【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及雙面陶瓷研磨盤的合成，屬于化學機械拋光領域。
技術介紹
隨著半導體產業(yè)的快速發(fā)展，多層布線技術不斷發(fā)展，導致對電子元件表面的平整度和精度的要求越來越高。從而推動了人們增大了對化學機械拋光技術(CMP)的研究力度?；瘜W機械拋光(CMP)是目前半導體材料制作中用于半導體晶片或其他襯底平面平坦化的技術。它是將機械摩擦與化學腐蝕相結合形成的工藝，機械摩擦與化學腐蝕達到最佳平衡，從而獲得完美的電子元件表面質量。目前，研磨半導體材料如硅片、藍寶石襯底等雙面磨盤是最佳選擇。磨盤的材質對磨盤的性能起到關鍵作用。目前磨盤的種類有鑄鐵、銅盤、金剛石等，存在的問題有易生銹、難保養(yǎng)，易磨損、壽命短，成本高等問題。為了提高研磨效率、研磨質量，降低物料和人工成本，人們在化學機械拋光領域不斷地進行著研究。陶瓷具有耐高溫、耐磨、耐腐蝕、抗氧化、電絕緣、強度大、硬度高、無毒副作用等優(yōu)良性能。選用陶瓷磨粒做雙面研磨盤的基底材料實現(xiàn)了化學性質穩(wěn)定，熱穩(wěn)定，耐磨等要求。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術提供雙面陶瓷研磨盤的合成，用于化學機械研磨工藝中。要解決的技術問題是保證延長磨盤的使用壽命，提高削磨速率以及工件的表面質量且制造成本低廉的研磨盤。為了達到上述目的，本專利技術提出雙面陶瓷研磨盤的合成，所述雙面陶瓷研磨盤包括基材：陶瓷磨粒、金剛石磨粒、剛玉磨粒，復合粘結劑。所述陶瓷磨粒質量分數(shù)60％-70％，金剛石磨粒質量分數(shù)5％-10％，剛玉磨粒質量分數(shù)5％-10％，復合粘結劑質量分數(shù)10％-20％。所述基材陶瓷磨粒的莫氏硬度為8、金剛石磨粒的莫氏硬度為10、剛玉磨粒的莫氏硬度為9。所述復合粘...
【技術保護點】
雙面陶瓷研磨盤的合成，其特征在于：所述雙面陶瓷研磨盤包括基材陶瓷磨粒、金剛石磨粒、剛玉磨粒，粘結復合磨粒的復合粘結劑。
【技術特征摘要】
1.雙面陶瓷研磨盤的合成，其特征在于：所述雙面陶瓷研磨盤包括基材陶瓷磨粒、金剛石磨粒、剛玉磨粒，粘結復合磨粒的復合粘結劑。2.根據(jù)權利要求1所述的雙面陶瓷研磨盤的合成，其特征在于：所述陶瓷磨粒質量分數(shù)60％-70％，金剛石磨粒質量分數(shù)5％-10％，剛玉磨粒質量分數(shù)5％-10％，復合粘結劑質量分數(shù)10％-20％。3.根據(jù)權利要求1所述的雙面陶瓷研磨盤的合成，其特...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：高如山，
申請(專利權)人：天津西美科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：天津;12
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