一種高度抑制UHF波段低噪聲放大器模塊制造技術

本發明專利技術公開了一種高度抑制UHF波段低噪聲放大器模塊，屬于低噪聲放大器技術領域，包括低噪聲放大器LNA和濾波器，實現了一種集成了濾波器和低噪聲放大器LNA的LTCC放大模塊，具有體積小、重量輕、可靠性高、電性能優異、使用方便、適用范圍廣、成品率高、批量一致性好和造價低等優點。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及低噪聲放大器
，特別涉及一種高度抑制UHF波段低噪聲放大器模塊。
技術介紹
近年來，隨著移動通信、衛星通信及國防電子系統的微型化的迅速發展，高性能、低成本和小型化已經成為目前微波/射頻領域的發展方向，對微波功率放大器的性能、尺寸、可靠性和成本均提出了更高的要求。描述這種部件性能的主要指標有：工作頻率范圍、輸出功率增益、增益噪聲指數、輸入輸出三階截取點、電壓駐波比等。低溫共燒陶瓷是一種電子封裝技術，采用多層陶瓷技術，能夠將無源元件內置于介質基板內部，同時也可以將有源元件貼裝于基板表面制成無源/有源集成的功能模塊。LTCC技術在成本、集成封裝、布線線寬和線間距、低阻抗金屬化、設計多樣性和靈活性及高頻性能等方面都顯現出眾多優點，已成為無源集成的主流技術。其具有高Q值，便于內嵌無源器件，散熱性好，可靠性高，耐高溫，沖震等優點，利用LTCC技術，可以很好的加工出尺寸小，精度高，緊密型好，損耗小的微波器件。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種高度抑制UHF波段低噪聲放大器模塊，實現了一種集成了濾波器和低噪聲放大器LNA的LTCC放大模塊，具有體積小、重量輕、可靠性高、電性能優異、使用方便、適用范圍廣、成品率高、批量一致性好和造價低等優點。為實現上述目的，本專利技術采用以下技術方案：一種高度抑制UHF波段低噪聲放大器模塊，包括低噪聲放大器LNA和濾波器，低噪聲放大器LNA設于濾波器的上表面，濾波器的左側面從后至前依次間隔設有信號輸入端P1和信號輸出端P2，濾波器的右側面從后至前依次間隔設有懸空端P9和懸空端P10，濾波器的后側面從左至右依次間隔設有接地端P3、電源接口P4和接地端P5，濾波器前側面從左至右依次間隔設有接地端P6、懸空端P7和接地端P8，濾波器的上表面還設有微帶線input、微帶線output和微帶線VDD，電源接口P4通過微帶線VDD連接低噪聲放大器LNA；濾波器包括輸出電感Lout、輸入電感Lin、第一諧振器、第二諧振器、第三諧振器、第四諧振器、第五諧振器、第六諧振器、第七諧振器、第八諧振器、第一耦合電容C11、第二耦合電容C22、通孔Via1、通孔Via2和連接線L-connet，第一耦合電容C11和第二耦合電容C22為從左至右依次間隔設置；第一耦合電容C11的下方從左至右依次間隔設有第一諧振器和第三諧振器，第一諧振器的左邊設有輸出電感Lout，所述第一諧振器通過輸出電感Lout連接所述信號輸出端P2，輸出電感Lout的后邊設有輸入電感Lin和通孔Via1，輸入電感Lin連接信號輸入端P1，輸入電感Lin通過通孔Via1連接微帶線input的一端，微帶線input的另一端連接低噪聲放大器LNA，第一諧振器包括電容C1和電感L1，電容C1位于電感L1的后面，電容C1與電感L1連接，第三諧振器包括電容C3和電感L3，電容C3位于電感L3的后面，電容C3與電感L3連接；所述第一諧振器的下方設有所述第二諧振器，所述第二諧振器包括電容C2和電感L2，電容C2位于電感L2的后面，電容C2與電感L2連接；所述第三諧振器的下方設有所述第四諧振器，所述第四諧振器包括電容C4和電感L4，電容C4位于電感L4的后面，電容C4與電感L4連接；第二耦合電容C12的下方從左至右依次間隔設有第五諧振器和第七諧振器，第五諧振器包括電容C5和電感L5，電容C5位于電感L5的后面，電容C5與電感L5連接，第七諧振器包括電容C7和電感L7，電容C7位于電感L7的后面，電容C7與電感L7連接；所述第五諧振器的下方設有所述第六諧振器，所述第六諧振器包括電容C6和電感L6，電容C6位于電感L6的后面，電容C6與電感L6連接，所述第五諧振器的右邊設有連接線L-connet和通孔Via2，所述第五諧振器連接連接線L-connet，連接線L-connet通過通孔連接所述，所述第七諧振器的下方設有所述第八諧振器，所述第八諧振器包括電容C8和電感L8，電容C8位于電感L8的后面，電容C8與電感L8連接所述微帶線output的一端，微帶線output的另一端連接低噪聲放大器LNA；所述第一諧振器、所述第三諧振器、所述第五諧振器、所述第七諧振器、連接線L-connet、輸出電感Lout和輸入電感Lin位于同一層面上，所述第一耦合電容C11和所述第二耦合電容C22位于同一層面上，所述第二諧振器、所述第四諧振器、所述第六諧振器和所述第八諧振器位于同一層面上，所述電容C3連接電容C5。