一種全橋逆變電路激光器驅動電路制造技術

一種全橋逆變電路激光器驅動電路。其中C1為直流濾波電容，D1，D2，D3，D4，L2，Cd為輸出整流濾波電路，R1，R2，R3，R4為驅動電阻，MCU為控制器。

【技術實現步驟摘要】
一種全橋逆變電路激光器驅動電路
本專利技術涉及一種激光器的驅動電路，屬于光電子

技術介紹
激光器的種類有很多種，像固體激光器，氣體激光器，半導體激光器，光纖激光器等等。在這些激光器當中，除部分半導體激光器屬于直接電流泵浦之外，其余激光器基本上都是通過泵浦源進行泵浦的，特別是對于大功率的激光器，需要使用大功率的驅動電路對泵浦源進行驅動，從而產生大功率的泵浦光，但是現有技術中一般是針對不同的激光器設計不同的驅動電路，一般的驅動電路很少通過簡單改變即可適用到其它激光器上。并且，對于大功率激光器的驅動電路來說，高功率激光器一般需要的驅動電壓也比較高，此時，變壓器不易設計，主要體現在絕緣不好，寄生電容大，漏感大等問題，再者這樣電路中變壓器的次級器件不容易選取。本專利技術正是針對上述問題而提出來的。
技術實現思路
根據本專利技術的一實施例，提供了一種全橋逆變電路激光器驅動電路，包括輸入端，其中輸入端包括正輸入端vin+和負輸入端vin-，正輸入端分別連接到電容C1的一端以及絕緣柵型場效應晶體管IGBT1和IGBT3的集電極，負輸入端vin-分別連接到電容C1另外一端以及絕緣柵型場效應晶體管IGBT2和IGBT4的發射極，IGBT1，IGBT2，IGBT3，IGBT4的門極分別經電阻R1，R2，R4，R5連接到微處理器MCU。IGBT3的發射極連接到電流傳感器ISEN1的一端以及變壓器T1初級線圈的一端，IGBT1的發射極連接到電感L3的一端，變壓器T1初級線圈的另外一端以及IGBT2的集電極，電感L3的另外一端連接電流傳感器ISEN1的另外一端，變壓器T1次級的兩個輸出端，一個輸出端連接二極管D1的陰極和二極管D2的陽極，另外一個輸出端連接二極管D3的陰極和二極管D4的陽極，D2和D4的陽極都連接到電感L2的一端，二極管D1和D3的陽極都連接到直流濾波電容Cd的一端，直流濾波電容Cd的另外一端連接到電感L2的另外一端，輸出電壓檢測電路和電感R3均與直流濾波電容Cd并聯。輸出電壓檢測電路的輸出端以及電流傳感器ISEN1的輸出端均連接到微處理器MCU。電阻R3的一端還連接到可控硅SCR的陽極，SCR的陰極連接到激光器的一端，電阻R3的另外一端還連接到激光器的另外一端。附圖說明附圖1是本專利技術的激光器驅動電路的示意圖。具體實施方式下面將在結合附圖的基礎上詳細描述本專利技術的激光器驅動電路。本專利技術的激光器驅動電路具體組成如下：包括輸入端，其中輸入端包括正輸入端vin+和負輸入端vin-，正輸入端分別連接到電容C1的一端以及絕緣柵型場效應晶體管IGBT1和IGBT3的集電極，負輸入端vin-分別連接到電容C1另外一端以及絕緣柵型場效應晶體管IGBT2和IGBT4的發射極，IGBT1，IGBT2，IGBT3，IGBT4的門極分別經電阻R1，R2，R4，R5連接到微處理器MCU。IGBT3的發射極連接到電流傳感器ISEN1的一端以及變壓器T1初級線圈的一端，IGBT1的發射極連接到電感L3的一端，變壓器T1初級線圈的另外一端以及IGBT2的集電極，電感L3的另外一端連接電流傳感器ISEN1的另外一端，變壓器T1次級的兩個輸出端，一個輸出端連接二極管D1的陰極和二極管D2的陽極，另外一個輸出端連接二極管D3的陰極和二極管D4的陽極，D2和D4的陽極都連接到電感L2的一端，二極管D1和D3的陽極都連接到直流濾波電容Cd的一端，直流濾波電容Cd的另外一端連接到電感L2的另外一端，輸出電壓檢測電路和電感R3均與直流濾波電容Cd并聯。輸出電壓檢測電路的輸出端以及電流傳感器ISEN1的輸出端均連接到微處理器MCU。電阻R3的一端還連接到可控硅SCR的陽極，SCR的陰極連接到激光器的一端，電阻R3的另外一端還連接到激光器的另外一端。本專利技術為一種全橋逆變電路激光器驅動電路。其中C1為直流濾波電容，，D1，D2，D3，D4，L2，Cd為輸出整流濾波電路，R1，R2，R3，R4為驅動電阻，MCU為控制器。