埋入式導電配線的制作方法技術

一種埋入式導電配線的制作方法，包括下列步驟：提供一基板；于基板的上表面形成第一凹槽區域；于基板的上表面形成導電層，導電層包括一導電圖案，導電圖案填入第一凹槽區域內并且凸出于基板的上表面，導電圖案的側壁形成一第二凹槽區域，第二凹槽區域內具有導電層的部分厚度；于導電層上形成第一犧牲圖案，第一犧牲圖案填入第二凹槽區域內并且凸出于導電圖案的上表面，第一犧牲圖案的側壁形成一第三凹槽區域，第三凹槽區域暴露導電圖案；將導電層進行電鍍處理，使導電圖案增厚；移除第一犧牲圖案及第二凹槽區域內的導電層。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術系有關于一種導電配線的制作方法，尤指一種厚膜導電配線的制作方法。
技術介紹
近年隨電子技術的進展，供搭載諸如半導體組件、集成電路、電子零件等之用的配線基板，除小型化(Miniaturization)之外，也朝高積體化、高輸出化及高速化急速進展。尤其，上述的配線基板的制作過程也朝金屬配線細微化開發。例如，當在基板上形成諸如銅等金屬配線之際，一般可以采用濺鍍成膜與電解電鍍等制程。當以習知技術在基板上制作厚膜金屬配線時，因金屬配線的厚度會影響蝕刻能力，往往因蝕刻不潔影響產品制作良率，甚至無法制作出預期銅厚、配線間距的產品。
技術實現思路
本專利技術實施例在于提供一種厚膜導電配線的制作方法。本專利技術其中一實施例所提供的一種埋入式導電配線的制作方法。包括下列步驟。首先，提供一基板。接著，將基板進行圖案化處理，以于基板的上表面形成一第一凹槽區域。然后，于基板的上表面形成一導電層，其中，導電層包括一導電圖案，導電圖案至少填入第一凹槽區域內，導電圖案在厚度方向上凸出于基板的上表面，導電圖案的側壁形成一第二凹槽區域，且第二凹槽區域內具有導電層的部分厚度。接著，于導電層上形成一第一犧牲圖案，其中，第一犧牲圖案至少填入第二凹槽區域內，第一犧牲圖案在厚度方向上凸出于導電圖案的上表面，第一犧牲圖案的側壁形成一第三凹槽區域，且第三凹槽區域暴露一部分的導電圖案。然后，將導電層進行電鍍處理，使第三凹槽區域所暴露的導電圖案增厚。最后，移除第一犧牲圖案，并且，移除第二凹槽區域內的導電層。通過本專利技術實施例所提供的埋入式導電配線的制作方法，可不受限于蝕刻能力而制作出配線密度高、配線寬度窄的厚膜導電配線。為使能更進一步了解本專利技術的特征及
技術實現思路
，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本專利技術加以限制者。附圖說明圖1A至圖1J示出本專利技術一實施例的埋入式導電配線的制作方法的步驟流程。圖2為本專利技術另一實施例的埋入式導電配線的制作方法的步驟流程圖。附圖標記說明1基板101基板的上表面2第一凹槽區域3”初始導電層3、3’導電層31、31’導電圖案301、301’上表面4、4’第二凹槽區域5第一犧牲圖案501上表面6第三凹槽區域7第二犧牲圖案8蝕刻阻擋層H1、H2厚度H3高度S1～S7步驟具體實施方式請參閱圖1A至圖1J，圖1A至圖1J為本專利技術一實施例的具有埋入式導電配線的基板在制作過程中的側視示意圖，并且，圖1A至圖1J示出本專利技術一實施例的埋入式導電配線的制作方法的步驟流程。請參考圖1A，首先，提供一個基板1。基板1的種類可依據實際需求而選擇。例如，當所述導電配線的制作方法是應用于半導體領域中，基板1可為含硅的半導體晶圓；在其它應用上，基板1可以是線路基板，而基板1的材料可以是聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚碳酸酯與丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(AcrylonitrileButadieneStyrene，ABS)或含有玻璃纖維的材料。基板1也可以是玻璃基板。接著，請參考圖1B，將基板1進行圖案化處理，以于基板1的上表面101形成第一凹槽區域2。關于將基板1進行圖案化處理的步驟的實施方式，可用激光燒蝕基板1，以于基板1的上表面101開槽。如圖1B所示，第一凹槽區域2具有一預定深度。接著，請參考圖1C，為了于基板1的上表面101形成導電層3(圖1D)，可先整面性地形成初始導電層3”于基板1的上表面101，其中，初始導電層3”是填滿第一凹槽區域2。形成初始導電層3”的方式可采用例如印刷導電膏、噴涂(Spraycoating)、無電鍍法(electrolessplating)或濺鍍法(Sputtering)等常見的導電材料涂布制程。然后，將初始導電層3”進行圖案化處理，使初始導電層3”形成導電層3于基板1的上表面101。關于將初始導電層3”進行圖案化處理的步驟的實施方式，可對初始導電層3”進行第一次的蝕刻處理。蝕刻處理可以采濕式蝕刻的方式。