本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及一種脈沖式線圈測試裝置，包括依次信號連接的程控升壓模塊、升壓變壓器、儲能電容、放電開關(guān)陣列、被測線圈、波形調(diào)整模塊、AD采集模塊及中央處理器，所述程控升壓模塊及放電開關(guān)陣列還分別與中央處理器信號連接，所述放電開關(guān)陣列包括兩個以上串聯(lián)連接的單向可控硅及與單向可控硅信號連接的觸發(fā)變壓器，所述觸發(fā)變壓器輸出繞組的個數(shù)與單向可控硅的個數(shù)相同且一一對應(yīng)。本實(shí)用新型專利技術(shù)采用兩個以上的串聯(lián)連接的單向可控硅，大大提高了測試裝置的耐壓能力。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及工業(yè)測試
，具體涉及一種脈沖式線圈測試裝置。
技術(shù)介紹
目前，電子設(shè)備和電器設(shè)備中，通常需要采用到線圈繞組。在現(xiàn)有技術(shù)中，線圈繞組通常使用漆包線繞制而成，繞組的匝與匝、層與層、相與相之間都是相互絕緣的。但在繞制過程或是在使用過程中磨壞絕緣層，導(dǎo)致匝與匝、層與層、相與相之間的耐壓能力下降，嚴(yán)重時可能會導(dǎo)致漏電甚至短路燒毀。針對線圈繞組的測試問題，目前通常使用脈沖式線圈測試裝置進(jìn)行測試。但現(xiàn)有的脈沖式線圈測試裝置耐壓能力有限、測試精度低，不能有效地測出繞組的絕緣性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足和缺陷，提供一種耐壓能力好的脈沖式線圈測試裝置。本技術(shù)的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的：一種脈沖式線圈測試裝置，包括依次信號連接的程控升壓模塊、升壓變壓器、儲能電容、放電開關(guān)陣列、被測線圈、波形調(diào)整模塊、AD采集模塊及中央處理器，所述程控升壓模塊及放電開關(guān)陣列還分別與中央處理器信號連接，所述放電開關(guān)陣列包括兩個以上串聯(lián)連接的單向可控硅及與單向可控硅信號連接的觸發(fā)變壓器，所述觸發(fā)變壓器輸出繞組的個數(shù)與單向可控硅的個數(shù)相同且一一對應(yīng)。本技術(shù)采用兩個以上的串聯(lián)連接的單向可控硅，大大提高了測試裝置的耐壓能力。作為優(yōu)選，所述放電開關(guān)陣列的每一單向可控硅分別并聯(lián)有高壓電阻，用于均衡加載在單向可控硅兩端的反向高壓，防止漏電小的可控硅被反向高壓擊穿。作為優(yōu)選，所述放電開關(guān)陣列的每一單向可控硅分別并聯(lián)有壓敏電阻，對高壓浪涌電壓進(jìn)行鉗位，對可控硅進(jìn)行保護(hù)。作為優(yōu)選，所述放電開關(guān)陣列的單向可控硅數(shù)量為6個，所述單向可控硅的耐壓值為1600V，通過采用6個耐壓值為1600V的單向可控硅串聯(lián)連接，使測試裝置的耐壓值達(dá)到9600V。作為優(yōu)選，所述波形調(diào)整模塊包括依次信號連接的幅度切換電路、加法電路及緩沖驅(qū)動電路，幅度切換電路的輸入端與被測線圈的輸出端連接，緩沖驅(qū)動電路的輸出端與AD采集模塊的輸入端連接，所述幅度切換電路根據(jù)沖擊電壓選擇不同的幅度檔位，得到合適的量程，使后續(xù)的AD采集模塊得到合適精度的波形數(shù)據(jù)；進(jìn)行幅度切換后的電壓信號經(jīng)加法電路進(jìn)行抬升。作為優(yōu)選，所述加法電路包括加法器U32B、電阻R120及電阻R123，加法器U32B的輸入端的基準(zhǔn)電壓為2V，加法電路將進(jìn)行幅度切換后的電壓信號升壓到0-4V范圍內(nèi)，保證AD采集模塊采集電壓信號的時候不溢出。本技術(shù)相比現(xiàn)有技術(shù)包括以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果：本技術(shù)采用兩個以上的串聯(lián)連接的單向可控硅，大大提高了測試裝置的耐壓能力，同時在每一單向可控硅并聯(lián)有高壓電阻，用于均衡加載在單向可控硅兩端的反向高壓，防止漏電小的可控硅被反向高壓擊穿，還將每一單向可控硅分別并聯(lián)有壓敏電阻，對高壓浪涌電壓進(jìn)行鉗位，對可控硅進(jìn)行保護(hù)。附圖說明圖1為本技術(shù)實(shí)施例的原理框圖；圖2為本實(shí)施例放電開關(guān)陣列的電路原理圖；圖3為本實(shí)施例波形調(diào)整模塊的電路原理圖；圖4為本實(shí)施例AD采集模塊的電路原理圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對本技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)的描述，但本技術(shù)的實(shí)施方式不限于此。實(shí)施例如圖1所示，一種脈沖式線圈測試裝置，包括依次信號連接的程控升壓模塊、升壓變壓器、儲能電容、放電開關(guān)陣列、被測線圈、波形調(diào)整模塊、AD采集模塊及中央處理器。