本實用新型專利技術(shù)提供一種抗介質(zhì)超高頻RFID標簽，包括：標簽介質(zhì)板、抗介質(zhì)標簽天線圖案和集成電路芯片；所述抗介質(zhì)標簽天線圖案設置于所述標簽介質(zhì)板上，所述集成電路芯片設置于標簽天線的中間。本實用新型專利技術(shù)提供一種抗介質(zhì)的標簽，具有增益高，頻帶寬，讀取效率高，生產(chǎn)成本低，體積小等優(yōu)點。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于射頻識別
，具體涉及一種抗介質(zhì)超高頻RFID標簽。
技術(shù)介紹
射頻識別(Rad1 Frequency Identificat1n，RFID)是一種利用無線射頻方式進行非接觸雙向數(shù)據(jù)通信，以達到目標識別并交換數(shù)據(jù)的技術(shù)。國內(nèi)RFID系統(tǒng)使用的頻段主要分為低頻(135kHz以下)、高頻(13.56MHz)、超高頻(Ultra High Frequency ,UHF) (860?960MHz)和微波(2.4GHz以上)等幾大類。RFID系統(tǒng)一般由標簽、讀寫器和計算機通信網(wǎng)絡組成。標簽存儲著待識別對象的相關(guān)信息，附著在待識別對象上，在實際工作的過程中，標簽的性能會直接受到其背部所黏貼介質(zhì)的影響，在很多情況下影響非常嚴重，甚至導致標簽無法工作。目前對于超高頻RFID標簽的研究，大都停留在普通標簽、抗金屬標簽上，抗介質(zhì)(在包括但不限于玻璃、塑料、橡膠等物體上可以正常工作)標簽的設計和提出尚為空白。與本專利技術(shù)最為接近的方案為抗金屬標簽的設計，微帶天線由于其天線結(jié)構(gòu)需要接地平面，因此可以將金屬表面作為其接地平面，從而可以用來實現(xiàn)抗金屬標簽天線的設計，倒F天線或平面倒F天線與微帶天線類似，也需要接地平面實現(xiàn)其天線功能，但天線的尺寸更小巧，一般只需要波長的1/4，因此，被廣泛采用作為抗金屬標簽天線設計的基本原型。此夕卜，國內(nèi)外學者使用各種不同的形狀設計，完成了不同的抗金屬標簽的設計。超高頻的RFID標簽以及抗金屬標簽只考慮到了標簽工作的一部分環(huán)境，而在實際的應用中，特別是隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，標簽的使用環(huán)境越來越復雜，目前的技術(shù)方案不能解決此類問題，因此，如何解決標簽在復雜介質(zhì)環(huán)境下的工作情況是本領域亟待解決的技術(shù)問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的是提供一種抗介質(zhì)超高頻RFID標簽，可以不受其背部介質(zhì)環(huán)境干擾而正常工作。本專利技術(shù)提供了如下的技術(shù)方案:一種抗介質(zhì)超高頻RFID標簽，包括:標簽介質(zhì)板、抗介質(zhì)標簽天線圖案和集成電路芯片;所述抗介質(zhì)標簽天線圖案設置于所述標簽介質(zhì)板上，所述集成電路芯片設置于抗介質(zhì)標簽天線圖案中間。所述抗介質(zhì)標簽天線圖案為矩形中間設有一工字型空隙，所述工字型空隙包括上部、中間空隙和下部，所述上部比下部短，所述工字型空隙的中間空隙設有集成電路芯片。所述抗介質(zhì)標簽天線圖案是通過印刷或蝕刻加工到介質(zhì)上。通過在金屬上開縫的方式調(diào)整天線參數(shù)。所述集成電路芯片為無源的RFID芯片；所述標簽介質(zhì)板為介電常數(shù)介于1-10之間的材料。本專利技術(shù)的有益效果是:增益高，頻帶寬，讀取效率高，生產(chǎn)成本低，體積小。【附圖說明】附圖用來提供對本專利技術(shù)的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本專利技術(shù)的實施例一起用于解釋本專利技術(shù)，并不構(gòu)成對本專利技術(shù)的限制。在附圖中:圖1是本專利技術(shù)抗介質(zhì)超高頻RFID標簽的結(jié)構(gòu)示意圖。【具體實施方式】如圖1所示，將背部介質(zhì)模擬成一塊介質(zhì)板(主要考慮的參數(shù)為材料、介電常數(shù)er、長寬高)，與標簽一同進行模擬仿真，調(diào)整標簽參數(shù)，使性能達到最優(yōu)。本專利技術(shù)實現(xiàn)了適用于背部介質(zhì)板介電常數(shù)為1-10的介質(zhì)板，包含但不僅限于玻璃、橡膠、塑料等。原理為:當標簽的背部添加一塊介質(zhì)板的時候，介質(zhì)板的介電常數(shù)的變化直接影響了電容的大小，因為C=erD2/14.4d(其中d是介質(zhì)板的平均厚度，D是介質(zhì)板的平均直徑)，而f = I/2 Π RC，即影響了標簽工作的頻率。一種抗介質(zhì)超高頻RFID標簽，包括:標簽介質(zhì)板1、抗介質(zhì)標簽天線圖案2和集成電路芯片3;抗介質(zhì)標簽天線圖案2設置于標簽介質(zhì)板I上，集成電路芯片3設置于抗介質(zhì)標簽天線圖案2中間。抗介質(zhì)標簽天線圖案2為矩形中間設有一工字型空隙，工字型空隙包括上部、中間空隙和下部，上部比下部短，工字型空隙的中間空隙設有集成電路芯3。抗介質(zhì)標簽天線圖案2是通過印刷工藝或蝕刻等工藝加工到塑料等軟性薄材料上，工藝同Inlay標簽;本實施例中主要通過在金屬上開縫的方式調(diào)整天線參數(shù);本實施例中所采用的集成電路芯片為無源的RFID芯片;所采用的背部介質(zhì)板為介電常數(shù)介于1-10之間的材料。 在本實施例中，標簽的大小為53mm*19mm;背部介質(zhì)板大小為150mm*140mm*3mm，該介質(zhì)板大小為模擬大小，實際工作中可包含大于53mm*19mm*任意厚度的大小;標簽緊貼于介質(zhì)板上方，其中標簽生產(chǎn)中所用軟性材料由于厚度非常小且對標簽工作無影響可忽略不計;標簽天線本身賦銅或者賦鋁等;天線最上方及中間位置開縫，且縫隙平行;標簽天線為全向天線;增益約2.4dB;以Sll在-1OdB以下作為標簽的帶寬，相對帶寬為48%。綜上可見，本專利技術(shù)體積小，增益高，頻帶寬，讀取效率高，生產(chǎn)成本低，適于廣泛應用。以上所述僅為本專利技術(shù)的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本專利技術(shù)，盡管參照前述實施例對本專利技術(shù)進行了詳細的說明，對于本領域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換。凡在本專利技術(shù)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本專利技術(shù)的保護范圍之內(nèi)。【主權(quán)項】1.一種抗介質(zhì)超高頻RFID標簽，其特征在于，包括:標簽介質(zhì)板、抗介質(zhì)標簽天線圖案和集成電路芯片;所述抗介質(zhì)標簽天線圖案設置于所述標簽介質(zhì)板上，所述集成電路芯片設置于抗介質(zhì)標簽天線圖案中間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗介質(zhì)超高頻RFID標簽，其特征在于，所述抗介質(zhì)標簽天線圖案為矩形中間設有一工字型空隙，所述工字型空隙包括上部、中間空隙和下部，所述上部比下部短，所述工字型空隙的中間空隙設有集成電路芯片。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種抗介質(zhì)超高頻RFID標簽，其特征在于，所述抗介質(zhì)標簽天線圖案是通過印刷或蝕刻加工到介質(zhì)上。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗介質(zhì)超高頻RFID標簽，其特征在于，通過在金屬上開縫的方式調(diào)整天線參數(shù)。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種抗介質(zhì)超高頻RFID標簽，其特征在于，所述集成電路芯片為無源的RFID芯片。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗介質(zhì)超高頻RFID標簽，其特征在于，所述標簽介質(zhì)板為介電常數(shù)介于1-1 O之間的材料。【專利摘要】本技術(shù)提供一種抗介質(zhì)超高頻RFID標簽，包括：標簽介質(zhì)板、抗介質(zhì)標簽天線圖案和集成電路芯片；所述抗介質(zhì)標簽天線圖案設置于所述標簽介質(zhì)板上，所述集成電路芯片設置于標簽天線的中間。本技術(shù)提供一種抗介質(zhì)的標簽，具有增益高，頻帶寬，讀取效率高，生產(chǎn)成本低，體積小等優(yōu)點。【IPC分類】G06K19/077【公開號】CN205375540【申請?zhí)枴緾N201620026103【專利技術(shù)人】何小祥, 楊紫園 【申請人】南京航空航天大學【公開日】2016年7月6日【申請日】2016年1月8日本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種抗介質(zhì)超高頻RFID標簽，其特征在于，包括：標簽介質(zhì)板、抗介質(zhì)標簽天線圖案和集成電路芯片；所述抗介質(zhì)標簽天線圖案設置于所述標簽介質(zhì)板上，所述集成電路芯片設置于抗介質(zhì)標簽天線圖案中間。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：何小祥，楊紫園，
申請(專利權(quán))人：南京航空航天大學，
類型：新型
國別省市：江蘇;32
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