詳細而言，參圖1D，可先于初始導電層3”上形成犧牲圖案，例如圖1D所示的第二犧牲圖案7。第二犧牲圖案7可使用干墨，而形成第二犧牲圖案7的方式例如包括曝光及顯影等程序。其次，通過第二犧牲圖案7蝕刻初始導電層3”，也就是說，針對初始導電層3”沒有被第二犧牲圖案7覆蓋而裸露出來的部分進行蝕刻(例如，進行咬銅處理)，以圖案化初始導電層3”。在上述蝕刻初始導電層3”的程序中，裸露出來的初始導電層3”僅有一部分的厚度被蝕刻。最后，再移除第二犧牲圖案7，如圖1E所示。綜上，導電層3可形成于基板1的上表面101。可參考圖1E，導電層3包括導電圖案31，導電圖案31是至少填入基板1的第一凹槽區域2內，并且，導電圖案31在厚度方向上是凸出于基板1的上表面101。亦即，導電圖案31的上表面301與基板1的上表面101兩者之間在厚度方向上具有一預定距離。此外，導電圖案31的側壁形成第二凹槽區域4，第二凹槽區域4內具有導電層3的部分厚度H2。形成于基板1的上表面101的導電層3，可經由第二凹槽區域4內的厚度H2而全面導通，以利后續的電鍍處理。值得一提的是，如圖1C中所示的初始導電層3”的厚度H1(即，初始導電層3”的上表面至基板1的上表面101的垂直距離)可依據第一凹槽區域2的間距、導電配線的預期線距及導電配線的預期線寬而做調整，以利于上述蝕刻初始導電層3”的實施。于本專利技術另一未繪示的實施例中，關于將初始導電層3”進行圖案化處理的步驟的實施方式，所述蝕刻處理可以采干式蝕刻，以激光燒蝕初始導電層3”。具體而言，可依據實際需求，例如依據初始導電層3”的材質、初始導電層3”的厚度H1或者導電層3于第二凹槽區域4內的殘留厚度H2等，對激光能量與激光的掃描時間做調整，以避免激光燒蝕過量而使所述第二凹槽區域4暴露出基板1的上表面101，或避免激光能量不足而使所述第二凹槽區域4未達到預期的深度。需要說明的是，如圖1E所示，本具體實施例中，導電圖案31是對應于基板1的第一凹槽區域2，進一步而言，導電圖案31的側壁可緊鄰第一凹槽區域2的側壁。接著，請參考圖1F，于導電層3上形成第一犧牲圖案5，第一犧牲圖案5是至少填入第二凹槽區域4內，并且，第一犧牲圖案5在厚度方向<本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種埋入式導電配線的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板；將所述基板進行圖案化處理，以于所述基板的上表面形成一第一凹槽區域；于所述基板的上表面形成一導電層，其中，所述導電層包括一導電圖案，所述導電圖案至少填入所述第一凹槽區域內，所述導電圖案在厚度方向上凸出于所述基板的上表面，所述導電圖案的側壁形成一第二凹槽區域，且所述第二凹槽區域內具有所述導電層的部分厚度；于所述導電層上形成一第一犧牲圖案，其中，所述第一犧牲圖案至少填入所述第二凹槽區域內，所述第一犧牲圖案在厚度方向上凸出于所述導電圖案的上表面，所述第一犧牲圖案的側壁形成一第三凹槽區域，且所述第三凹槽區域暴露一部分的所述導電圖案；將所述導電層進行電鍍處理，使所述第三凹槽區域所暴露的所述導電圖案增厚；移除所述第一犧牲圖案；以及移除所述第二凹槽區域內的所述導電層。

【技術特征摘要】
1.一種埋入式導電配線的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
將所述基板進行圖案化處理，以于所述基板的上表面形成一第
一凹槽區域；
于所述基板的上表面形成一導電層，其中，所述導電層包括一
導電圖案，所述導電圖案至少填入所述第一凹槽區域內，所述導電
圖案在厚度方向上凸出于所述基板的上表面，所述導電圖案的側壁
形成一第二凹槽區域，且所述第二凹槽區域內具有所述導電層的部
分厚度；
于所述導電層上形成一第一犧牲圖案，其中，所述第一犧牲圖
案至少填入所述第二凹槽區域內，所述第一犧牲圖案在厚度方向上
凸出于所述導電圖案的上表面，所述第一犧牲圖案的側壁形成一第
三凹槽區域，且所述第三凹槽區域暴露一部分的所述導電圖案；
將所述導電層進行電鍍處理，使所述第三凹槽區域所暴露的所
述導電圖案增厚；
移除所述第一犧牲圖案；以及
移除所述第二凹槽區域內的所述導電層。
2.根據權利要求1所述的埋入式導電配線的制作方法，其中，于所述
基板的上表面形成所述導電層的步驟中，更進一步包括：
整面性地形成一初始導電層于所述基板的上表面，其中，所述
初始導電層填滿所述第一凹槽區域；以及
將所述初始導電層進行圖案化處理。
3.根據權利要求2所述的埋入式導電配線的制作方法，其中，...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張啟民，
申請(專利權)人：欣興電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣;71