密封組合物以及半導體裝置的制造方法制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種密封組合物，其含有：具有陽離子性官能團且重均分子量為2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相對于密封組合物100質(zhì)量份為0.05質(zhì)量份～0.20質(zhì)量份，所述密封組合物中的所述苯并三唑化合物的含量為3質(zhì)量ppm～200質(zhì)量ppm，所述密封組合物的pH為3.0～6.5。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及一種密封組合物以及半導體裝置的制造方法。
技術(shù)介紹
一直以來，在電子器件領(lǐng)域等各種
中，進行在部件上賦予含有聚合物的組合物。例如，已知有如下技術(shù)：在半導體裝置的層間絕緣層上賦予含有具有2個以上陽離子性官能團的重均分子量為2000～100000的聚合物的半導體用組合物的技術(shù)(例如，參照專利文獻1)。此外，例如，還已知有如下技術(shù)：通過在半導體基板的表面的至少一部分賦予含有具有陽離子性官能團的重均分子量為2000～600000的樹脂的半導體用密封組合物，從而形成半導體用密封層，將半導體基板的形成有半導體用密封層的面用25℃時的pH為6以下的沖洗液洗滌的技術(shù)(例如，參照專利文獻2)。進而，例如，還記載有如下技術(shù)：在半導體基板的至少凹部的底面和側(cè)面賦予含有具有陽離子性官能團的重均分子量為2000～1000000的聚合物的半導體用密封組合物，至少在凹部的底面和側(cè)面形成半導體用密封層，將半導體基板的形成有半導體用密封層一側(cè)的面在溫度200℃以上425℃以下的條件下進行熱處理，從而將形成于配線的露出面上的半導體用密封層的至少一部分除去的技術(shù)(例如，參照專利文獻3)。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1：國際公開第2010/137711號專利文獻2：國際公開第2012/033172號專利文獻3：國際公開第2014/013956號
技術(shù)實現(xiàn)思路
專利技術(shù)所要解決的問題對于在半導體基板上具有設(shè)有凹部的層間絕緣層和配線的半導體裝置，微細化在進一步發(fā)展。作為密封組合物，只要能夠密封存在于層間絕緣層的細孔，并且不會殘留于銅等配線上就能夠使用，但是以往的密封組合物，有不能抑制銅等配線材料析出，配線材料會減少的可能。其結(jié)果是可能會導致無法維持配線的導電性，尤其在微細化了的半導體裝置中，配線材料的減少成為大問題。本專利技術(shù)的一個實施方式是鑒于上述課題而完成的，其目的在于提供一種半導體裝置的制造方法以及在制造這樣的半導體裝置時所使用的密封組合物，所述半導體裝置的制造方法能夠維持密封組合物帶來的對層間絕緣層的凹部側(cè)面的密封性，同時密封組合物的聚合物(A)難以殘留在凹部底面和配線上，并且能夠抑制銅等配線材料的減少，從而維持該配線材料的導電性。本專利技術(shù)的其他實施方式的目的在于，提供一種半導體裝置的制造方法以及在制造這樣的半導體裝置時所使用的密封組合物，所述半導體裝置的制造方法能夠維持密封組合物帶來的對層間絕緣層的表面的密封性，同時密封組合物的聚合物(A)難以殘留在配線上，并且能夠抑制銅等配線材料的減少，從而維持該配線材料的導電性。用于解決課題的方法用來解決上述課題的具體方法如下所述。＜1＞一種密封組合物，其含有：具有陽離子性官能團且重均分子量為2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相對于密封組合物100質(zhì)量份為0.05質(zhì)量份～0.20質(zhì)量份，所述密封組合物中的所述苯并三唑化合物的含量為3質(zhì)量ppm～200質(zhì)量ppm，所述密封組合物的pH為3.0～6.5。＜2＞一種密封組合物，其含有：具有陽離子性官能團且重均分子量為2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，密封組合物中的所述苯并三唑化合物的含量為3質(zhì)量ppm～200質(zhì)量ppm，所述密封組合物的pH為3.0～6.5。＜3＞根據(jù)＜1＞或＜2＞中所述的密封組合物，其還含有一元羧酸化合物。＜4＞根據(jù)＜1＞～＜3＞中任一項所述的密封組合物，其以元素基準計，鈉和鉀的含量分別為10質(zhì)量ppb以下。＜5＞一種半導體裝置的制造方法，其具有：密封組合物賦予工序和洗滌工序，所述密封組合物賦予工序在半導體基板的至少下述凹部的底面和側(cè)面賦予＜1＞中所述的密封組合物，所述半導體基板具有設(shè)有凹部的層間絕緣層和含有銅的配線，該配線的表面的至少一部分在所述凹部的底面的至少一部分露出；所述洗滌工序在所述密封組合物賦予工序之后，用含有0.3毫摩爾/升～230毫摩爾/升多元羧酸單體的沖洗液洗滌至少所述凹部的側(cè)面和底面。＜6＞一種半導體裝置的制造方法，其具有：密封組合物賦予工序和洗滌工序，所述密封組合物賦予工序在具有層間絕緣層和含有銅的配線的半導體基板的至少所述層間絕緣層以及所述配線的表面賦予＜2＞中所述的密封組合物；所述洗滌工序在所述密封組合物賦予工序之后，用含有0.3毫摩爾/升～230毫摩爾/升多元羧酸單體的沖洗液洗滌至少所述層間絕緣層和所述配線的表面。＜7＞根據(jù)＜5＞或＜6＞中所述的半導體裝置的制造方法，所述多元羧酸單體滿足：具有兩個芳香環(huán)、以及分子量為342以上中的至少一者。＜8＞根據(jù)＜5＞～＜7＞中任一項所述的半導體裝置的制造方法，所述沖洗液的pH為4.0～7.0。