供電電路制造技術

一種供電電路，包括：控制芯片、與控制芯片連接供電給控制芯片的待機電路、及與控制芯片連接的負載供電電路，負載供電電路包括與可控電源連接并根據設置進行導通的開關電路、及負載降壓電路、負載穩壓電路、負載啟動電路，開關電路包括高電平單向導通的單向可控硅SCR1，負載穩壓電路包括并聯在負載兩端的穩壓管DW1，負載啟動電路包括并聯在負載兩端的極性電容E1，負載降壓電路包括串聯在市電火線上的負載降壓電阻、降壓電容C1及與極性電容E1并聯的二極管D2，；上述的負載供電電路的供電電源是電源可控，通過控制單向可控硅SCR1的導通，可控制負載供電電路在待機時不工作，只有在需要時才工作，可實現降低待機功耗低的要求。

【技術實現步驟摘要】


本專利技術涉及供電電路，特別是涉及一種阻容供電電路。

技術介紹

阻容降壓電路為一種近似于恒流源供電電路，阻容降壓電路在產品待機與工作狀
態，功耗是一樣的。這樣就不能滿足在待機時的能耗標準,同時也是一種能源的浪費。目
前有一種解決方案是采用小型單片開關電源芯片的電源電路，這種電源電路雖然解決了待
機功耗問題，但其成本高及高壓電解電容的使用壽命也是一個突出的問題。

