存儲器控制器制造技術

一種存儲器控制器包括：寫入性能儲存電路，適用于儲存存儲器件的物理存儲區的寫入性能指標；寫入計數電路，適用于對針對存儲器件的邏輯存儲區的寫入操作請求的數量進行計數；以及映射電路，適用于將寫入操作請求的數量可能相對大的邏輯存儲區映射至具有較好寫入性能指標的物理存儲區。

【技術實現步驟摘要】
相關申請的交叉引用本申請要求2015年7月15日提交的申請號為10-2015-0100275的韓國專利申請的優先權，其通過引用整體合并于此。
本專利技術的各種實施例涉及一種存儲器件、存儲器控制器、包括其的存儲系統及其操作方法。
技術介紹
存儲器件需要高速地操作。在存儲器件的規格中通常可以包括寫入恢復時間(tWR)。寫入恢復時間表示從寫入操作可以被執行且數據可以被儲存在存儲器件的存儲單元中時至儲存的數據不受預充電操作的影響時的時間段。即，寫入恢復時間表示從寫入命令可以被施加時開始的用來將數據正常地儲存在存儲器件的存儲單元中所需的最小時間段。在從寫入命令被施加時開始經過了多于寫入恢復時間的時間之后，存儲器控制器應當將預充電命令施加至存儲器件。因此，寫入恢復時間越短，就可以越早地對存儲單元預充電以用于另一操作，進而導致改善的速度和性能。由于存儲器制造工藝越來越微型化，因此存儲器件中形成的接觸電阻可以增大，進而導致寫入恢復時間增大。此外，對于存儲器件的不同區域，寫入恢復時間可以因工藝變化等而變化。因此，為了改善性能，可以期望防止存儲器件的寫入恢復時間增大和/或在存儲器件的不同區域之間改變。
技術實現思路
各種實施例針對一種存儲系統，該存儲系統可以改善其寫入操作性能。在一個實施例中，一種存儲器控制器可以包括：寫入性能儲存電路，適用于儲存存儲器件的一個或更多個物理存儲區的寫入性能指標；寫入計數電路，適用于對針對存儲器件的一個或更多個邏輯存儲區的寫入操作請求的數量進行計數；以及映射電路，適用于將寫入操作請求的數量相對大的邏輯存儲區映射至具有相對較好寫入性能指標的物理存儲區。可以更新映射電路的映射信息，存儲器控制器可以根據更新的映射來控制對存儲器的這些物理區中儲存的數據進行遷移。可以定期地更新映射電路的映射。寫入性能指標可以包括寫入恢復時間(tWR)，以及存儲器控制器可以區別地將寫入恢復時間調節(regulation)施加給存儲器的這些物理區。存儲器的這些物理區可以包括存儲體。寫入性能儲存電路可以從存儲器接收這些物理區的寫入性能指標，以及儲存寫入性能指標。在本專利技術的一個實施例中，一種存儲系統可以包括：存儲器件，包括一個或更多個物理存儲區；以及存儲器控制器，適用于控制存儲器件；該存儲器控制器包括：寫入性能儲存電路，適用于儲存物理存儲區的寫入性能指標；寫入計數電路，適用于對針對存儲器件的邏輯存儲區的寫入操作請求的數量進行計數；以及映射電路，適用于將寫入操作請求數量大的邏輯存儲區映射至具有較好寫入性能指標的物理存儲區。在本專利技術的一個實施例中，一種存儲器控制器的操作方法可以包括：對針對存儲器件的邏輯存儲區的寫入操作請求的數量進行計數；將寫入操作請求數量大的邏輯存儲區映射至存儲器件的物理存儲區之中的具有較好寫入性能指標的物理存儲區；以及控制存儲器件，使得基于映射信息而對存儲器件的物理存儲區中儲存的數據進行遷移。可以定期地執行映射的步驟和控制存儲器的步驟。存儲器控制器的操作方法還可以包括：從存儲器接收這些物理區的寫入性能指標，以及儲存寫入性能指標。寫入性能指標可以包括寫入恢復時間(tWR)，以及存儲器的這些物理區可以包括存儲體。附圖說明圖1是圖示根據本專利技術的一個實施例的存儲系統的示圖。圖2是圖示根據本專利技術的一個實施例的根據存儲器件的物理存儲區的寫入性能指標的表格，該寫入性能指標可以被儲存在圖1中所示的寫入性能儲存電路中。圖3是圖示根據本專利技術的一個實施例的針對邏輯存儲區的寫入請求數量的表格，所述寫入請求數量由圖1中所示的寫入計數電路來計數。圖4是圖示圖1中所示的根據本專利技術的一個實施例的圖1中所示的映射電路的初始映射信息的表格。圖5是圖示根據本專利技術的一個實施例的在映射電路的映射可以被更新之后的映射信息的表格。圖6是描述根據本專利技術的一個實施例的圖1中所示的存儲系統的操作的流程圖。具體實施方式在下文中將參照附圖來更詳細地描述各種實施例。然而，本專利技術可以以不同的形式來實施，而不應當被解釋為局限于本文中所闡述的實施例。相反地，這些實施例被提供使得本公開將是徹底和完整的。貫穿本公開，相同的附圖標記在本專利技術的各種附圖和實施例中指代相同的部分。附圖不一定按比例，在一些情況下，可以已夸大了比例以清楚地示出實施例的特征。還可以注意到，在此說明書中，“連接/耦接”不僅指一個組件直接耦接另一組件，還指其經由中間組件而間接耦接另一組件。圖1是圖示根據本專利技術的一個實施例的存儲系統100的示圖。現在參見圖1，存儲系統100可以包括存儲器控制器110和存儲器件130。在圖1中，存儲系統100可以與主機通信。存儲器件130可以在存儲器控制器110的控制下執行讀取操作和寫入操作。存儲器件130可以包括儲存數據的多個物理存儲區BANK0至BANK7。物理存儲區BANK0至BANK7可以是存儲體。存儲器件130可以包括儲存用于操作存儲器件130的信息的電路131。電路131可以被稱作SPD(串行存在檢測，SerialPresenceDetect)。關于各種參數的信息(諸如關于存儲器件130的容量的信息)可以被儲存在SPD131中，且可以被提供給存儲器控制器110。SPD131可以儲存存儲器件130的物理存儲區BANK0至BANK7的寫入性能指標。寫入性能指標可以是寫入恢復時間(tWR)或者包括寫入恢復時間(tWR)。在存儲器件130的制造過程中，可以通過存儲器制造商來執行針對存儲器件130的各種類型的性能的測試。在此過程中，針對存儲器件130的物理存儲區BANK0至BANK7的寫入恢復時間(tWR)可以被測量并且被儲存在SPD131中。可選地，可以通過由存儲器控制器110控制的測試操作來測試針對存儲器件130的物理存儲區BANK0至BANK7的寫入性能，從而針對物理存儲區BANK0至BANK7的寫入恢復時間(tWR)也可以被測量并且被儲存在SPD131中。圖1中示出的存儲器件130也可以包括一個存儲芯片或包括多個存儲芯片的存儲模塊(例如，DIMM)。存儲器控制器110可以根據來自主機HOST的請求而控制存儲器件130的操作。存儲器控制器110可以包括主機接口電路111、數據緩沖器電路112、調度器電路113、命令發生電路114、存儲器接口電路115、寫入性能儲存電路116、周期計數電路117、寫入計數電路118和映射電路119。主機接口電路111可以提供存儲器控制器110與主機之間的接口。經由主機接口電路111，可以從主機接收主機的請求，以及通過主機的請求的處理結果可以被傳送至主機。數據緩沖器電路112可以暫時儲存要被寫入至存儲器件130的數據以及從存儲器件130讀取的數據。調度器電路113可以從主機接收到的請求來確定要指示給存儲器件130的請求的次序。調度器電路113可以允許已經從主機接收到的請求的次序與被指示給存儲器件130的操作的次序彼此不同，以改善存儲系統100的性能。例如，即使主機請求存儲器件130的讀取操作然后請求寫入操作，調度器電路113也可以調節次序使得可以在讀取操作之前執行存儲器件130的寫入操作。命令發生電路114可以根據由調度器電路113決定的操作次序來產生要施加給存儲器件130的命令。存儲器接口電路115可以提供存儲器控本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種存儲器控制器，包括：寫入性能儲存電路，適用于儲存存儲器件的一個或更多個物理存儲區的寫入性能指標；寫入計數電路，適用于對針對存儲器件的一個或更多個邏輯存儲區的寫入操作請求的數量進行計數；以及映射電路，適用于將寫入操作請求數量相對大的邏輯存儲區映射至具有相對較好寫入性能指標的物理存儲區。