所述低噪聲放大器LNA和所述濾波器兩者為通過LTCC技術實現的一體封裝結構。所述一種高度抑制UHF波段低噪聲放大器模塊采用LTCC工藝制成。所述低噪聲放大器LNA的型號為WFD005050-L30。信號輸入端P1、信號輸出端P2、懸空端P9、懸空端P10、接地端P3、電源接口P4、接地端P5、接地端P6、懸空端P7和接地端P8的上端均設有向所述濾波器上表面的一側延伸的折彎部，信號輸入端P1、信號輸出端P2、懸空端P9、懸空端P10、接地端P3、電源接口P4、接地端P5、接地端P6、懸空端P7和接地端P8的下端均設有向所述濾波器下表面的一側延伸的折彎部。本專利技術所述的一種高度抑制UHF波段低噪聲放大器模塊，實現了一種集成了濾波器和低噪聲放大器LNA的LTCC放大模塊，具有體積小、重量輕、可靠性高、電性能優異、使用方便、適用范圍廣、成品率高、批量一致性好和造價低等優點，適用于相應微波頻段的通信、衛星通信等對體積、電性能、溫度穩定性和可靠性有苛刻要求的場合和相應的系統中。附圖說明圖1是本專利技術的原理圖框圖；圖2是本專利技術的外部結構示意圖；圖3是本專利技術的濾波器Filte的內部結構示意圖。具體實施方式如圖1-3所示的一種高度抑制UHF波段低噪聲放大器模塊，包括低噪聲放大器LNA和濾波器，低噪聲放大器LNA設于濾波器的上表面，濾波器的左側面從后至前依次間隔設有信號輸入端P1和信號輸出端P2，濾波器的右側面從后至前依次間隔設有懸空端P9和懸空端P10，濾波器的后側面從左至右依次間隔設有接地端P3、電源接口P4和接地端P5，濾波器前側面從左至右依次間隔設有接地端P6、懸空端P7和接地端P8，濾波器的上表面還設有微帶線input、微帶線output和微帶線VDD，電源接口P4通過微帶線VDD連接低噪聲放大器LNA；濾波器包括輸出電感Lout、輸入電感Lin、第一諧振器、第二諧振器、第三諧振器、第四諧振器、第五諧振器、第六諧振器、第七諧振器、第八諧振器、第一耦合電容C11、第二耦合電容C22、通孔Via1、通孔Via2和連接線L-connet，第一耦合電容C11和第二耦合電容C22為從左至右依次間隔設置；第一耦合電容C11的下方從左至右依次間隔設有第一諧振器和第三諧振器，第一諧振器的左邊設有輸出電感Lout，所述第一諧振器通過輸出電感Lout連接所述信號輸出端P2，輸出電感Lout的后邊設有輸入電感Lin和通孔Via1，輸入電感Lin連接信號輸入端P1，輸入電感Lin通過通孔Via1連接微帶線input的一端，微帶線input的另一端連接低噪聲放大器LNA，第一諧振器包括電容C1和電感L1，電容C1位于電感L1的后面，電容C1與電感L1連接，第三諧振器包括電容C3和電感L本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種高度抑制UHF波段低噪聲放大器模塊，其特征在于：包括低噪聲放大器LNA和濾波器，低噪聲放大器LNA設于濾波器的上表面，濾波器的左側面從后至前依次間隔設有信號輸入端P1和信號輸出端P2，濾波器的右側面從后至前依次間隔設有懸空端P9和懸空端P10，濾波器的后側面從左至右依次間隔設有接地端P3、電源接口P4和接地端P5，濾波器前側面從左至右依次間隔設有接地端P6、懸空端P7和接地端P8，濾波器的上表面還設有微帶線input、微帶線output和微帶線VDD，電源接口P4通過微帶線VDD連接低噪聲放大器LNA；濾波器包括輸出電感Lout、輸入電感Lin、第一諧振器、第二諧振器、第三諧振器、第四諧振器、第五諧振器、第六諧振器、第七諧振器、第八諧振器、第一耦合電容C11、第二耦合電容C22、通孔Via1、通孔Via2和連接線L?connet，第一耦合電容C11和第二耦合電容C22為從左至右依次間隔設置；第一耦合電容