發(fā)光器件的制備方法與發(fā)光器件技術(shù)

本申請(qǐng)?zhí)峁┝税l(fā)光器件的制備方法與發(fā)光器件。該發(fā)光器件的制備方法包括：步驟S1，提供基板，基板上設(shè)置有多個(gè)像素隔離結(jié)構(gòu)和電致發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一電極，相鄰的像素隔離結(jié)構(gòu)之間具有子像素區(qū)域，在各子像素區(qū)域上設(shè)置電致發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光層和第二電極，其中，發(fā)光層和第二電極依次遠(yuǎn)離基板設(shè)置，第二電極為出光電極；步驟S2，采用噴墨打印法在至少一個(gè)第二電極的遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的發(fā)光層的表面上設(shè)置量子點(diǎn)墨水，并固化形成至少一個(gè)光轉(zhuǎn)換層。該方法避免了采用光刻法造成的材料浪費(fèi)的問(wèn)題，簡(jiǎn)化了發(fā)光器的制備過(guò)程，降低了生產(chǎn)成本。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本申請(qǐng)涉及發(fā)光器件領(lǐng)域，具體而言，涉及一種發(fā)光器件的制備方法與發(fā)光器件。
技術(shù)介紹
量子點(diǎn)材料是指在三個(gè)維度上都出現(xiàn)量子尺度效應(yīng)，即材料的特征尺寸與電子的德布羅意波長(zhǎng)、相干波長(zhǎng)及激子波爾半徑可比擬，電子局限在納米空間使得電子輸運(yùn)受到限制，導(dǎo)致電子平均自由程很短，最終導(dǎo)致電子的局域性和相干性增強(qiáng)，此時(shí)原本準(zhǔn)連續(xù)的能帶演變?yōu)榉至⒌哪芗?jí)結(jié)構(gòu)。這種特殊的能級(jí)結(jié)構(gòu)使得量子點(diǎn)具備光致發(fā)光和電致發(fā)光?？梢酝ㄟ^(guò)控制量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)、材料和粒徑制備相應(yīng)發(fā)光光譜。發(fā)光器件不僅能結(jié)合電致發(fā)光器件的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)能夠結(jié)合量子點(diǎn)激發(fā)后的高亮度、高色純度的特點(diǎn)。現(xiàn)有技術(shù)中的發(fā)光器件主要是在電致發(fā)光器件的蓋板內(nèi)側(cè)設(shè)置不同顏色的光轉(zhuǎn)換材料層；通過(guò)掩膜及光刻工藝除去不需要的光轉(zhuǎn)換材料層，進(jìn)而形成不同的光轉(zhuǎn)換區(qū)域即形成不同的子像素；然后，將該蓋板和電致發(fā)光器件貼合實(shí)現(xiàn)光致發(fā)光與電致發(fā)光。上述的制備方法浪費(fèi)了光轉(zhuǎn)換材料，且整個(gè)制備過(guò)程復(fù)雜、且成本較高，不適合大規(guī)模生產(chǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本申請(qǐng)的主要目的在于提供一種發(fā)光器件的制備方法與發(fā)光器件，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的發(fā)光器件生產(chǎn)成本高且制備過(guò)程復(fù)雜的問(wèn)題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，提供了一種發(fā)光器件的制備，上述制備方法包括：步驟S1，提供基板，上述基板上設(shè)置有多個(gè)像素隔離結(jié)構(gòu)和電致發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一電極，相鄰的上述像素隔離結(jié)構(gòu)之間具有子像素區(qū)域，在各上述子像素區(qū)域上設(shè)置上述電致發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光層和第二電極，其中，上述發(fā)光層和上述第二電極依次遠(yuǎn)離上述基板設(shè)置，上述第二電極為出光電極；步驟S2，采用噴墨打印法在至少一個(gè)上述第二電極的遠(yuǎn)離上述對(duì)應(yīng)的發(fā)光層的表面上設(shè)置量子點(diǎn)墨水，并固化形成至少一個(gè)光轉(zhuǎn)換層。進(jìn)一步地，上述步驟S1還包括：于至少一個(gè)上述子像素區(qū)域內(nèi)，在上述第一電極和上述發(fā)光層之間設(shè)置空穴注入層和/或空穴傳輸層。