一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置。所述方法包括步驟S1：提供MEMS晶圓，在所述MEMS晶圓的正面形成有凹槽；步驟S2：在所述凹槽里面形成MEMS圖案；步驟S3：在所述MEMS晶圓的正面上形成保護(hù)層，以得到包含所述MEMS圖案的空腔；步驟S4：反轉(zhuǎn)所述MEMS晶圓，執(zhí)行背面工藝。本發(fā)明專利技術(shù)所述方法在去除所述膠帶的過程中不會(huì)對(duì)所述MEMS圖案造成影響，改善了MEMS器件在去除膠帶(Detape)工藝中產(chǎn)生損壞(Damage)的現(xiàn)象，提高了所述MEMS器件的性能和良率。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
201410742327

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種MEMS器件的制備方法，包括：步驟S1：提供MEMS晶圓，在所述MEMS晶圓的正面形成有凹槽；步驟S2：在所述凹槽里面形成MEMS圖案；步驟S3：在所述MEMS晶圓的正面上形成保護(hù)層，以得到包含所述MEMS圖案的空腔；步驟S4：反轉(zhuǎn)所述MEMS晶圓，執(zhí)行背面工藝。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鄭超，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：中芯國際集成電路制造上海有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：上海;31