工作方式如下，IGBT3與IGBT2同時導通，后同時關斷，后IGBT1與IGBT4同時導通，后又同時關斷，其中(IGBT3，IGBT2)的導通時間與(IGBT1，IGBT4)的導通時間相同，此導通時間由需要的輸出電壓決定，需要的輸出電壓高時，MCU輸出(IGBT3，IGBT2)和(IGBT1，IGBT4)的驅動脈沖變寬，需要的輸出電壓低時，MCU輸出(IGBT3，IGBT2)和(IGBT1，IGBT4)的驅動脈沖變窄，通過調節驅動脈沖的寬度來達到控制輸出電壓的目的.由于實際電路中器件參數的差異，(IGBT3，IGBT2)和(IGBT1，IGBT4)的導通時間不可能完全相同，這會在變壓器T1上產生一個直流分量，此直流分量的累加可能會導致變壓器T1飽和。實際中解決此問題可以與T1串接隔直電容阻斷直流通路，但是此方法成本昂貴。也可以在T1初級加入電流檢測裝置，時刻檢測直流分量，從而時刻調節(IGBT3，IGBT2)和(IGBT1，IGBT4)導通之間達到消除直流分量的目的。但是由于一般回路中交流電流很大，而直流分量可能不到整個電流的1％，而這個小的直流分量就有可能導致變壓器飽和，能檢測整個電流范圍的電流檢測裝置在檢測小的直流分量時，精度不夠，可能根本檢測不到直流分量，小的量程的電流檢測裝置精度好，但是在這種大電流的情況下，無法應用。本專利技術在變壓器T1兩端并入電感L3，且在L3上串接電流檢測裝置Isen1，L3的電感量遠大于L1的電感量和T1的勵磁電感，但是L3的直流阻抗R遠小于L1的直流阻抗和T1的直流阻抗，這樣，回路中的交流電流極少流過L3，但是大部分的直流分量會通過L3，這樣Isen1就可以用小量程高精度電流檢測裝置，精確測量直流分量大小，從而時刻調節(IGBT3，IGBT2)和(IGBT1，IGBT4)導通時間達到消除直流分量的目的。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種全橋逆變電路激光器驅動電路，包括輸入端，其中輸入端包括正輸入端vin+和負輸入端vin?，正輸入端分別連接到電容C1的一端以及絕緣柵型場效應晶體管IGBT1和IGBT3的集電極，負輸入端vin?分別連接到電容C1另外一端以及絕緣柵型場效應晶體管IGBT2和IGBT4的發射極，IGBT1，IGBT2，IGBT3，IGB4的門極分別經電阻R1，R2，R4，R5連接到微處理器MCU。IGBT3的發射極連接到電流傳感器ISEN1的一端以及變壓器T1初級線圈的一端，IGBT1的發射極連接到電感L3的一端，變壓器T1初級線圈的另外一端以及IGB2的集電極，電感L3的另外一端連接電流傳感器ISEN1的另外一端，變壓器T1次級的兩個輸出端，一個輸出端連接二極管D1的陰極和二極管D2的陽極，另外一個輸出端連接二極管D3的陰極和二極管D4的陽極，D2和D4的陽極都連接到電感L2的一端，二極管D1和D3的陽極都連接到直流濾波電容Cd的一端，直流濾波電容Cd的另外一端連接到電感L2的另外一端，輸出電壓檢測電路和電感R3均與直流濾波電容Cd并聯。輸出電壓檢測電路的輸出端以及電流傳感器ISEN1的輸出端均連接到微處理器MCU。電阻R3的一端還連接到可控硅SCR的陽極，SCR的陰極連接到激光器的一端，電阻R3的另外一端還連接到激光器的另外一端。...

【技術特征摘要】
1.一種全橋逆變電路激光器驅動電路，包括輸入端，其中輸入端包括正輸入端vin+和負輸入端vin-，正輸入端分別連接到電容C1的一端以及絕緣柵型場效應晶體管IGBT1和IGBT3的集電極，負輸入端vin-分別連接到電容C1另外一端以及絕緣柵型場效應晶體管IGBT2和IGBT4的發射極，IGBT1，IGBT2，IGBT3，IGBT4的門極分別經電阻R1，R2，R4，R5連接到微處理器MCU，IGBT3的發射極連接到電流傳感器ISEN1的一端以及變壓器T1初級線圈的一端，IGBT1的發射極連接到電感L3的一端，變壓器T1初級線圈的另外一端以及IGBT2的集電極，電感L3的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李松濤，張曉宏，張貴銀，
申請(專利權)人：華北電力大學保定，
類型：發明
國別省市：河北;13