一種基于LED外置電源的高效防反接電路制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種基于LED外置電源的高效防反接電路，包括由MOS管組成的整流橋和所述MOS管的保護(hù)電路，所述保護(hù)電路連接所述MOS管，所述整流橋的輸入端連接外置電源，所述整流橋的輸出端連接LED；該電路采用低功耗的MOS管作為整流橋的開關(guān)器件，同時(shí)引入保障MOS管的正常工作的保護(hù)電路；本實(shí)用新型專利技術(shù)可以有效防止LED燈管因反接燒毀的問題，電路穩(wěn)定可靠，功耗低，提高了電源的效率和LED的光效。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及防反接電路領(lǐng)域，尤其涉及一種基于LED外置電源的高效防反接電路。
技術(shù)介紹
伴隨著LED照明行業(yè)的興起，各式各樣參差不齊的LED照明工具不斷出現(xiàn)，然而只有綠色、節(jié)能、環(huán)保、高效的LED燈才是符合社會(huì)可持續(xù)發(fā)展。目前，市場(chǎng)上幾乎所有的LED燈的電源都是采用內(nèi)置式，與內(nèi)置電源相比，外置電源不僅效率高、壽命長(zhǎng)，而且可以增加手動(dòng)調(diào)光或者自動(dòng)調(diào)光等功能，備受客戶喜愛。然而，外置電源存在反接時(shí)燒毀燈管的問題，需要一些外加電路來防止的電源反接，常用的防反接電路一般采用整流橋、二極管等高損耗器件，這些元器件都有一個(gè)很致命的缺陷——嚴(yán)重?fù)p失電源效率，LED光效嚴(yán)重丟失，造成電能和光能的白白浪費(fèi)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于提出一種基于LED外置電源的高效防反接電路，該電路可以有效防止LED燈管因反接燒毀的問題，電路穩(wěn)定可靠，功耗低，提高了電源的效率和LED的光效。為達(dá)此目的，本技術(shù)采用以下技術(shù)方案：一種基于LED外置電源的高效防反接電路，包括由MOS管組成的整流橋和所述MOS管的保護(hù)電路，所述保護(hù)電路連接所述MOS管，所述整流橋的輸入端連接外置電源，所述整流橋的輸出端連接LED。其中，所述整流橋包括兩個(gè)PMOS管和兩個(gè)NMOS管，分別為第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，所述市電的正極連接所
述第一PMOS管的漏極和所述第一NMOS管的漏極，所述第一PMOS管的源極連接所述第二PMOS管的源極，所述第二PMOS管的漏極連接所述第二NMOS管的漏極，所述二NMOS管的源極連接所述第一NMOS管的源極，所述市電的負(fù)極連接所述第二NMOS管的漏極。其中，所述保護(hù)電路包括每個(gè)所述MOS管的柵極和源極之間的柵源保護(hù)電路，以及漏極和源極之間的漏源保護(hù)電路。其中，所述柵源保護(hù)電路分壓電阻包括R2、R3、R8和R9，其中，R2的兩端分別連接所述第一PMOS管的源極和柵極、R3的兩端分別連接所述第二PMOS管的源極和柵極、R9的兩端分別連接所述第一NMOS管的源極和柵極，R8的兩端分別連接所述第二NMOS管的源極和柵極。其中，所述漏源保護(hù)電路包括分壓電阻R1、R4、R5、R6、R7和R10，R1的一端分別連接所述外置電源的一端和所述第一PMOS管的漏極，R1的另一端分別連接所述第一PMOS管的源極和所述第二PMOS管的源極，R5的兩端分別連接所述第一PMOS管的柵極和所述第二PMOS管漏極，R4的一端連接所述第二PMOS管的柵極，R4的另一端分別連接外置電源的兩端，R6的兩端分別連接所述第一NMOS管的柵極和所述第二NMOS管的漏極，R7的一端連接所述第二NMOS管的柵極，R7的另一端分別連接外置電源的兩端，R10的一端連接所述第一NMOS管的漏極，R10的另一端連接所述市電的負(fù)極。其中，所述第一PMOS管的源極連接所述LED的正極，所述第二NMOS管的源極連接所述LED的負(fù)極。本技術(shù)提供的技術(shù)方案帶來的有益效果：本技術(shù)基于LED外置電源的高效防反接電路，包括由MOS管組成的整流橋和所述MOS管的保護(hù)電路，所述保護(hù)電路連接所述MOS管，所述整流
橋的輸入端連接外置電源，所述整流橋的輸出端連接LED；該電路采用低功耗的MOS管作為整流橋的開關(guān)器件，同時(shí)引入保障MOS管的正常工作的保護(hù)電路；本技術(shù)可以有效防止LED燈管因反接燒毀的問題，電路穩(wěn)定可靠，功耗低，提高了電源的效率和LED的光效。附圖說明圖1是本技術(shù)實(shí)施例提供的基于LED外置電源的高效防反接電路的功能原理圖。圖2是本技術(shù)實(shí)施例提供的基于LED外置電源的高效防反接電路的電路結(jié)構(gòu)圖。圖3是本技術(shù)實(shí)施例提供的基于LED外置電源的高效防反接電路的電路圖。圖4是本技術(shù)實(shí)施例提供的基于LED外置電源的高效防反接電路的集成電路圖。具體實(shí)施方式參照?qǐng)D1至圖4并通過具體實(shí)施方式來進(jìn)一步說明本技術(shù)的技術(shù)方案。一種基于LED外置電源的高效防反接電路，包括由MOS管組成的整流橋和所述MOS管的保護(hù)電路，所述保護(hù)電路連接所述MOS管，所述整流橋的輸入端連接外置電源，所述整流橋的輸出端連接LED。LED燈的外置電源的輸出端對(duì)應(yīng)連接LED的正負(fù)極，若發(fā)生反接LED會(huì)被燒毀，在安裝的過程中要注意極性的問題，LED燈作為一種家用必備品，經(jīng)常是由用戶自己來更換或安裝，用戶作為一般消費(fèi)者可能對(duì)極性相接的基礎(chǔ)常識(shí)并不清楚，這種情況下就有可能發(fā)生燈管反接的問題；本技術(shù)的實(shí)施例，通過在外置電源的輸出端接入一個(gè)防反接電路，然后再給LED供電，可以有效