技術實現思路

本專利技術的目的：提供一種能降低功耗的供電電路。
為了實現上述目的，本專利技術的技術方案是：一種供電電路，包括：控制芯片、與控制芯片連接供電給控制芯片的待機電路、及與控制芯片連接的負載供電電路，所述負載供電電路包括：與所述控制芯片的I/O端連接并根據設置進行導通的開關電路、及負載降壓電路、負載穩壓電路、負載啟動電路；所述開關電路包括高電平單向導通的單向可控硅SCR1，所述負載穩壓電路包括并聯在負載兩端的穩壓管DW1，所述負載啟動電路包括并聯在負載兩端的極性電容E1，所述負載降壓電路包括串聯在市電火線上的負載降壓電阻、降壓電容C1及與極性電容E1并聯的二極管D2，所述負載降壓電阻輸入端接入到市電的火線端、其輸出端接入到降壓電容C1的一端；所述二極管D2負極接入降壓電容C1的另一端及極性電容E1的正極中，二極管D2的正極接入到單向可控硅SCR1的陰極、及市電的零線端與接地端的公共端；單向可控硅SCR1的控制極接入到控制芯片的I/O端，單向可控硅SCR1的陽極接入到極性電容E1的負極。
在優選的實施例中，所述負載降壓電阻包括降壓電阻R1。
在優選的實施例中，所述單向可控硅SCR1的控制極與控制芯片之間還設置有電
阻R3。
在優選的實施例中，所述負載供電電路還包括與降壓電容C1兩端并聯的放電電
阻R2。
在優選的實施例中，所述待機電路包括：待機降壓電路、待機穩壓電路、待機整流
電路、及待機濾波電路；所述待機濾波電路濾波后供電給控制芯片，所述待機穩壓電路包括
穩壓二極管DW2，所述待機整流電路包括整流二極管D1，所述濾波電路包括極性濾波電容
E2，所述待機降壓電路的輸入端接入到市電的火線端、其輸出端接入到穩壓二極管DW2負
極及整流二極管D1正極，所述穩壓二極管DW2的正極接入到市電的零線與地線的公共端及極性濾波電容E2的負極，同時穩壓二極管DW2與極性濾波電容E2并聯后接入到控制芯片中，所述極性濾波電容E2的正極與所述穩壓二極管DW2的負極連接、其負極接入到所述穩壓二極管DW2的正極及控制芯片的備用電源端，所述整流二極管D1負極與極性濾波電容E2正極的公共端接入到控制芯片的電源輸入端。
在優選的實施例中，所述降壓電路為降壓電阻，所述降壓電阻的輸入端接入到市電的火線端、其輸出端接入到整流二極管D1正極;所述控制芯片所需電流小于2mA。
在優選的實施例中，所述降壓電阻包括串聯連接的降壓電阻R1與降壓電阻R4。
在優選的實施例中，所述降壓電路包括串聯在市電火線端的降壓電阻R1、降壓電
容C2，所述降壓電阻R1的輸入端接入到市電的火線端、其輸出端與降壓電容C2的一端連
接；降壓電容C2的另一端接入到穩壓二極管的負極。
在優選的實施例中，所述負載為繼電器RL1。
在優選的實施例中，所述控制芯片為MCU。
上述的負載供電電路的供電電源是控制芯片提供的電源可控，通過控制芯片提供
高低電平控制單向可控硅SCR1的導通，可控制負載供電電路在待機時不工作，只有在需要
時才工作，可實現降低待機功耗低的要求，且電路簡單，電路中采用的電阻、電容、二極管等常規常見的電子元器件，成本低廉；負載供電電路在市電的正半周里，電流從降壓電阻，經過降壓電容C1，降壓電容C1充電，再經過穩壓管DW1穩壓，極性電容E1濾波，然后經單向可控硅SCR1流回零線端。在市電的負半周，電流從零線端流出，經二極管D2，此時單向可控硅SCR1反向截止，再經降壓電容C1，降壓電容C1進行放電，然后經過降壓電阻回到火線端。當極性電容E1的兩端電壓達到負載的工作電壓如繼電器的吸合電壓時，負載開始工作。如果設置滿足條件（如設置時間）后，控制芯片的I/O端變為低電平（如0V），單向可控硅SCR1截止，市電無法給極性電容E1充電，極性電容E1兩端的電壓很快下降下來，負載將不工作了。
附圖說明
圖1為本專利技術一實施例的供電電路的示意圖。
具體實施方式
如圖1所示，本專利技術一實施例的供電電路，包括：控制芯片、與控制芯片連接
并供電給控制芯片的待機電路、及與控制芯片連接并供電給負載的負載供電電路。
本實施例中，優選的，控制芯片為MCU(MicroControlUnit，微控制單元)。負載
供電電路包括：與可控電源連接并根據設置進行導通的開關電路、及負載降壓電路、負載穩
壓電路、負載啟動電路。
如圖1所示，本實施例中，開關電路包括：高電平單向導通的單向可控硅SCR1。負
載穩壓電路包括：并聯在負載兩端的穩壓管DW1。負載啟動電路包括：并聯在負載兩端的極性電容E1。負載降壓電路包括串聯在市電火線上的負載降壓電阻、降壓電容C1、及與極性電容E1并聯的二極管D2。
負載降壓電阻輸入端接入到市電的火線端、其輸出端接入到降壓電容C1的一端。
二極管D2的負極分別接入降壓電容C1的另一端、及極性電容E1的正極中，二極管D2的正極分別接入到單向可控硅SCR1的陰極、及市電的零線端AC-L與接地端的公共端。
單向可控硅SCR1的控制極接入到控制芯片提供的可控電源中，單向可控硅SCR1
的陽極接入到極性電容E1的負極。
本實施例中，負載降壓電阻為降壓電阻R1。進一步，本實施例中，單向可控硅SCR1
的控制極接入到控制芯片的I/O（輸入/輸出接口）接口端，并與控制芯片的I/O（輸入/輸出接口）接口端之間還設置有電阻R3。
為了防止斷電后，人為碰觸到降壓電容C1而觸電，在降壓電容C1的兩端并聯連接
有放電電阻R2。放電電阻R2在斷開市電時，消耗放掉降壓電容C1兩端的蓄電，以防斷電
后，人為碰觸到降壓電容C1而觸電。
本實施例的供電電路中，待機電路包括：待機降壓電路、待機穩壓電路、待機整流
電路、及待機濾波電路。待機濾波電路濾波后供電給控制芯片。
待機穩壓電路包括穩壓二極管DW2。待機整流電路包括整流二極管D1。濾波電路
包括極性濾波電容E2。
待機降壓電路的輸入端接入到市電的火線端，待機降壓電路的輸出端接入到穩壓
二極管DW2負極、及整流二極管D1正極。
穩壓二極管DW2的正極接入到市電的零線與地線的公共端、及極性濾波電容E2的
負極。同時穩壓二極管DW2與極性濾波電容E2并聯后接入到控制芯片中。
極性濾波電容E2的正極與所述穩壓二極管DW2的負極連接，極性濾波電容E2負
極接入到穩壓二極管DW2的正極、及控制芯片的備用電源端Vss中。
整流二極管D1負極與極性濾波電容E2正極的公共端接入到控制芯片的電源輸入
端VDD中。
當控制芯片只需小于2mA的電流時，本實施例中，降壓電路優選的為降壓電阻。降
壓電路優選的，采用串聯連接的降壓電阻R1與降壓電阻R4組成的經濟實用的降壓電路。降壓電阻R1的輸入本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種供電電路，其特征在于，包括：控制芯片、與所述控制芯片連接供電給控制芯片的待機電路、及與所述控制芯片連接的負載供電電路，所述負載供電電路包括：與所述控制芯片的I/O?端連接并根據設置進行導通的開關電路、及負載降壓電路、負載穩壓電路、負載啟動電路；所述開關電路包括高電平單向導通的單向可控硅SCR1，所述負載穩壓電路包括并聯在負載兩端的穩壓管DW1，所述負載啟動電路包括并聯在負載兩端的極性電容E1，所述負載降壓電路包括串聯在市電火線上的負載降壓電阻、降壓電容C1?及與極性電容E1?并聯的二極管D2，所述負載降壓電阻輸入端接入到市電的火線端、其輸出端接入到降壓電容C1?的一端；所述二極管D2?負極接入降壓電容C1?的另一端及極性電容E1?的正極中，二極管D2?的正極接入到單向可控硅SCR1?的陰極、及市電的零線端與接地端的公共端；單向可控硅SCR1?的控制極接入到控制芯片的I/O?端，單向可控硅SCR1?的陽極接入到極性電容E1?的負極。