進(jìn)一步地，上述步驟S1還包括：于至少一個(gè)上述子像素區(qū)域內(nèi)，在上述發(fā)光層和對(duì)應(yīng)的上述第二電極之間設(shè)置電子注入層和/或電子傳輸層。進(jìn)一步地，上述步驟S2包括：步驟S21，于至少一個(gè)上述子像素區(qū)域內(nèi)，在上述第二電極的遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的上述發(fā)光層的表面上設(shè)置保護(hù)層；步驟S22，采用噴墨打印法在各上述保護(hù)層遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的上述第二電極的表面上設(shè)置上述量子點(diǎn)墨水，并固化形成光轉(zhuǎn)換層。進(jìn)一步地，上述步驟S21中采用物理氣相沉積法、化學(xué)氣相沉積法、濺射法或蒸鍍法形成上述保護(hù)層。進(jìn)一步地，上述步驟S2還包括：步驟S21'，于至少一個(gè)上述子像素區(qū)域內(nèi)，采用噴墨打印法在上述第二電極的遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的上述發(fā)光層的表面上設(shè)置輔助量子點(diǎn)墨水，并固化形成輔助光轉(zhuǎn)換層；步驟S22'，采用噴墨打印法在各上述輔助光轉(zhuǎn)換層的遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的上述第二電極的表面上設(shè)置量子點(diǎn)墨水，并固化形成光轉(zhuǎn)換層。進(jìn)一步地，上述步驟S21'包括：步驟S211'，于至少一個(gè)上述子像素區(qū)域內(nèi)，在上述第二電極的遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的上述發(fā)光層的表面上設(shè)置保護(hù)層；步驟S212'，采用噴墨打印法在各上述保護(hù)層的遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的上述第二電極的表面上設(shè)置輔助量子點(diǎn)墨水，并固化形成輔助光轉(zhuǎn)換層。進(jìn)一步地，上述保護(hù)層的材料為氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鋅、氧化鋇、鈦酸鋇、氧化硼、氧化鈰、氧化鈷、氧化鍺、氧化鉿、氧化銦、鎂鋁尖晶石、氧化鎂、氧化錳、氧化鎳、氧化鈮、三氧化二妮、氧化鉭、氧化鍶、氧化鈦、氮化鈦、氧化釔、氧化鋯、氟化鋁、氟化鋇、氟化鉍、氟化鎂、氟化鈰、氟化鋱、氟化釔、氟化鋅、氧化鉬、硒化鉍、銻化鉍、硒化鋅、硫化鋅、銻化鋅、硒化錫、硫化錫與銻化錫中的一種或多種，或者上述保護(hù)層的材料為聚醚砜、聚丙烯酸、聚芳酯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚酰亞胺，聚碳酸酯、醋酸纖維素與醋酸丙酸纖維素中的一種或多種。進(jìn)一步地，上述步驟S2中，采用激光或者電子束能量固化上述量子點(diǎn)墨水。根據(jù)本申請(qǐng)的另一方面，提供了一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括基板與電致發(fā)光結(jié)構(gòu)，上述基板上設(shè)置有第一電極和多個(gè)像素隔離結(jié)構(gòu)，相鄰的上述像素隔離結(jié)構(gòu)之間具有子像素區(qū)域，上述電致發(fā)光結(jié)構(gòu)包括上述第一電極、設(shè)置在上述子像素區(qū)域的發(fā)光層和第二電極，且上述發(fā)光層和上述第二電極依次遠(yuǎn)離上述基板設(shè)置，上述發(fā)光器件還包括：至少一個(gè)光轉(zhuǎn)換層，各上述光轉(zhuǎn)換層設(shè)置上述第二電極遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的上述發(fā)光層的表面上。進(jìn)一步地，上述發(fā)光器件還包括：至少一個(gè)保護(hù)層，各上述保護(hù)層設(shè)置在各上述第二電極與對(duì)應(yīng)的上述光轉(zhuǎn)換層之間。進(jìn)一步地，各上述保護(hù)層的透光率大于等于70％。進(jìn)一步地，各上述保護(hù)層的材料為氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鋅、氧化鋇、鈦酸鋇、氧化硼、氧化鈰、氧化鈷、氧化鍺、氧化鉿、氧化銦、鎂鋁尖晶石、氧化鎂、氧化錳、氧化鎳、氧化鈮、三氧化二妮、氧化鉭、氧化鍶、氧化鈦、氮化鈦、氧化釔、氧化鋯、氟化鋁、氟化鋇、氟化鉍、氟化鎂、氟化鈰、氟化鋱、氟化釔、氟化鋅、氧化鉬、硒化鉍、銻化鉍、硒化鋅、硫化鋅、銻化鋅、硒化錫、硫化錫與銻化錫中的一種或多種，或者上述保護(hù)層的材料為聚醚砜、聚丙烯酸、聚芳酯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚酰亞胺，聚碳酸酯、醋酸纖維素與醋酸丙酸纖維素中的一種或多種。