＜9＞根據(jù)＜5＞～＜8＞中任一項所述的半導體裝置的制造方法，所述密封組合物中，以元素基準計，鈉和鉀的含量分別為10質(zhì)量ppb以下。＜10＞根據(jù)＜5＞～＜9＞中任一項所述的半導體裝置的制造方法，在所述密封組合物賦予工序后且在所述洗滌工序之前，具有將所述半導體基板在溫度70℃～125℃進行加熱的加熱工序。＜11＞根據(jù)＜5＞～＜10＞中任一項所述的半導體裝置的制造方法，在所述洗滌工序后，具有將所述半導體基板在溫度200℃～425℃進行加熱的高溫加熱工序。＜12＞根據(jù)＜5＞～＜11＞中任一項所述的半導體裝置的制造方法，所述密封組合物還含有一元羧酸。專利技術(shù)效果根據(jù)本專利技術(shù)的一個實施方式，能夠提供半導體裝置的制造方法以及在制造這樣的半導體裝置時所使用的密封組合物，所述半導體裝置的制造方法能夠維持密封組合物帶來的對層間絕緣層的凹部側(cè)面的密封性，同時密封組合物的聚合物(A)難以殘留在凹部底面和配線上，并且能夠抑制銅等配線材料的減少，從而維持該配線材料的導電性。根據(jù)本專利技術(shù)的其他實施方式，能夠提供半導體裝置的制造方法以及在制造這樣的半導體裝置時所使用的密封組合物，所述半導體裝置的制造方法能夠維持密封組合物帶來的對層間絕緣層的表面的密封性，同時密封組合物的聚合物(A)難以殘留在配線上，并且能夠抑制銅等配線材料的減少，從而維持該配線材料的導電性。附圖說明圖1為示意性地表示第1實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法中的、在密封組合物賦予工序前的半導體基板的截面的概略截面圖。圖2為示意性地表示第1實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法中的、在密封組合物賦予工序后的半導體基板的截面的概略截面圖。圖3為示意性地表示第1實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法中，將形成于配線的露出面上的半導體用密封層除去時的半導體基板的截面的概略截面圖。圖4為示意性地表示通過第1實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法制造的半導體裝置的截面的概略截面圖。圖5為示意性地表示第2實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法的概略截面圖。圖6為示意性地表示通過第2實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法制造的半導體裝置的截面的概略截面圖。具體實施方式本說明書中，使用“～”表示的數(shù)值范圍意味著以“～”的前后所記載的數(shù)值作為下限值和上限值而包含的范圍。以下，使用圖1～圖6詳細地說明本專利技術(shù)的具體實施方式(第1實施方式、第2實施方式)，但本專利技術(shù)不受以下實施方式的任何限定，在本專利技術(shù)目的的范圍內(nèi)，可以加以適當變更來實施。附圖(圖1～圖6)中，對于不是本專利技術(shù)所必須的構(gòu)成(例本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種密封組合物，其含有：具有陽離子性官能團且重均分子量為2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相對于密封組合物100質(zhì)量份為0.05質(zhì)量份～0.20質(zhì)量份，所述密封組合物中的所述苯并三唑化合物的含量為3質(zhì)量ppm～200質(zhì)量ppm，所述密封組合物的pH為3.0～6.5。

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2014.08.08 JP 2014-1624331.一種密封組合物，其含有：具有陽離子性官能團且重均分子量為2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相對于密封組合物100質(zhì)量份為0.05質(zhì)量份～0.20質(zhì)量份，所述密封組合物中的所述苯并三唑化合物的含量為3質(zhì)量ppm～200質(zhì)量ppm，所述密封組合物的pH為3.0～6.5。2.一種密封組合物，其含有：具有陽離子性官能團且重均分子量為2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，密封組合物中的所述苯并三唑化合物的含量為3質(zhì)量ppm～200質(zhì)量ppm，所述密封組合物的pH為3.0～6.5。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的密封組合物，其還含有一元羧酸化合物。4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的密封組合物，其以元素基準計，鈉和鉀的含量分別為10質(zhì)量ppb以下。5.一種半導體裝置的制造方法，其具有：密封組合物賦予工序，在半導體基板的至少下述凹部的底面和側(cè)面賦予權(quán)利要求1所述的密封組合物，所述半導體基板具有設(shè)有凹部的層間絕緣層和含有銅的配線，該配線的表面的至少一部分在所述凹部的底面的至少一部分露出，以及洗滌工序，在所述密封組合物賦予工序之后，用含有0.3毫摩爾/升～230毫摩爾...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：茅場靖剛，田中博文，小野升子，井上浩二，和知浩子，鈴木常司，
申請(專利權(quán))人：三井化學株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP