一種變色OLED器件及其制備方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開一種變色OLED器件及其制備方法。其中，所述變色OLED器件包括ITO玻璃，所述ITO玻璃上從里至外依次附著有空穴注入層、空穴傳輸層、第一超薄發(fā)光層、中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層、第二超薄發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極電極；所述第一超薄發(fā)光層和第二超薄發(fā)光層為顏色不同的發(fā)光材料，所述中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層為主體有機(jī)材料。本發(fā)明專利技術(shù)所提供的變色OLED器件，其采用兩種超薄發(fā)光體，使用物理氣象沉積法制備而成，所制備的OLED器件可實(shí)現(xiàn)色域可調(diào)范圍寬，并且該OLED器件具有效率高、低滾降、開啟電壓低的特點(diǎn)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及有機(jī)發(fā)光二極管元器件領(lǐng)域，尤其涉及一種變色OLED器件及其制備方法。
技術(shù)介紹
有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)主要是采用有機(jī)發(fā)光小分子以及高分子聚合物作為發(fā)光材料，并采用蒸鍍或者旋涂的方式制備而成，目前OLED照明產(chǎn)品和OLED顯示面板已經(jīng)量產(chǎn)。在OLED顯示面板中，一個(gè)像素點(diǎn)通常由三色(紅、綠、藍(lán)色)OLED基元器件構(gòu)成，以實(shí)現(xiàn)顏色可調(diào)實(shí)現(xiàn)彩色顯示的功能。顏色可調(diào)發(fā)光二極管(CT-OLED)可以在單個(gè)OLED器件中實(shí)現(xiàn)顏色可調(diào)的功能，這樣不僅可以大大簡(jiǎn)化的制備工藝，特別是可以簡(jiǎn)化復(fù)雜的掩膜版制程，從而降低高昂的OLED制備成本，而且可以最小化像素點(diǎn)從而提高OLED顯示屏的分辨率。因此顏色可調(diào)CT-OLED器件有望在下一代OLED顯示屏中應(yīng)用。但是現(xiàn)有技術(shù)中，顏色可調(diào)CT-OLED器件，其制作成本還是較高，消耗大量昂貴的有機(jī)發(fā)光材料，涉及摻雜工藝導(dǎo)致存在可重復(fù)性差，穩(wěn)定性不佳、性能差等缺點(diǎn)。因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本專利技術(shù)的目的在于提供一種變色OLED器件及其制備方法，采用超薄發(fā)光層，消耗極少昂貴發(fā)光材料，并且優(yōu)化后有很好性能，可以解決現(xiàn)有的顏色可調(diào)CT-OLED器件制作成本高，且存在可重復(fù)性差，穩(wěn)定性不佳、性能差的缺點(diǎn)問題。本專利技術(shù)的技術(shù)方案如下：一種變色OLED器件，其中，包括ITO玻璃，所述ITO玻璃上從里至外依次附著有空穴注入層、空穴傳輸層、第一超薄發(fā)光層、中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層、第二超薄發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極電極；其中，所述第一超薄發(fā)光層和第二超薄發(fā)光層為顏色不同的發(fā)光材料，所述中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層為主體有機(jī)材料。所述的變色OLED器件，其中，所述第一超薄發(fā)光層和所述第二超薄發(fā)光層為黃光或紅光或藍(lán)光或綠光發(fā)光材料。所述的變色OLED器件，其中，所述黃光發(fā)光材料為TBRb材料，所述藍(lán)光發(fā)光材料為DSA-ph材料。所述的變色OLED器件，其中，所述第一超薄發(fā)光層的厚度為0.1-3nm，所述第二超薄發(fā)光層的厚度為0.1-3nm。所述的變色OLED器件，其中，所述中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層為寬帶隙帶隙大于1.7電子伏特的有機(jī)半導(dǎo)體材料。所述的變色OLED器件，其中，所述中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層的厚度為10-30nm。所述的變色OLED器件，其中，所述陰極電極為金屬陰極電極。一種如上所述的變色OLED器件的制備方法，其中，包括步驟：A、對(duì)ITO玻璃進(jìn)行清洗和刻蝕；B、在所述ITO玻璃上沉積空穴注入層；C、在所述空穴注入層上沉積空穴傳輸層；D、在所述空穴傳輸層上沉積第一超薄發(fā)光層；E、在所述第一超薄發(fā)光層上沉積中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層；F、在所述中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層上沉積第二超薄發(fā)光層；G、在所述第二超薄發(fā)光層上沉積電子傳輸層；H、在所述電子傳輸層上沉積電子注入層；I、在所述電子注入層上沉積陰極電極制備得到變色OLED器件；其中，所述第一超薄發(fā)光層和第二超薄發(fā)光層為顏色不同的發(fā)光材料，所述中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層為主體有機(jī)材料。所述的制備方法，其中，在所述步驟I之后還包括：J、采用涂抹有環(huán)氧樹脂膠的玻璃蓋板覆蓋在變色OLED器件上。所述的制備方法，其中，所述步驟A中，在清洗完成后進(jìn)行烘干處理。有益效果：本專利技術(shù)所提供的變色OLED器件，其采用兩種超薄發(fā)光體，使用物理氣象沉積法制備而成，所制備的OLED器件可實(shí)現(xiàn)色域可調(diào)范圍寬，并且該OLED器件具有效率高、低滾降、開啟電壓低的特點(diǎn)。附圖說(shuō)明圖1為本專利技術(shù)的變色OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本專利技術(shù)制備的變色OLED器件的電壓-亮度圖。圖3為本專利技術(shù)制備的變色OLED器件的電流效率-亮度圖。圖4為本專利技術(shù)制備的變色OLED器件的色坐標(biāo)CIE隨電壓變化圖。圖5為本專利技術(shù)制備的變色OLED器件的光譜隨電壓變化圖。具體實(shí)施方式本專利技術(shù)提供一種變色OLED器件及其制備方法，為使本專利技術(shù)的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對(duì)本專利技術(shù)進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本專利技術(shù)，并不用于限定本專利技術(shù)。請(qǐng)參閱圖1，圖1為本專利技術(shù)一種變色OLED器件較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，其包括ITO玻璃1，所述ITO玻璃1上從里至外依次附著有空穴注入層2、空穴傳輸層3、第一超薄發(fā)光層4、中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層5、第二超薄發(fā)光層6、電子傳輸層7、電子注入層8、陰極電極9；其中，所述第一超薄發(fā)光層4和第二超薄發(fā)光層6為顏色不同的發(fā)光材料，所述中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層5為主體有機(jī)材料。本專利技術(shù)中，使用物理氣象沉積法制備變色OLED器件，選用兩種顏色的發(fā)光材料(有機(jī)染料)，并且增加中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層5，其中的中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層5是一種寬LUMO-HOMO帶隙的主體有機(jī)材料，而選用兩種顏色的有機(jī)染料也就確定了可調(diào)色彩的范圍，可調(diào)節(jié)顏色范圍一般在色坐標(biāo)CIE1931圖中兩種顏色路徑上，其調(diào)色機(jī)理是因?yàn)榧ぷ訌?fù)合區(qū)域隨電壓有規(guī)律的漂移。本專利技術(shù)所制備的變色OLED發(fā)光器件具有效率高、低滾降、開啟電壓低的特點(diǎn)。本專利技術(shù)可通過使用任意兩種不同顏色的發(fā)光染料，使用一種寬有機(jī)半導(dǎo)體帶隙(LUMO-HOMO)的主體有機(jī)材料作為中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層，即可實(shí)現(xiàn)低成本顏色可調(diào)OLED器件的制備，且可重復(fù)性高、性能穩(wěn)定、性能高。所述的第一超薄發(fā)光層4和第二超薄發(fā)光層6可以是熒光材料，也可以是磷光材料，所述的第一超薄發(fā)光層4可以是黃光發(fā)光材料，所述第二超薄發(fā)光層6可以是藍(lán)光發(fā)光材料。所述第一超薄發(fā)光層4和所述第二超薄發(fā)光層6為黃光或紅光或藍(lán)光或綠光發(fā)光材料。例如所述第一超薄發(fā)光層4可以是黃光熒光材料，所述第二超薄發(fā)光層6為藍(lán)光熒光材料。采用上述材料制備的變色OLED器件，其色域可調(diào)范圍寬，可以調(diào)節(jié)范圍涵蓋了淺藍(lán)光、白光、黃光。所述第一超薄發(fā)光層4的厚度優(yōu)選為0.1-3nm，例如0.3nm。所述第二超薄發(fā)光層6的厚度優(yōu)選為0.1-3nm，例如0.2nm。進(jìn)一步，所述黃光熒光材料為TBRb材料，所述藍(lán)光熒光材料為DSA-ph材料。其中，TBRb材料為1,3,5-Tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)，其結(jié)構(gòu)式如下：DSA-ph材料為，其結(jié)構(gòu)式如下：其中，所述中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層5的厚度優(yōu)選為10-30nm，例如15nm。所述中間能本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種變色OLED器件，其特征在于，包括ITO玻璃，所述ITO玻璃上從里至外依次附著有空穴注入層、空穴傳輸層、第一超薄發(fā)光層、中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層、第二超薄發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極電極；其中，所述第一超薄發(fā)光層和第二超薄發(fā)光層為顏色不同的發(fā)光材料，所述中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層為主體有機(jī)材料。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種變色OLED器件，其特征在于，包括ITO玻璃，所述ITO玻
璃上從里至外依次附著有空穴注入層、空穴傳輸層、第一超薄發(fā)光層、中
間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層、第二超薄發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極電
極；
其中，所述第一超薄發(fā)光層和第二超薄發(fā)光層為顏色不同的發(fā)光材料，
所述中間能量轉(zhuǎn)移調(diào)控層為主體有機(jī)材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變色OLED器件，其特征在于，所述第一超
薄發(fā)光層和所述第二超薄發(fā)光層為黃光或紅光或藍(lán)光或綠光發(fā)光材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的變色OLED器件，其特征在于，所述黃光發(fā)
光材料為TBRb材料，所述藍(lán)光發(fā)光材料為DSA-ph材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變色OLED器件，其特征在于，所述第一超
薄發(fā)光層的厚度為0.1-3nm，所述第二超薄發(fā)光層的厚度為0.1-3nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變色OLED器件，其特征在于，所述中間能
量轉(zhuǎn)移調(diào)控層為寬帶隙帶隙大于1.7電子伏特的有機(jī)半導(dǎo)體材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變色OLED器件，其特征在于，所述中間能
量轉(zhuǎn)移調(diào)控層的厚度為10-30nm。<...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：徐汀，何谷峰，孟鴻，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：北京大學(xué)深圳研究生院，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：廣東;44