如果附圖中的器件被翻轉，則被描述為“在”另一些元件或特征“之下”或者“位于”另一些元件或特征“下方”的元件將指向為“在”另一些元件或特征“之上”。因此，示例性術語“之下”可以涵蓋“之上”和“之下”這兩種指向。器件可另外地進行指向(旋轉90度或以其他指向)，并相應地解釋本文所使用的空間相對描述詞。除非在本文中另外表示或明顯與上下文矛盾，否則將術語“一個”、“一”和“該”以及在描述本專利技術的上下文中的類似指示物的用法理解為涵蓋單數和復數這兩者。除非另外指明，否則將術語“包含……的”、“具有……的”、“包括……的”以及“含有……的”理解為開放性術語(即，意指“包括，但不限于”)。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種液體泄漏感測設備，包括：收集鏡模塊；冷卻單元，其配置為向所述收集鏡模塊的一個表面提供冷卻水；氣體供應單元，其配置為向所述冷卻單元提供水溶性氣體；以及感測單元，其配置為對所述水溶性氣體從所述冷卻單元泄漏進行感測。

【技術特征摘要】
2014.11.27 KR 10-2014-01671051.一種液體泄漏感測設備，包括：
收集鏡模塊；
冷卻單元，其配置為向所述收集鏡模塊的一個表面提供冷卻水；
氣體供應單元，其配置為向所述冷卻單元提供水溶性氣體；以
及
感測單元，其配置為對所述水溶性氣體從所述冷卻單元泄漏進
行感測。
2.根據權利要求1所述的液體泄漏感測設備，其中所述感測單
元配置為測量泄漏的水溶性氣體的分壓。
3.根據權利要求2所述的液體泄漏感測設備，其中所述感測單
元包括殘余氣體分析儀。
4.根據權利要求2所述的液體泄漏感測設備，其中所述水溶性
氣體包括Kr、He、Ar和CO2中的至少一種。
5.一種液體泄漏感測設備，包括：
容器；
光源，其配置為向所述容器提供源光；
微滴產生器，其配置為產生微滴；
收集鏡，其布置在所述容器中，并配置為對通過所述源光與所
述微滴之間的相互反應而產生的極紫外光進行收集和反射；
冷卻單元，其配置為向所述收集鏡的一個表面提供冷卻水以調
節所述收集鏡的溫度；
氣體供應單元，其配置為向所述冷卻單元提供水溶性氣體；以
及
感測單元，其配置為對水溶性氣體從所述容器內的冷卻單元泄

\t漏進行感測。
6.根據權利要求5所述的液體泄漏感測設備，還包括壓力計單
元，其配置為測量所述容器中的壓力變化。
7.根據權利要求5所述的液體泄漏感測設備，其中所述感測單
元配置為測量泄漏的水溶性氣體的分壓。
8.根據權利要求7所述的液體泄漏感測設備，其中所述感測單
元包括殘余氣體分析儀。
9.根據權利要求5所述的液體泄漏感測設備，其中所述水...

【專利技術屬性】
技術研發人員：金成柱，金鎮平，徐度鉉，李在必，李顯勛，黃星朝，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：韓國;KR