【技術特征摘要】
2015.07.15 KR 10-2015-01002751.一種存儲器控制器，包括：寫入性能儲存電路，適用于儲存存儲器件的一個或更多個物理存儲區的寫入性能指標；寫入計數電路，適用于對針對存儲器件的一個或更多個邏輯存儲區的寫入操作請求的數量進行計數；以及映射電路，適用于將寫入操作請求數量相對大的邏輯存儲區映射至具有相對較好寫入性能指標的物理存儲區。2.如權利要求1所述的存儲器控制器，其中，更新映射電路的映射信息，以及存儲器控制器根據更新的映射信息來控制對存儲器件的這些物理存儲區中儲存的數據進行遷移。3.如權利要求1所述的存儲器控制器，其中，定期地更新映射電路的映射信息。4.如權利要求1所述的存儲器控制器，其中，寫入性能指標包括寫入恢復時間tWR。5.如權利要求4所述的存儲器控制器，其中，存儲器控制器為存儲器件的各個物理存儲區區別地分配寫入恢復時間。6.如權利要求1所述的存儲器控制器，其中，存儲器件的所述一個或更多個物理存儲區包括存儲體。7.如權利要求1所述的存儲器控制器，其中，寫入性能儲存電路從存儲器件接收針對各個物理存儲區的寫入性能指標，以用于將所述寫入性能指標儲存在其中。8.一種存儲系統，包括：存儲器件，包括一個或更多個物理存儲區；以及存儲器控制器，適用于控制存儲器件；所述存儲器控制器包括：寫入性能儲存電路，適用于儲存這些物理存儲區的寫入性能指標；寫入計數電路，適用于對針對存儲器件的邏輯存儲區的寫入操作請求的數量進行計數；以及映射電路，...

【專利技術屬性】
技術研發人員：樸鐘范，權容技，金龍珠，
申請(專利權)人：愛思開海力士有限公司，
類型：發明
國別省市：韓國;KR