進(jìn)一步地，上述發(fā)光器件還包括：至少一個(gè)輔助光轉(zhuǎn)換層，各上述輔助光轉(zhuǎn)換層設(shè)置在各上述第二電極與對(duì)應(yīng)的上述光轉(zhuǎn)換層之間；各上述輔助光轉(zhuǎn)換層的發(fā)光波長(zhǎng)大于對(duì)應(yīng)的上述發(fā)光層的發(fā)光波長(zhǎng)，且小于對(duì)應(yīng)的上述光轉(zhuǎn)換層的發(fā)光波長(zhǎng)。進(jìn)一步地，各上述發(fā)光層為量子點(diǎn)發(fā)光層或者有機(jī)發(fā)光層，且各上述發(fā)光層的發(fā)光波長(zhǎng)為小于等于480nm。進(jìn)一步地，上述光轉(zhuǎn)換層中，部分的上述光轉(zhuǎn)換層為紅色量子點(diǎn)層，另一部分的上述光轉(zhuǎn)換層為綠色量子點(diǎn)層。進(jìn)一步地，上述發(fā)光器件還包括：至少一個(gè)光提取層，各上述光提取層設(shè)置在各上述光轉(zhuǎn)換層與對(duì)應(yīng)的保護(hù)層之間。應(yīng)用本申請(qǐng)的技術(shù)方案，采用噴墨打印的方式在出光電極上形成光轉(zhuǎn)換層，避免了采用光刻法造成的材料浪費(fèi)的問(wèn)題；并且，該制備方法簡(jiǎn)化了子像素區(qū)域形成過(guò)程，進(jìn)而簡(jiǎn)化了發(fā)光器的制備過(guò)程，降低了生產(chǎn)成本。附圖說(shuō)明構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的說(shuō)明書(shū)附圖用來(lái)提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：圖1示出了本申請(qǐng)的一種典型的實(shí)施方式提供的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2示出了本申請(qǐng)的一種實(shí)施例提供的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3示出了本申請(qǐng)的另一種實(shí)施例提供的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4示出了本申請(qǐng)的再一種實(shí)施例提供的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖5示出了本申請(qǐng)的又一種實(shí)施例提供的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，上述附圖包括以下附圖標(biāo)記：01、像素隔離結(jié)構(gòu)；11、基板；12、第一電極；20、發(fā)光層；30、第二電極；40、保護(hù)層；45、光提取層；50、輔助光轉(zhuǎn)換層；60、光轉(zhuǎn)換層。具體實(shí)施方式應(yīng)該指出，以下詳細(xì)說(shuō)明都是例示性的，旨在對(duì)本申請(qǐng)?zhí)峁┻M(jìn)一步的說(shuō)明。除非另有指明，本文使用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)具有與本申請(qǐng)所屬
的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。需要注意的是，這里所使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述具體實(shí)施方式，而非意圖限制根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：步驟S1，提供基板，所述基板上設(shè)置有多個(gè)像素隔離結(jié)構(gòu)和電致發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一電極，相鄰的所述像素隔離結(jié)構(gòu)之間具有子像素區(qū)域，在各所述子像素區(qū)域上設(shè)置所述電致發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光層和第二電極，其中，所述發(fā)光層和所述第二電極依次遠(yuǎn)離所述基板設(shè)置，所述第二電極為出光電極；以及步驟S2，采用噴墨打印法在至少一個(gè)所述第二電極的遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的所述發(fā)光層的表面上設(shè)置量子點(diǎn)墨水，并固化形成至少一個(gè)光轉(zhuǎn)換層。