【技術特征摘要】
1.一種供電電路，其特征在于，包括：控制芯片、與所述控制芯片連接供電給控制芯片
的待機電路、及與所述控制芯片連接的負載供電電路，所述負載供電電路包括：與所述控制
芯片的I/O端連接并根據設置進行導通的開關電路、及負載降壓電路、負載穩壓電路、負載
啟動電路；所述開關電路包括高電平單向導通的單向可控硅SCR1，所述負載穩壓電路包括
并聯在負載兩端的穩壓管DW1，所述負載啟動電路包括并聯在負載兩端的極性電容E1，所
述負載降壓電路包括串聯在市電火線上的負載降壓電阻、降壓電容C1及與極性電容E1并
聯的二極管D2，所述負載降壓電阻輸入端接入到市電的火線端、其輸出端接入到降壓電容
C1的一端；所述二極管D2負極接入降壓電容C1的另一端及極性電容E1的正極中，二極管D2的正極接入到單向可控硅SCR1的陰極、及市電的零線端與接地端的公共端；單向可控硅SCR1的控制極接入到控制芯片的I/O端，單向可控硅SCR1的陽極接入到極性電容E1的負極。
2.根據權利要求1所述的供電電路，其特征在于：所述負載降壓電阻包括降壓電阻R1。
3.根據權利要求1所述的供電電路，其特征在于：所述單向可控硅SCR1的控制極與控
制芯片之間還設置有電阻R3。
4.根據權利要求1所述的供電電路，其特征在于：所述負載供電電路還包括與降壓電
容C1兩端并聯的放電電阻R2。
5.根據權利要求1至4任意一項所述的供電電路，其特征在于：所述待機電路包括：待
機降壓電路、待機穩壓電路、待機整流電...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉毛飛，
申請(專利權)人：劉毛飛，
類型：發明
國別省市：陜西;61