基板液處理裝置和基板液處理方法制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種能夠提高基板液處理裝置的生產率的基板液處理裝置和基板液處理方法。基板液處理裝置(1)用于利用處理液來對基板(2)進行液處理，其包括：處理液儲存部(3)，其用于儲存所述處理液；處理液加熱部(加熱器(18))，其用于對所述處理液進行加熱；控制部(8)，其用于控制所述處理液加熱部；以及溫度傳感器(21)和濃度傳感器(20)，其與所述控制部(8)相連接，所述控制部(8)利用所述濃度傳感器(20)來測量所述處理液的濃度并利用所述溫度傳感器(21)來測量所述處理液的溫度，并求出與測量出的所述處理液的濃度相對應的沸點，根據該沸點和測量出的所述處理液的溫度來對所述處理液加熱部的功率進行控制。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及用于利用加熱了的處理液來對基板進行液處理的基板液處理裝置和基板液處理方法。
技術介紹
以往，在制造半導體零件、平板顯示器等時，使用基板液處理裝置并利用蝕刻液、清洗液等處理液對半導體晶圓、液晶基板等基板實施蝕刻、清洗等處理。作為一種基板液處理裝置，將用純水將磷酸等藥劑調整為規定濃度、規定溫度而得到的水溶液用作處理液，使基板浸漬于儲存有處理液的儲存槽內，由此，進行處理。另外，通過將該處理液儲存在儲存槽內并使儲存了的處理液朝向基板的表面噴出，從而利用處理液來對基板進行液處理。在以往的基板液處理裝置中，通過對處理液進行加熱而使其在規定溫度沸騰，從而將處理液管理為規定濃度(例如，參照專利文獻1)。專利文獻1：日本特開2013－93478號公報
技術實現思路
專利技術要解決的問題在所述以往的基板液處理裝置中，為了提高在每單位時間能夠處理的能力(生產率)，想到使得用于加熱處理液的加熱器高功率化，以縮短加熱處理液所需的時間。然而，在所述以往的基板液處理裝置中，僅靠溫度來控制加熱器對處理液加熱。當利用高功率的加熱器將用純水將藥劑稀釋而得到的處理液在短時間內加熱到規定溫度時，處理液會被急劇地加熱到接近沸點，從而處理液成為過度沸騰的強沸騰狀態而有可能自儲存槽冒出。特別是，在因儲存槽的維護等而用水對儲存槽內進行置換并將處理液再次儲存在儲存槽內之后，在維護時使用的水與處理液相混合，從而使儲存在儲存槽內的處理液的濃度變低，在與該濃度相對應的處理液的沸點較低的情況下，處理液非常有可能出現上述問題。用于解決問題的方案因此，本專利技術的基板液處理裝置用于利用處理液來對基板進行液處理，其中，該基板液處理裝置包括：處理液儲存部，其用于儲存所述處理液；處理液加熱部，其用于對所述處理液進行加熱；控制部，其用于控制所述處理液加熱部；以及溫度傳感器和濃度傳感器，其與所述控制部相連接，所述控制部利用所述濃度傳感器來測量所述處理液的濃度并利用所述溫度傳感器來測量所述處理液的溫度，并求出與測量出的所述處理液的濃度相對應的沸點，根據該沸點和測量出的所述處理液的溫度來對所述處理液加熱部的功率進行控制。另外，所述控制部根據所述處理液的濃度和溫度來對所述處理液加熱部進行控制，之后，利用所述溫度傳感器對所述處理液的溫度進行測量，并僅根據該溫度來對所述處理液加熱部的功率進行控制。另外，所述控制部在根據所述處理液的濃度和溫度來對所述處理液加熱部進行的控制與僅根據所述處理液的溫度來對所述處理液加熱部進行的控制之間，以將所述處理液加熱部的功率保持為恒定的方式進行控制。另外，所述控制部在求出與所述處理液的濃度相對應的沸點時根據氣壓進行校正。另外，本專利技術提供一種基板液處理方法，在該基板液處理方法中，利用處理液加熱部對儲存于處理液儲存部的處理液進行加熱而對基板進行處理，其中，對所述處理液的濃度和溫度進行測量，求出與測量出的所述處理液的濃度相對應的沸點，并根據該沸點和測量出的所述處理液的溫度來對所述處理液加熱部的功率進行控制。另外，根據所述處理液的濃度和溫度來對所述處理液加熱部進行控制，之后，對所述處理液的溫度進行測量，僅根據該溫度來對所述處理液加熱部的功率進行控制。另外，在根據所述處理液的濃度和溫度來對所述處理液加熱部進行的控制與僅根據所述處理液的溫度來對所述處理液加熱部進行控制之間，以將所述處理液加熱部的功率保持為恒定的方式進行控制。另外，在求出與所述處理液的濃度相對應的沸點時，根據氣壓進行校正。專利技術的效果在本專利技術中，能夠防止處理液成為強沸騰狀態并在短時間內將處理液加熱至規定溫度，而能夠提高基板液處理裝置的生產率。附圖說明圖1是表示基板液處理裝置的說明圖。圖2是表示基板液處理程序的流程圖。圖3是表示處理液的濃度、溫度以及處理液加熱部的功率的變化的說明圖。圖4是表示儲存槽的說明圖。具體實施方式下面，參照附圖說明本專利技術的基板液處理裝置的具體結構和基板液處理方法以及基板液處理程序的具體構成。此外，在以下的說明中，說明將本發明應用于以下基板液處理裝置(蝕刻裝置)的實施方式，在該基板液處理裝置中，使用利用純水將磷酸等藥劑調整至規定濃度和規定溫度而得到的處理液(例如蝕刻液)來對基板(例如半導體晶圓)進行處理。如圖1所示，基板液處理裝置1具有：處理液儲存部3，其用于利用儲存了的處理液來對基板2進行處理；處理液供給部4，其用于對處理液儲存部3供給處理液；純水供給部5，其用于對處理液儲存部3供給純水；處理液循環部6，其用于使儲存于處理液儲存部3的處理液循環；以及處理液排出部7，其用于將處理液自處理液儲存部3排出。另外，基板液處理裝置1具有用于控制所述各部分的控制部8。在處理液儲存部3中，在上部敞開的處理槽9的上部周圍形成上部敞開的外槽10，在處理槽9和外槽10內儲存處理液。用于保持基板2的基板保持體11以能夠升降的方式設于處理液儲存部3。利用控制部8對基板保持體11進行升降控制。并且，在處理槽9中，通過利用基板保持體11使基板2浸漬在處理液中來對基板2進行液處理。在外槽10中儲存自處理槽9溢出的處理液、自處理液供給部4供給過來的水溶液、自純水供給部5供給過來的純水并通過處理液循環部6對處理槽9供給處理液。處理液供給部4將用于供給處理液的水溶液供給源12經由流量調整器13連接于處理液儲存部3的外槽10。利用控制部8對流量調整器13進行開閉控制和流量控制。純水供給部5將用于供給純水的純水供給源14經由流量調整器15連接于處理液儲存部3的外槽10。利用控制部8對流量調整器15進行開閉控制和流量控制。處理液循環部6在處理液儲存部3的外槽10的底部與處理槽9的底部之間形成循環流路16。在循環流路16上依次設置有泵17、加熱器18、以及過濾器19。另外，在循環流路16上設有用于測量處理液的濃度的濃度傳感器20和用于測量處理液的溫度的溫度傳感器21。此外，溫度傳感器21并不限于設置在循環流路16上，也可以設置在處理液儲存部3的處理槽9內。利用控制部8對泵17、加熱器18進行驅動控制。特別是，利用控制部8對加熱器18的功率(加熱溫度)進行可變控制。另外，濃度傳感器20、溫度傳感器21與控制部8相連接，并將測量到的濃度、溫度通知給控制部8。控制部8還與用于在處理液儲存部3的處理槽9的開口附近測量氣壓的氣壓傳感器22相連本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種基板液處理裝置，其用于利用處理液來對基板進行液處理，其特征在于，該基板液處理裝置包括：處理液儲存部，其用于儲存所述處理液；處理液加熱部，其用于對所述處理液進行加熱；控制部，其用于控制所述處理液加熱部；以及溫度傳感器和濃度傳感器，其與所述控制部相連接，所述控制部利用所述濃度傳感器來測量所述處理液的濃度并利用所述溫度傳感器來測量所述處理液的溫度，并求出與測量出的所述處理液的濃度相對應的沸點，根據該沸點和測量出的所述處理液的溫度來對所述處理液加熱部的功率進行控制。

【技術特征摘要】
2014.12.24 JP 2014-2597741.一種基板液處理裝置，其用于利用處理液來對基板進行液處理，其特
征在于，
該基板液處理裝置包括：
處理液儲存部，其用于儲存所述處理液；
處理液加熱部，其用于對所述處理液進行加熱；
控制部，其用于控制所述處理液加熱部；以及
溫度傳感器和濃度傳感器，其與所述控制部相連接，
所述控制部利用所述濃度傳感器來測量所述處理液的濃度并利用所述
溫度傳感器來測量所述處理液的溫度，并求出與測量出的所述處理液的濃度
相對應的沸點，根據該沸點和測量出的所述處理液的溫度來對所述處理液加
熱部的功率進行控制。
2.根據權利要求1所述的基板液處理裝置，其特征在于，
所述控制部根據所述處理液的濃度和溫度來對所述處理液加熱部進行
控制，之后，利用所述溫度傳感器對所述處理液的溫度進行測量，并僅根據
該溫度來對所述處理液加熱部的功率進行控制。
3.根據權利要求2所述的基板液處理裝置，其特征在于，
所述控制部在根據所述處理液的濃度和溫度來對所述處理液加熱部進
行的控制與僅根據所述處理液的溫度來對所述處理液加熱部進行的控制之
間，以將所述處理液加熱部的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：上村史洋，原大海，
申請(專利權)人：東京毅力科創株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP