一種毫米波垂直傳輸過渡結構制造技術

本實用新型專利技術提供一種毫米波垂直傳輸過渡結構，包括金屬腔主體以及上層微帶傳輸線和下層微帶傳輸線，上層微帶傳輸線包括上介質基片、上50歐姆傳輸線金屬層、上連接孔和上信號匹配結；下層微帶傳輸線包括下介質基片、下50歐姆傳輸線金屬層、下連接孔和下信號匹配結。本垂直過渡結構中通過上、下信號匹配結補償傳輸線的不連續性，減小了傳輸損耗和駐波系數，在1～40GHz頻段內傳輸損耗＜2.1dB(含兩個K?2.92mm接頭及20.4mm?dur?iod5880?0.127mm傳輸線損耗，約1dB)，駐波＜1.6。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及微波/射頻信號傳輸
，特別是一種毫米波垂直傳輸過渡結構。
技術介紹
近年來，隨著移動通信、衛星通信及國防電子系統的微型化的迅速發展，高性能、低成本、小型化已經成為目前微波/射頻領域的發展方向，對傳輸結構的性能、尺寸、可靠性和成本提出了更高的要求；但是現有的毫米波垂直傳輸結構中信號傳輸損耗較大，駐波系數較差，特別是高頻段尤其明顯。
技術實現思路
本技術提供一種毫米波垂直傳輸過渡結構，以解決上述傳輸結構中信號傳輸損耗較大，駐波系數較差的技術問題。為了解決上述技術問題，本技術提供一種毫米波垂直傳輸過渡結構，包括金屬腔主體,以及設置在所述金屬腔主體一端上部的上層微帶傳輸線和設置在所述金屬腔主體另一端下部的下層微帶傳輸線，所述上層微帶傳輸線和所述下層微帶傳輸線平行；所述上層微帶傳輸線包括上介質基片、上50歐姆傳輸線金屬層、上連接孔和上信號匹配結，所述上50歐姆傳輸線金屬層設置在所述上介質基片上，所述上連接孔貫穿所述上層微帶傳輸線并位于其一端，所述上信號匹配結位于所述上連接孔的周圍；所述上信號匹配結在所述上連接孔直徑的一側形成與所述上50歐姆傳輸線金屬層連接的長方形盤，在所述上連接孔直徑的另一側呈半圓形盤；所述下層微帶傳輸線包括下介質基片、下50歐姆傳輸線金屬層、下連接孔和下信號匹配結，所述下50歐姆傳輸線金屬層設置在所述下介質基片上，所述下連接孔貫穿所述下層微帶傳輸線并位于其一端，所述下信號匹配結位于所述下連接孔的周圍；所述下信號匹配結包括以所述下連接孔為圓心的圓形盤以及連接所述圓形盤和所述下50歐姆傳輸線金屬層的長條形盤；所述上信號匹配結的面積大于所述下信號匹配結的面積。本技術的有益效果是：由于所述上信號匹配結中為方形盤和半圓形盤的不規則組合結構，以及下信號匹配結的圓形盤和長條形盤的不規則組合結構，使得上、下信號匹配結處的信號不連續性減弱，減小了傳輸損耗、減小了駐波系數，改善了信號傳輸的能力，。進一步，所述上介質基片和所述下介質基片都為0.127mm厚的RogersRT/duroid5880介質基片；所述上信號匹配結中長方形盤的長邊尺寸為1.16mm，長方形盤的短邊尺寸為0.72mm，所述長方形盤的短邊方向上的中心線與所述上50歐姆傳輸線金屬層的長邊方向的中心線共線,所述上信號匹配結中半圓形盤的半徑為0.35mm，所述半圓形盤的圓心位于所述上50歐姆傳輸線金屬層的長邊方向的中心線上；所述下信號匹配結中的圓形盤的半徑為0.35mm，所述下信號匹配結中的長條形盤的長度0.32mm，長條形盤的寬度0.24mm，所述長條形盤長度方向上的中心線與所述下50歐姆傳輸線金屬層的長邊方向的中心線共線，所述圓形盤的圓心位于所述下50歐姆傳輸線金屬層的長邊方向的中心線上。采用上述進一步方案的有益效果是：現有的RogersRT/duroid5880介質基片微帶傳輸線中的金屬層的寬度為0.37mm，所以將上信號匹配結中為方形盤和半圓形盤設置為上述尺寸，將下信號匹配結的圓形盤和長條形盤設置為上述尺寸，可以確保傳輸損耗最小，駐波系數最好。進一步，絕緣子設置在空氣腔里，所述空氣腔包括從上到下順序連接的第一空氣腔體、第二空氣腔體和第三空氣腔體，所述三個空氣腔體都為圓柱形，從上到下所述三個空氣腔體的半徑依次減小。采用上述進一步方案的有益效果是：將設置絕緣子的空氣腔設置為上下三個空氣腔體的半徑依次減小的結構，配合上信號匹配結的面積大于下信號匹配結的面積結構，進一步提高上信號匹配結和下信號匹配結之間信號傳輸的連續性。進一步，所述第一空氣腔體的直徑范圍為2.5mm至3.0mm，所述第二空氣腔體的直徑范圍為1.8mm至2.2mm，所述第三空氣腔體的直徑為0.7mm至0.9mm。采用上述進一步方案的有益效果是：將空氣腔設置為上述尺寸，使得絕緣子中的絕緣子針垂直傳輸信號受外界影響較小。進一步，所述第一空氣腔體的直徑為2.8mm，所述第二空氣腔體的直徑為2.0mm，所述第三空氣腔體的直徑為0.8mm。采用上述進一步方案的有益效果是：上述空氣腔的結構配合RogersRT/duroid5880介質基片微帶傳輸線以及上信號匹配結和下信號匹配結使用，進一步優化信號的傳輸，確保傳輸損耗和駐波系數的良好。進一步，所述絕緣子通過焊膏設置在空氣腔里。采用上述進一步方案的有益效果是：通過焊膏連接絕緣子和空氣腔，避免毫米波能量的損失。進一步，還包括絕緣子，所述絕緣子上的兩個絕緣子針分別穿過所述上連接孔和所述下連接孔，并通過焊錫點焊連接。采用上述進一步方案的有益效果是：采用點焊連接，避免毫米波在上信號匹配結和下信號匹配結處的連續性變差。附圖說明圖1是本技術毫米波垂直傳輸過渡結構實施例俯視圖，圖2是本技術毫米波垂直傳輸過渡結構實施例仰視圖，圖3是本技術毫米波垂直傳輸過渡結構實施例中金屬腔剖面圖，圖4是圖3中A處的局部視圖，圖5是圖3中B處的局部視圖，圖6是上層微帶傳輸線實施例結構圖，圖7是圖6中上信號匹配結局部結構圖，圖8是下層微帶傳輸線實施例結構圖，圖9是圖8中下信號匹配結局部結構圖，圖10是本實施例毫米波垂直傳輸過渡結構的測試報告。附圖中，各標號所代表的部件列表如下：01、金屬腔主體，02、上層微帶傳輸線，021、上介質基片，022、上50歐姆傳輸線金屬層，023、上連接孔，024、上信號匹配結，03、下層微帶傳輸線，031、下介質基片，032、下50歐姆傳輸線金屬層，033、下連接孔，034、下信號匹配結，04、絕緣子，041、絕緣子針，05、空氣腔，06、信號傳輸接頭具體實施方式下面結合附圖和實施方式對本技術作進一步的說明。本技術毫米波垂直傳輸過渡結構實施例的結構圖參見圖1至圖9，包括金屬腔主體01,以及設置在金屬腔主體01一端上部的上層微帶傳輸線02和設置在金屬腔主體01另一端下部的下層微帶傳輸線03，上層微帶傳輸線02和下層微帶傳輸線03平行；上層微帶傳輸線02包括上介質基片021、上50歐姆傳輸線金屬層022、上連接孔023和上信號匹配結024，上50歐姆傳輸線金屬層022設置在上介質基片021上，上連接孔023貫穿上層微帶傳輸線02并位于其一端，上信號匹配結024位于上連接孔023的周圍；上信號匹配結024在上連接孔023直徑的一側形成與上50歐姆傳輸線金屬層022連接的長方形盤，在上連接孔023直徑的另一側呈半圓形盤；下層微帶傳輸線03包括下介質基片031、下50歐姆傳輸線金屬層032、下連接孔033和下信號匹配結034，下50歐姆傳輸線金屬層032設置在下介質基片031上，下連接孔033貫穿下層微帶傳輸線03并位于其一端，下信號匹配結034位于下連接孔033的周圍；下信號匹配結034包括以下連接孔033為圓心的圓形盤以及連接圓形盤和下50歐姆傳輸線金屬層032的長條形盤；上信號匹配結024的面積大于下信號匹配結034的面積；上介質基片021和下介質基片031都為0.127mm厚的RogersRT/duroid5880介質基片；上信