C11的下方從左至右依次間隔設有第一諧振器和第三諧振器，第一諧振器的左邊設有輸出電感Lout，所述第一諧振器通過輸出電感Lout連接所述信號輸出端P2，輸出電感Lout的后邊設有輸入電感Lin和通孔Via1，輸入電感Lin連接信號輸入端P1，輸入電感Lin通過通孔Via1連接微帶線input的一端，微帶線input的另一端連接低噪聲放大器LNA，第一諧振器包括電容C1和電感L1，電容C1位于電感L1的后面，電容C1與電感L1連接，第三諧振器包括電容C3和電感L3，電容C3位于電感L3的后面，電容C3與電感L3連接；所述第一諧振器的下方設有所述第二諧振器，所述第二諧振器包括電容C2和電感L2，電容C2位于電感L2的后面，電容C2與電感L2連接；所述第三諧振器的下方設有所述第四諧振器，所述第四諧振器包括電容C4和電感L4，電容C4位于電感L4的后面，電容C4與電感L4連接；第二耦合電容C12的下方從左至右依次間隔設有第五諧振器和第七諧振器，第五諧振器包括電容C5和電感L5，電容C5位于電感L5的后面，電容C5與電感L5連接，第七諧振器包括電容C7和電感L7，電容C7位于電感L7的后面，電容C7與電感L7連接；所述第五諧振器的下方設有所述第六諧振器，所述第六諧振器包括電容C6和電感L6，電容C6位于電感L6的后面，電容C6與電感L6連接，所述第五諧振器的右邊設有連接線L?connet和通孔Via2，所述第五諧振器連接連接線L?connet，連接線L?connet通過通孔連接所述，所述第七諧振器的下方設有所述第八諧振器，所述第八諧振器包括電容C8和電感L8，電容C8位于電感L8的后面，電容C8與電感L8連接所述微帶線output的一端，微帶線output的另一端連接低噪聲放大器LNA；所述第一諧振器、所述第三諧振器、所述第五諧振器、所述第七諧振器、連接線L?connet、輸出電感Lout和輸入電感Lin位于同一層面上，所述第一耦合電容C11和所述第二耦合電容C22位于同一層面上，所述第二諧振器、所述第四諧振器、所述第六諧振器和所述第八諧振器位于同一層面上，所述電容C3連接電容C5。...

【技術特征摘要】
1.一種高度抑制UHF波段低噪聲放大器模塊，其特征在于：包括低噪聲放大器LNA和濾波器，低噪聲放大器LNA設于濾波器的上表面，濾波器的左側面從后至前依次間隔設有信號輸入端P1和信號輸出端P2，濾波器的右側面從后至前依次間隔設有懸空端P9和懸空端P10，濾波器的后側面從左至右依次間隔設有接地端P3、電源接口P4和接地端P5，濾波器前側面從左至右依次間隔設有接地端P6、懸空端P7和接地端P8，濾波器的上表面還設有微帶線input、微帶線output和微帶線VDD，電源接口P4通過微帶線VDD連接低噪聲放大器LNA；濾波器包括輸出電感Lout、輸入電感Lin、第一諧振器、第二諧振器、第三諧振器、第四諧振器、第五諧振器、第六諧振器、第七諧振器、第八諧振器、第一耦合電容C11、第二耦合電容C22、通孔Via1、通孔Via2和連接線L-connet，第一耦合電容C11和第二耦合電容C22為從左至右依次間隔設置；第一耦合電容C11的下方從左至右依次間隔設有第一諧振器和第三諧振器，第一諧振器的左邊設有輸出電感Lout，所述第一諧振器通過輸出電感Lout連接所述信號輸出端P2，輸出電感Lout的后邊設有輸入電感Lin和通孔Via1，輸入電感Lin連接信號輸入端P1，輸入電感Lin通過通孔Via1連接微帶線input的一端，微帶線input的另一端連接低噪聲放大器LNA，第一諧振器包括電容C1和電感L1，電容C1位于電感L1的后面，電容C1與電感L1連接，第三諧振器包括電容C3和電感L3，電容C3位于電感L3的后面，電容C3與電感L3連接；所述第一諧振器的下方設有所述第二諧振器，所述第二諧振器包括電容C2和電感L2，電容C2位于電感L2的后面，電容C2與電感L2連接；所述第三諧振器的下方設有所述第四諧振器，所述第四諧振器包括電容C4和電感L4，電容C4位于電感L4的后面，電容C4與電感L4連接；第二耦合電容C12的下方從左至右依次間隔設有第五諧振器和第七諧振器，第五諧振器包括電容C5和電感L5，電容C5位于電感L5的后面，電容C5...

【專利技術屬性】
技術研發人員：戴永勝，陳相治，楊茂雅，
申請(專利權)人：戴永勝，陳相治，楊茂雅，
類型：發明
國別省市：江蘇;32