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：步驟S1，提供基板，所述基板上設(shè)置有多個(gè)像素隔離結(jié)構(gòu)和電致發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一電極，相鄰的所述像素隔離結(jié)構(gòu)之間具有子像素區(qū)域，在各所述子像素區(qū)域上設(shè)置所述電致發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光層和第二電極，其中，所述發(fā)光層和所述第二電極依次遠(yuǎn)離所述基板設(shè)置，所述第二電極為出光電極；以及步驟S2，采用噴墨打印法在至少一個(gè)所述第二電極的遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的所述發(fā)光層的表面上設(shè)置量子點(diǎn)墨水，并固化形成至少一個(gè)光轉(zhuǎn)換層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1還包括：于至少一個(gè)所述子像素區(qū)域內(nèi)，在所述第一電極和所述發(fā)光層之間設(shè)置空穴注入層和/或空穴傳輸層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1還包括：于至少一個(gè)所述子像素區(qū)域內(nèi)，在所述發(fā)光層和對(duì)應(yīng)的所述第二電極之間設(shè)置電子注入層和/或電子傳輸層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2包括：步驟S21，于至少一個(gè)所述子像素區(qū)域內(nèi)，在所述第二電極的遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的所述發(fā)光層的表面上設(shè)置保護(hù)層；以及步驟S22，采用噴墨打印法在各所述保護(hù)層遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的所述第二電極的表面上設(shè)置所述量子點(diǎn)墨水，并固化形成光轉(zhuǎn)換層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S21中采用物理氣相沉積法、化學(xué)氣相沉積法、濺射法或蒸鍍法形成所述保護(hù)層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2還包括：步驟S21'，于至少一個(gè)所述子像素區(qū)域內(nèi)，采用噴墨打印法在所述第二電極的遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的所述發(fā)光層的表面上設(shè)置輔助量子點(diǎn)墨水，并固化形成輔助光轉(zhuǎn)換層；以及步驟S22'，采用噴墨打印法在各所述輔助光轉(zhuǎn)換層的遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的所述第二電極的表面上設(shè)置量子點(diǎn)墨水，并固化形成光轉(zhuǎn)換層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S21'包括：步驟S211'，于至少一個(gè)所述子像素區(qū)域內(nèi)，在所述第二電極的遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的所述發(fā)光層的表面上設(shè)置保護(hù)層；以及步驟S212'，采用噴墨打印法在各所述保護(hù)層的遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)的所述第二電極的表面上設(shè)置輔助量子點(diǎn)墨水，并固化形成輔助光轉(zhuǎn)換層。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述保護(hù)層的材料為氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鋅、氧化鋇、鈦酸鋇、氧化硼、氧化鈰、氧化鈷、氧化鍺、氧化鉿、氧化銦、鎂鋁尖晶石、氧化鎂、氧化錳、氧化鎳、氧化鈮、三氧化二妮、氧化鉭、氧化鍶、氧化鈦、氮化鈦、氧化釔、氧化鋯、氟化鋁、氟化鋇、氟化鉍、氟化鎂、氟化鈰、氟化鋱、氟化釔、氟化鋅、氧化鉬、硒化鉍、銻化鉍、硒化鋅、硫化鋅、銻化鋅、硒化錫、硫化錫與銻化錫中的一種或多種，或者所述保護(hù)層的材料為聚醚砜、聚丙烯酸、聚芳酯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚酰亞胺，聚碳酸酯、醋...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：甄常刮，杜勇，彭軍軍，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：納晶科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：浙江;33