號匹配結024中長方形盤的長邊尺寸為1.16mm，長方形盤的短邊尺寸為0.72mm，長方形盤的短邊方向上的中心線與上50歐姆傳輸線金屬層022的長邊方向的本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種毫米波垂直傳輸過渡結構，包括金屬腔主體(01),以及設置在所述金屬腔主體(01)一端上部的上層微帶傳輸線(02)和設置在所述金屬腔主體(01)另一端下部的下層微帶傳輸線(03)，所述上層微帶傳輸線(02)和所述下層微帶傳輸線(03)平行；其特征在于，所述上層微帶傳輸線(02)包括上介質基片(021)、上50歐姆傳輸線金屬層(022)、上連接孔(023)和上信號匹配結(024)，所述上50歐姆傳輸線金屬層(022)設置在所述上介質基片(021)上，所述上連接孔(023)貫穿所述上層微帶傳輸線(02)并位于其一端，所述上信號匹配結(024)位于所述上連接孔(023)的周圍；所述上信號匹配結(024)在所述上連接孔(023)直徑的一側形成與所述上50歐姆傳輸線金屬層(022)連接的長方形盤，在所述上連接孔(023)直徑的另一側呈半圓形盤；所述下層微帶傳輸線(03)包括下介質基片(031)、下50歐姆傳輸線金屬層(032)、下連接孔(033)和下信號匹配結(034)，所述下50歐姆傳輸線金屬層(032)設置在所述下介質基片(031)上，所述下連接孔(033)貫穿所述下層微帶傳輸線(03)并位于其一端，所述下信號匹配結(034)位于所述下連接孔(033)的周圍；所述下信號匹配結(034)包括以所述下連接孔(033)為圓心的圓形盤以及連接所述圓形盤和所述下50歐姆傳輸線金屬層(032)的長條形盤；所述上信號匹配結(024)的面積大于所述下信號匹配結(034)的面積。...

【技術特征摘要】
1.一種毫米波垂直傳輸過渡結構，包括金屬腔主體(01),以及設置在所述金屬腔主體(01)一端上部的上層微帶傳輸線(02)和設置在所述金屬腔主體(01)另一端下部的下層微帶傳輸線(03)，所述上層微帶傳輸線(02)和所述下層微帶傳輸線(03)平行；其特征在于，所述上層微帶傳輸線(02)包括上介質基片(021)、上50歐姆傳輸線金屬層(022)、上連接孔(023)和上信號匹配結(024)，所述上50歐姆傳輸線金屬層(022)設置在所述上介質基片(021)上，所述上連接孔(023)貫穿所述上層微帶傳輸線(02)并位于其一端，所述上信號匹配結(024)位于所述上連接孔(023)的周圍；所述上信號匹配結(024)在所述上連接孔(023)直徑的一側形成與所述上50歐姆傳輸線金屬層(022)連接的長方形盤，在所述上連接孔(023)直徑的另一側呈半圓形盤；所述下層微帶傳輸線(03)包括下介質基片(031)、下50歐姆傳輸線金屬層(032)、下連接孔(033)和下信號匹配結(034)，所述下50歐姆傳輸線金屬層(032)設置在所述下介質基片(031)上，所述下連接孔(033)貫穿所述下層微帶傳輸線(03)并位于其一端，所述下信號匹配結(034)位于所述下連接孔(033)的周圍；所述下信號匹配結(034)包括以所述下連接孔(033)為圓心的圓形盤以及連接所述圓形盤和所述下50歐姆傳輸線金屬層(032)的長條形盤；所述上信號匹配結(024)的面積大于所述下信號匹配結(034)的面積。2.根據權利要求1所述的毫米波垂直傳輸過渡結構，其特征在于，所述上介質基片(021)和所述下介質基片(031)都為0.127mm厚的RogersRT/duroid5880介質基片；所述上信號匹配結(024)中長方形盤的長邊尺寸為1.16mm...

【專利技術屬性】
技術研發人員：郭曉東，
申請(專利權)人：成都浩翼科技有限公司，
類型：新型
國別省市：四川;51