的避免反接的發(fā)生。該防反接電路由MOS管組成的整流橋構(gòu)成，不論外置電源輸出的交變電壓的極性如何經(jīng)整流橋處理之后均變成同一極性的電壓輸出，整流橋的輸出端固定連接LED的輸入端為其供電，該防反接電路設(shè)置在LED燈管內(nèi)，用戶在更換或安裝LED燈管的過程中就不需要注意極性的問題了，避免了安全隱患；同時(shí)該整流橋中每個(gè)MOS管均設(shè)置有保護(hù)電路，保障其運(yùn)行安全，MOS管的開關(guān)損耗小，有效提高了電源的效率和LED的光效。所述整流橋包括兩個(gè)PMOS管和兩個(gè)NMOS管，分別為第一PMOS管Q1-1、第二PMOS管Q2-1、第一NMOS管Q1-2和第二NMOS管Q2-2，所述市電的正極連接所述第一PMOS管Q1-1的漏極和所述第一NMOS管Q1-2的漏極，所述第一PMOS管Q1-1的源極連接所述第二PMOS管Q2-1的源極，所述第二PMOS管Q2-1的漏極連接所述第二NMOS管Q2-2的漏極，所述二NMOS管的源極連接所述第一NMOS管Q1-2的源極，所述市電的負(fù)極連接所述第二NMOS管Q2-2的漏極。所述保護(hù)電路包括每個(gè)所述MOS管的柵極和源極之間的柵源保護(hù)電路，以及漏極和源極之間的漏源保護(hù)電路。由于二極管的特性，MOS管的柵源電壓VGS和漏源電壓VDS需要控制在一定的電壓范圍，本技術(shù)的實(shí)施例通過加入不同阻值的分壓電阻來確保不同的MOS管可以正常工作。所述柵源保護(hù)電路分壓電阻包括R2、R3、R8和R9，其中，R2的兩端分別連接所述第一PMOS管Q1-1的源極和柵極，R3的兩端分別連接所述第二PMOS管Q2-1的源極和柵極，R9的兩端分別連接所述第一NMOS管Q1-2的源極和柵極，R8的兩端分別連接所述第二NMOS管Q2-2的源極和柵極。所述漏源保護(hù)電路包括分壓電阻R1、R4、R5、R6、R7和R10，R1的一端分別連接所述外置電源的一端和所述第一PMOS管Q1-1的漏極，R1的另一端分別連接所述第一PMOS管Q1-1的源極和所述第二PMOS管Q2-1的源極，R5的兩端分別連接所述第一PMOS管Q1-1的柵極和所述第二PMOS管Q2-1漏極，R4的一端連接所述第二PMOS管Q2-1的柵極，R4的另一端分別連接外置電源的兩端，R6的兩端分別連接所述第一NMOS管Q1-2的柵極和所述第二NMOS管Q2-2的漏極，R7的一端連接所述第二NMOS管Q2-2的柵極，R7的另一端分別連接外置電源的兩端，R10的一端連接所述第一NMOS管Q1-2的漏極，R10的另一端連接所述市電的負(fù)極。本實(shí)施例還可以通過集成電路來實(shí)現(xiàn)，如圖4所示，其中芯片U1和芯片U2均為集成了一個(gè)PMOS管本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種基于LED外置電源的高效防反接電路，其特征在于，包括由MOS管組成的整流橋和所述MOS管的保護(hù)電路，所述保護(hù)電路連接所述MOS管，所述整流橋的輸入端連接外置電源，所述整流橋的輸出端連接LED。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種基于LED外置電源的高效防反接電路，其特征在于，包括由MOS管組成的整流橋和所述MOS管的保護(hù)電路，所述保護(hù)電路連接所述MOS管，所述整流橋的輸入端連接外置電源，所述整流橋的輸出端連接LED。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述整流橋包括兩個(gè)PMOS管和兩個(gè)NMOS管，分別為第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，市電的正極連接所述第一PMOS管的漏極和所述第一NMOS管的漏極，所述第一PMOS管的源極連接所述第二PMOS管的源極，所述第二PMOS管的漏極連接所述第二NMOS管的漏極，所述二NMOS管的源極連接所述第一NMOS管的源極，所述市電的負(fù)極連接所述第二NMOS管的漏極。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述保護(hù)電路包括每個(gè)所述MOS管的柵極和源極之間的柵源保護(hù)電路，以及漏極和源極之間的漏源保護(hù)電路。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述柵源保護(hù)電路包括分壓電阻R2、R3、R8和R9，其中，R2的兩端分別連接所述第一PMOS管...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉俊杰，羅楊洋，羅吉國(guó)，陳興國(guó)，楊海濤，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：深圳市豪恩光電照明股份有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：廣東;44