所述程控升壓模塊及放電開關(guān)陣列還分別與中央處理器信號連接，所述程控升壓模塊根據(jù)其所接收的控制指令驅(qū)動升壓變壓器升壓至所需的電壓值給儲能電容進(jìn)行充電，充滿電后中央處理器控制放電開關(guān)陣列的開關(guān)閉合，儲能電容通過放電開關(guān)陣列向被測線圈放電沖擊，沖擊的過程將產(chǎn)生一個放電和震蕩的波形，該波形經(jīng)波形調(diào)整模塊調(diào)整后由AD采集模塊采集進(jìn)行采集，并將采集結(jié)果傳輸至中央處理器，中央處理器根據(jù)所接收的波形的形狀、面積、和頻率判斷被測線圈是否存在破損或漏電。所述放電開關(guān)陣列包括兩個以上串聯(lián)連接的單向可控硅及與單向可控硅信號連接的觸發(fā)變壓器，所述觸發(fā)變壓器輸出繞組的個數(shù)與單向可控硅的個數(shù)相同且一一對應(yīng)。如圖2所示，在本實(shí)施例中，所述放電開關(guān)陣列的單向可控硅數(shù)量為6個，所述單向可控硅的耐壓值為1600V，通過采用6個耐壓值為1600V的單向可控硅串聯(lián)連接，使測試裝置的耐壓值達(dá)到9600V，大大提高了測試裝置的耐壓能力。所述觸發(fā)變壓器輸出繞組的個數(shù)也為6個，與單向可控硅的數(shù)目相同，并分別與單向可控硅一一對應(yīng)。如圖2所示，在本實(shí)施例中，所述放電開關(guān)陣列的每一單向可控硅分別并聯(lián)有高壓電阻，用于均衡加載在單向可控硅兩端的反向高壓，防止漏電小的可控硅被反向高壓擊穿。所述放電開關(guān)陣列的每一單向可控硅還分別并聯(lián)有壓敏電阻，對高壓浪涌電壓進(jìn)行鉗位，對可控硅進(jìn)行保護(hù)。如圖3所示，在本實(shí)施例中，所述波形調(diào)整模塊包括依次信號連接的幅度切換電路、加法電路及緩沖驅(qū)動電路，幅度切換電路的輸入端與被測線圈的輸出端連接，緩沖驅(qū)動電路的輸出端與AD采集模塊的輸入端連接，所述幅度切換電路根據(jù)沖擊電壓選擇不同的幅度檔位，從而得到合適的量程，使后續(xù)的AD采集模塊得到合適精度的波形數(shù)據(jù)；進(jìn)行幅度切換后的電壓信號經(jīng)加法電路進(jìn)行抬升。所述加法電路包括加法器U32B、電阻R120及電阻R123，加法器U32B的輸入端的基準(zhǔn)電壓為2V，加法電路將進(jìn)行幅度切換后的電壓信號升壓到0-4V范圍內(nèi)，保證AD采集模塊采集電壓信號的時候不溢出。如圖4所示，在本實(shí)施例中，所述AD采集模塊采用AD9226的12位高速ADC芯片。AD9226芯片將所采集的數(shù)據(jù)存儲在其內(nèi)部的RAM中，采集完成后再通過SPI端口傳輸至中央處理器。中央處理器可根據(jù)實(shí)際需要將采集數(shù)據(jù)及測試結(jié)果打包上傳給上位機(jī)完成一個沖擊測試過程。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本技術(shù)的實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本技術(shù)專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本技術(shù)構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本技術(shù)的保護(hù)范圍。因此，本技術(shù)專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種脈沖式線圈測試裝置，其特征在于，包括依次信號連接的程控升壓模塊、升壓變壓器、儲能電容、放電開關(guān)陣列、被測線圈、波形調(diào)整模塊、AD采集模塊及中央處理器，所述程控升壓模塊及放電開關(guān)陣列還分別與中央處理器信號連接，所述放電開關(guān)陣列包括兩個以上串聯(lián)連接的單向可控硅及與單向可控硅信號連接的觸發(fā)變壓器，所述觸發(fā)變壓器輸出繞組的個數(shù)與單向可控硅的個數(shù)相同且一一對應(yīng)。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種脈沖式線圈測試裝置，其特征在于，包括依次信號連接的程控升壓
模塊、升壓變壓器、儲能電容、放電開關(guān)陣列、被測線圈、波形調(diào)整模塊、AD
采集模塊及中央處理器，所述程控升壓模塊及放電開關(guān)陣列還分別與中央處理
器信號連接，所述放電開關(guān)陣列包括兩個以上串聯(lián)連接的單向可控硅及與單向
可控硅信號連接的觸發(fā)變壓器，所述觸發(fā)變壓器輸出繞組的個數(shù)與單向可控硅
的個數(shù)相同且一一對應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的脈沖式線圈測試裝置，其特征在于：所述放電開
關(guān)陣列的每一單向可控硅分別并聯(lián)有高壓電阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的脈沖式線圈測試裝置，其特征在于：所述放電開
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：閔世像，譚春風(fēng)，
申請(專利權(quán))人：廣州開元電子科技有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44
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